| 研究課題/領域番号 |
19F19066
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| 研究種目 |
特別研究員奨励費
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 外国 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
早川 竜馬 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主任研究員 (90469768)
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| 研究分担者 |
BASU TUHIN 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 外国人特別研究員
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| 研究期間 (年度) |
2019-04-25 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
2020年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
2019年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
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| キーワード | 磁性分子 / 量子ドット / 2重トンネル接合 / 磁気抵抗効果 / 有機ラジカル / トンネル2重接合 / 縦型トランジスタ |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本申請課題ではトンネル2重接合中に磁性分子を集積し、分子スピンによりトンネル電流を制御する技術を確立する。磁性分子を孤立分散した状態でトンネル絶縁膜中に集積することができれば走査トンネル分光法と同様の原理により単分子に起因する量子伝導を観測することができる。また、分子を内包したトンネル2重接合の上下電極に強磁性体を用いることにより、分子軌道、さらには分子スピンによる偏極スピン電流制御を目指す。最終的には、上記トンネル接合をチャネルに用いた分子スピントランジスタへ拡張することを目指す。
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| 研究実績の概要 |
本申請課題では、磁性分子をチャネル層に用いた縦型スピントランジスタを提案した。昨年度、縦型トランジスタのチャネル層に相当する2重トンネル接合に磁性分子として有機ラジカル分子（TEMPO-OPE）を集積する技術を確立した。本年度は2重トンネル接合に集積したTEMPO-OPEに起因するトンネル電流の観測と磁気抵抗効果の評価に取り組んだ。5 Kの低温下ではあるがTEMPO-OPEの分子軌道を反映したトンネル電流を観測した。さらに磁場を印加することで、微分コンダクタンスピークが僅かではあるが高電圧側にシフトする現象を観測した。これは、印加磁場により分子軌道が変調している可能性を示している。また、3 %と変化率は小さいが垂直磁場を印加することで負の磁気抵抗を観測した。これは、分子スピンが磁場方向に揃うことによりスピン散乱が抑制されたためだと考えられる。
また、不対電子スピンが母体分子とπ共役にあるターフェニルラジカル(NN-TP)についても検討した。TEMPO-OPEでは母体分子の軌道と不対電子スピンが非共役にあることから、NN-TPの使用により磁気抵抗比の向上が期待できる。しかしながら、分子量が小さいため昇華温度が低く、トンネル絶縁膜を形成する際に分子が基板表面から再離脱し、絶縁膜に集積することができなかった。今後、置換基の導入により分子量を増加させることで改善を試みる。
一方で分子を内包した縦型トランジスタのキャリア伝導機構を明らかにするためにオーソドックス理論によるシミュレーションを行った。C60分子を用いた場合には分子の帯電エネルギーにより単電子トンネル電流が誘起されていることを見出した（T. Basu and R. Hayakawa et al. ACS Applied Electronic Materials 3, 978 (2021)）。今後、有機ラジカルを用いた系に拡張する。
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| 現在までの達成度 (段落) |
令和2年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
令和2年度が最終年度であるため、記入しない。
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