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InAlAs酸化膜によるIII-V-OI MOS構造の作製および界面準位に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 19860024
研究種目

若手研究(スタートアップ)

配分区分補助金
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関東京大学

研究代表者

竹中 充  東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (20451792)

研究期間 (年度) 2007 – 2008
研究課題ステータス 完了 (2008年度)
配分額 *注記
3,115千円 (直接経費: 2,710千円、間接経費: 405千円)
2008年度: 1,755千円 (直接経費: 1,350千円、間接経費: 405千円)
2007年度: 1,360千円 (直接経費: 1,360千円)
キーワードMOSFET / 化合物半導体 / InAlAs / InGaAs / InP / ウェット酸化 / 電子デバイス・機器 / 半導体物性 / III-V族半導体 / InAlAs酸化膜
研究概要

InAlAsのウェット酸化を利用したIII-V MOS 界面の研究を行った。XPS 分析、エリプソメトリー、TEM 像解析等により、InAlAs の酸化機構を明らかにし、良好な界面特性を持つInAlAs/InP MOS界面を実現することに成功した。またInP 酸化防止層を配した構造において、InAlAs 層の自然酸化を抑制することで、良好なMOS 界面が再現性良く得られることを明らかにした。これにより既存のSi トランジスタの性能を上回るIII-V トランジスタを実現するための基盤技術を確立した。

報告書

(3件)
  • 2008 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2007 実績報告書
  • 研究成果

    (8件)

すべて 2009 2008

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (3件) 産業財産権 (3件)

  • [雑誌論文] Investigation of InAlAs oxide/InP metal-oxide-semiconductor structures formed bywet thermal oxidation2009

    • 著者名/発表者名
      S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M.Hata, M. Tanaka, M. Takenaka, S. Takagi
    • 雑誌名

      Japanese Journal ofApplied Physics (JJAP) vol.48, No.2

    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [雑誌論文] Investigation of InAlAs oxide/InP metal-oxide-semiconductor structures formed by wet thermal oxidation2009

    • 著者名/発表者名
      S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Tanaka, M. Takenaka. S. Takagi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 48(掲載確定in press)

    • NAID

      210000066604

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] Fabrication of III-V MOS structureby using selective oxidation of InAlAs2009

    • 著者名/発表者名
      S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa,M. Hata, M. Tanaka, M. Takenaka, S.Takagi
    • 学会等名
      International Conference on Solid StateDevices and Materials (SSDM'08)
    • 発表場所
      G-9-4,Tsukuba
    • 年月日
      2009-09-26
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] Fabrication of III-V MOS structure by using selective oxidation of InAlAs2008

    • 著者名/発表者名
      S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Tanaka, M. Takenaka. S. Takagi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      つくば
    • 年月日
      2008-09-26
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] InAlAs選択酸化によるIII-V MOS界面構造の形成2008

    • 著者名/発表者名
      中川翔太, 横山正史, 市川磨, 秦雅彦, 田中雅明, 竹中充, 高木信一
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部
    • 年月日
      2008-03-29
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書 2007 実績報告書
  • [産業財産権] 半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置2008

    • 発明者名
      竹中充、高木信一、秦雅彦、市川磨
    • 権利者名
      国立大学法人東京大学、住友化学株式会社
    • 出願年月日
      2008-03-26
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [産業財産権] 半導体基板, 半導体基板の製造方法および半導体装置2008

    • 発明者名
      竹中充, 高木信一, 秦雅彦, 市川磨
    • 権利者名
      東京大学, 住友化学株式会社
    • 出願年月日
      2008-03-26
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [産業財産権] 半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置2008

    • 発明者名
      竹甲充、高木信一、秦雅彦、市川磨
    • 権利者名
      東京大学、住友化学株式会社
    • 出願年月日
      2008-03-26
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書

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公開日: 2007-04-01   更新日: 2016-04-21  

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