| 研究課題/領域番号 |
19840016
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| 研究種目 |
若手研究(スタートアップ)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
白澤 徹郎 東京大学, 物性研究所, 助教 (80451889)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
3,105千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 405千円)
2008年度: 1,755千円 (直接経費: 1,350千円、間接経費: 405千円)
2007年度: 1,350千円 (直接経費: 1,350千円)
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| キーワード | シリコンカーバイド / 表面界面 / 絶縁超薄膜 / 表面界面物性 / ナノ材料 / 表面・界面物性 |
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| 研究概要 |
シリコンカーバイド(0001)基板上に成長させた結晶性シリコン酸窒化超薄膜の界面構造と電子状態を明らかにし、さらにその上への金属超薄膜の成長を試みた。X線回折法、光電子分光法、X線吸収・発光分光法、第一原理計算による検証の結果、絶縁膜と基板界面は原子レベルで急峻であり、理想的なバンドオフセット構造を有することを明らかにした。この成果は高性能SiC-MOSデバイスへの適応を期待させるものである。
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