| 研究課題/領域番号 |
19860024
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| 研究種目 |
若手研究(スタートアップ)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
竹中 充 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (20451792)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
3,115千円 (直接経費: 2,710千円、間接経費: 405千円)
2008年度: 1,755千円 (直接経費: 1,350千円、間接経費: 405千円)
2007年度: 1,360千円 (直接経費: 1,360千円)
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| キーワード | MOSFET / 化合物半導体 / InAlAs / InGaAs / InP / ウェット酸化 / 電子デバイス・機器 / 半導体物性 / III-V族半導体 / InAlAs酸化膜 |
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| 研究概要 |
InAlAsのウェット酸化を利用したIII-V MOS 界面の研究を行った。XPS 分析、エリプソメトリー、TEM 像解析等により、InAlAs の酸化機構を明らかにし、良好な界面特性を持つInAlAs/InP MOS界面を実現することに成功した。またInP 酸化防止層を配した構造において、InAlAs 層の自然酸化を抑制することで、良好なMOS 界面が再現性良く得られることを明らかにした。これにより既存のSi トランジスタの性能を上回るIII-V トランジスタを実現するための基盤技術を確立した。
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