| 研究課題/領域番号 |
19860068
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| 研究種目 |
若手研究(スタートアップ)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 早稲田大学 |
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研究代表者 |
岩崎 孝之 早稲田大学, 理工学術院, 助手 (80454031)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
2,653千円 (直接経費: 2,260千円、間接経費: 393千円)
2008年度: 1,703千円 (直接経費: 1,310千円、間接経費: 393千円)
2007年度: 950千円 (直接経費: 950千円)
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| キーワード | カーボンナノチューブ / LSI配線 / イオン注入 / 触媒微粒子 / ナノ材料 / 電気電子材料 / LSI配腺 / 微粒子形成 |
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| 研究概要 |
カーボンナノチューブ配線実現のために重要な金属膜上への触媒形成をイオン注入により行い、その触媒からカーボンナノチューブを合成することに成功した。Niイオンを直接金属膜に注入するとカーボンナノチューブ合成のための触媒機能を失ってしまうが、金属膜上にバッファ層を堆積させることにより活性な触媒微粒子の形成に成功した。さらに、伝導特性向上に必要な低欠陥カーボンナノチューブ合成を無水素雰囲気下での化学気相合成法により実現した。
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