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希土類元素添加の精密制御による物性・機能性の開拓

研究課題

研究課題/領域番号 19GS1209
研究種目

学術創成研究費

配分区分補助金
研究機関大阪大学

研究代表者

藤原 康文  大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (10181421)

研究分担者 寺井 慶和  大阪大学, 大学院・工学研究科, 講師 (90360049)
西川 敦  大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 (60417095)
市田 秀樹  大阪大学, 先端科学イノベーションセンター, 助教 (50379129)
朝日 一  大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (90192947)
長谷川 繁彦  大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (50189528)
江村 修一  大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (90127192)
周 逸凱  大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (60346179)
太田 仁  神戸大学, 自然科学研究系先端融合研究環分子フォトサイエンス研究センター, 教授 (70194173)
大久保 晋  神戸大学, 自然科学研究系先端融合研究環分子フォトサイエンス研究センター, 助教 (80283901)
研究期間 (年度) 2007 – 2011
研究課題ステータス 完了 (2011年度)
配分額 *注記
526,500千円 (直接経費: 405,000千円、間接経費: 121,500千円)
2011年度: 67,080千円 (直接経費: 51,600千円、間接経費: 15,480千円)
2010年度: 116,090千円 (直接経費: 89,300千円、間接経費: 26,790千円)
2009年度: 116,220千円 (直接経費: 89,400千円、間接経費: 26,820千円)
2008年度: 111,020千円 (直接経費: 85,400千円、間接経費: 25,620千円)
2007年度: 116,090千円 (直接経費: 89,300千円、間接経費: 26,790千円)
キーワード希土類元素 / オプトロニクス / スピントロニクス / スピンエレクトロニクス / 半導体物性 / 先端機能デバイス
研究概要

原子レベルで制御可能な超精密結晶成長技術を用いてIII-V族半導体への希土類元素添加を行い、発現する発光機能や磁気機能について調べた。発光機能に関しては、半導体母体を介した超高速なエネルギー伝達機構を明らかにするとともに、電流注入による新しい窒化物半導体赤色発光デバイスを世界に先駆けて開発した。一方、磁気機能に関しては、キャリア誘起室温強磁性を実証するとともに、光・磁気融合デバイスの実現可能性を明らかにした。

報告書

(7件)
  • 2011 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2010 実績報告書
  • 2009 実績報告書   自己評価報告書 ( PDF )
  • 2008 実績報告書
  • 2007 実績報告書
  • 研究成果

    (230件)

すべて 2012 2011 2010 2009 2008 2007 その他

すべて 雑誌論文 (133件) (うち査読あり 132件) 学会発表 (62件) 図書 (8件) 備考 (20件) 産業財産権 (7件)

  • [雑誌論文] Eu luminescence center created by Mg codoping in Eu-doped GaN2012

    • 著者名/発表者名
      D. Lee, A. Nishikawa, Y. Terai, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 100 号: 17

    • DOI

      10.1063/1.4704920

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書 2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Photoluminescence properties of Sm-doped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition2012

    • 著者名/発表者名
      T.Tsuji
    • 雑誌名

      Journal of Non-Crystalline Solids

      巻: (印刷中)

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Concentration quenching in Eu-doped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition2012

    • 著者名/発表者名
      T.Tsuji
    • 雑誌名

      Journal of Luminescence

      巻: (印刷中)

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of growth conditions on magnetic and structural properties in Gd-doped GaN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      H.Hasegawa
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C

      巻: 9 号: 3-4 ページ: 741-744

    • DOI

      10.1002/pssc.201100403

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Structural, magnetic and optical studies of ultrathin GaGdN/AlGaN multiquantum well structure2012

    • 著者名/発表者名
      M.Almokhtar
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C

      巻: 9 号: 3-4 ページ: 737-740

    • DOI

      10.1002/pssc.201100469

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Rare-earth doped III-nitride semiconductors for semiconductor spintronics2012

    • 著者名/発表者名
      H.Asahi
    • 雑誌名

      Journal of Luminescence

      巻: (印刷中)

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Observation of large Zeeman splitting in GaGdN/AlGaN ferromagnetic semiconductor double quantum well superlattices2012

    • 著者名/発表者名
      Y.K.Zhou
    • 雑誌名

      Solid State Communications

      巻: (印刷中)

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Optical and magnetic properties in epitaxial GdN thin film2011

    • 著者名/発表者名
      H. Yoshitomi, S. Kitayama, T. Kita, O. Wada, M. Fujisawa, H. Ohta, and T. Sakurai
    • 雑誌名

      Physical Reviews B

      巻: 83 号: 15

    • DOI

      10.1103/physrevb.83.155202

    • NAID

      120003037342

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書 2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] ESR study of photoluminescent material GaAs : Er, O-Er concentration effect-2011

    • 著者名/発表者名
      M. Fujisawa, A. Asakura, F. Elmasry, S. Okubo, H. Ohta, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 109 号: 5 ページ: 053910-053910

    • DOI

      10.1063/1.3556453

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書 2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Energy structure of Er-2O center in GaAs : Er, O studied by high magnetic field photoluminescence measurement2011

    • 著者名/発表者名
      H. Katsuno, H. Ohta, O. Portugall, N. S. Ubrig, M. Fujisawa, F. Elmasry, S. Okubo, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Journal of Luminescence

      巻: 131 ページ: 2294-2298

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Excitation of Eu3+ in gallium nitride epitaxial layers : Majority versus trap defect center2011

    • 著者名/発表者名
      N. Woodward, J. Poplawsky, B. Mitchell, A. Nishikawa, Y. Fujiwara, and V. Dierolf
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 98

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Atmospheric pressure growth of Eu-doped GaN by organometallic vapor phase epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      N.Furukawa
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 208 号: 2 ページ: 445-448

    • DOI

      10.1002/pssa.201000598

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Photoluminescence properties of Eu^<3+> ions in Eu-doped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Terai
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C

      巻: 8 号: 2 ページ: 519-521

    • DOI

      10.1002/pssc.201000468

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Fluorescence EXAFS analysis of Eu-doped GaN layers grown by organometallic vapor phase epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      H.Ofuchi
    • 雑誌名

      e-Journal of Surface Science and Nanotechnology

      巻: 9 ページ: 51-53

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Excitation of Eu^<3+> in gallium nitride epitaxial layers : Majority versustrap defect center2011

    • 著者名/発表者名
      N.Woodward
    • 雑誌名

      Applied Physics Letter

      巻: 98 号: 1 ページ: 011102-011102

    • DOI

      10.1063/1.3533806

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Site and sample dependent electron-phonon coupling of Eu ions in epitaxial-grown GaN layers2011

    • 著者名/発表者名
      N.Woodward
    • 雑誌名

      Optical Materials

      巻: 33 号: 7 ページ: 1050-1054

    • DOI

      10.1016/j.optmat.2010.09.029

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Room-temperature red emission from light-emitting diodes with Eu-doped GaN grown by organometallic vapour phase epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      A.Nishikawa
    • 雑誌名

      Optical Materials

      巻: 33 号: 7 ページ: 1071-1074

    • DOI

      10.1016/j.optmat.2010.10.010

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] OMVPE法により作製したEu添加GaNの発光特性及び赤色発光ダイオードへの応用2011

    • 著者名/発表者名
      西川敦
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌

      巻: 38 ページ: 270-273

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] 希土類添加半導体の新展開2011

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 雑誌名

      マテリアルインテグレーション

      巻: 24 ページ: 18-22

    • NAID

      130006977578

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Low-temperature molecular beam epitaxy growth and properties of GaGdN nanorods2011

    • 著者名/発表者名
      H.Tambo
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 323 号: 1 ページ: 323-325

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2010.10.003

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Structural characterization of MBE grown InGaGdN/GaN and InGaN/GaGdN superlattice structures2011

    • 著者名/発表者名
      D.Krishnamurthy
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C

      巻: 8 号: 7-8 ページ: 2245-2247

    • DOI

      10.1002/pssc.201001024

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Growth of Gd-doped InGaN/GaN multiple quantum wells and their characterization2011

    • 著者名/発表者名
      S.Hasegawa
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C

      巻: 8 号: 7-8 ページ: 2047-2049

    • DOI

      10.1002/pssc.201001022

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Large magneto-optical effect in low-temperature-grown GaDyN2011

    • 著者名/発表者名
      Y.K.Zhou
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C

      巻: 8 号: 7-8 ページ: 2173-2175

    • DOI

      10.1002/pssc.201001021

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] GaGdN/AlGaN multiple quantum disks grown by RF-plasma-assisted molecular-beam epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      H.Tambo
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 208 号: 7 ページ: 1576-1578

    • DOI

      10.1002/pssa.201000928

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Photoluminescence from exciton-polarons in GaGdN/AlGaN multiquantum wells2011

    • 著者名/発表者名
      M.Almokhtar
    • 雑誌名

      Journal of Physics : Condensed Matters

      巻: 23 号: 32 ページ: 325802-325802

    • DOI

      10.1088/0953-8984/23/32/325802

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Energy structure of Er-2O center in GaAs:Er,O studied by high magnetic field photoluminescence measurement2011

    • 著者名/発表者名
      H.Katsuno
    • 雑誌名

      Journal of Luminescence

      巻: 131 号: 11 ページ: 2294-2298

    • DOI

      10.1016/j.jlumin.2011.05.034

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ferromagnetic state of GdN thin film studied by ferromagnetic resonance2011

    • 著者名/発表者名
      H.Ohta
    • 雑誌名

      AIP Conference Proceedings

      巻: 1399 ページ: 679-680

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] High-field ESR using SQUID magnetometer2011

    • 著者名/発表者名
      T.Sakurai
    • 雑誌名

      Journal of Physics : Conference Series

      巻: 334 ページ: 012058-012058

    • DOI

      10.1088/1742-6596/334/1/012058

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] First-order-like antiferromagnetic transition in rare-earth palladium bronze SmPd_2S_42011

    • 著者名/発表者名
      E.Matsuoka
    • 雑誌名

      Journal of Physics : Conference Series

      巻: 273 ページ: 012138-012138

    • DOI

      10.1088/1742-6596/273/1/012138

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Lattice site location of optical centres in GaN : Eu LED material grown by organometallic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K. Lorenz, E. Alves, I. S. Roqan, K. P. O' Donnell, A. Nishikawa, Y. Fujiwara, and M. Bockowski
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 97 号: 11

    • DOI

      10.1063/1.3489103

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Improved luminescence properties of Eu-doped GaN light-emitting diodes grown by atmospheric-pressure organometallic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      A. Nishikawa, N. Furukawa, T. Kawasaki, Y. Terai, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 97 号: 5

    • DOI

      10.1063/1.3478011

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] 希土類添加半導体の現状と将来展望2010

    • 著者名/発表者名
      藤原康文、西川敦、寺井慶和
    • 雑誌名

      応用物理

      巻: 79 ページ: 25-31

    • NAID

      10026198784

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Improved Eu luminescence properties in Eu-doped GaN grown on GaN substrates by organometallic vapour phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      H.Kasai
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 49

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Rare-earth-doped semiconductor-based light-emitting diodes operating at room temperature2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Fujiwara
    • 雑誌名

      e-Journal of Light Emitting Diode

      巻: 2

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electroluminescence properties of Eu-doped GaN-based red light-emitting diode by OMVPE2010

    • 著者名/発表者名
      A.Nishikawa
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 207 ページ: 1397-1399

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of growth temperature on Eu-doped GaN layers grown by organometallic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kawasaki
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C

      巻: 7 ページ: 2040-2042

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Improved luminescence properties of Eu-doped GaN light-emitting diodes grown by atmospheric-pressure organometallic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      A.Nishikawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 97

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Lattice site location of optical centres in GaN : Eu LED material grown by organometallic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K.Lorenz
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 97

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Growth temperature dependence of Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      A.Nishikawa
    • 雑誌名

      Journal of The Society of Materials Science Japan

      巻: 59 ページ: 671-674

    • NAID

      130000335797

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Photoluminescence properties of Eu-doped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Terai
    • 雑誌名

      Journal of The Society of Materials Science Japan

      巻: 59 ページ: 690-693

    • NAID

      130000335801

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Photoluminescence properties of Er-doped β-FeSi_2 grown by ion beam synthesis methods2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Terai
    • 雑誌名

      Physica E

      巻: 42 ページ: 2846-2848

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Photoluminescence properties of Eu-doped ZnO films grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Terai
    • 雑誌名

      Physica E

      巻: 42 ページ: 2834-2836

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] GaNを利用した赤色発光ダイオード2010

    • 著者名/発表者名
      西川敦
    • 雑誌名

      光アライアンス

      巻: 21 ページ: 7-9

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Eu添加GaN赤色発光ダイオードの有機金属気相エピタキシャル成長と発光特性2010

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 雑誌名

      生産と技術

      巻: 62 ページ: 1-4

    • NAID

      40017345424

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Annealing effect in GaDyN on optical and magnetic properties2010

    • 著者名/発表者名
      Y.K Zhou
    • 雑誌名

      Journal of Superconductivity and Novel Magnetism

      巻: 23 ページ: 103-105

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  • [雑誌論文] Structural and magnetic properties of GaGdN/GaN superlattice structures2010

    • 著者名/発表者名
      Y.K Zhou
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 518 ページ: 5659-5661

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  • [雑誌論文] Characterization of InGaGdN layers prepared by molecular beam epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      S.N.M.Tawil
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.Rap.Res.Lett.

      巻: 4 ページ: 308-310

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  • [雑誌論文] Magnetic properties of GaGdN studied by SQUID and SX-MCD2010

    • 著者名/発表者名
      M.Takahashi
    • 雑誌名

      Journal of Superconductivity and Novel Magnetism

      巻: 23 ページ: 107-109

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    • 著者名/発表者名
      S.N.M.Tawil
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C

      巻: 8 ページ: 491-493

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    • 著者名/発表者名
      D.Krishnamurthy
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C

      巻: 8 ページ: 497-499

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    • 著者名/発表者名
      H.Tambo
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C

      巻: 8 ページ: 494-496

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    • 著者名/発表者名
      H.Ohta
    • 雑誌名

      Journal of Low Temperature Physics

      巻: 159 ページ: 203-207

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    • 著者名/発表者名
      M.Fujisawa
    • 雑誌名

      Journal of Physics : Conference Series

      巻: 200

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  • [雑誌論文] 希土類添加半導体の現状と将来展望2010

    • 著者名/発表者名
      藤原康文, 西川敦, 寺井慶和
    • 雑誌名

      応用物理 79

      ページ: 25-31

    • NAID

      10026198784

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    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 雑誌名

      応用物理 79

      ページ: 25-31

    • NAID

      10026198784

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    • 著者名/発表者名
      H.Kasai
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      Japanese Journal of Applied Physics 49

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    • 著者名/発表者名
      西川敦
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(a) (印刷中)

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      T.Kawasaki
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    • 著者名/発表者名
      寺井慶和
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    • 著者名/発表者名
      西川敦
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      材料 (印刷中)

    • NAID

      130000335797

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    • 著者名/発表者名
      寺井慶和
    • 雑誌名

      材料 (印刷中)

    • NAID

      130000335801

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    • 著者名/発表者名
      Y.K.Zhou
    • 雑誌名

      Journal of Superconductivity and Novel Magnetism 23

      ページ: 103-105

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    • 著者名/発表者名
      S.Emura
    • 雑誌名

      AIP Conference Proceedings Series 1199

      ページ: 417-418

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    • 著者名/発表者名
      Y.K.Zhou
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    • 著者名/発表者名
      M.Takahashi
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    • 著者名/発表者名
      H.Ohta
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      Physica Status Solidi B 247

      ページ: 679-681

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    • 著者名/発表者名
      H.Ohta
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      Journal of Low Temperature Physics 159

      ページ: 203-207

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    • 著者名/発表者名
      H.Ohta
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      Journal of Low Temperature Physics 159

      ページ: 302-306

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    • 著者名/発表者名
      A. Nishikawa, T. Kawasaki, N. Furukawa, Y. Terai, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 2 ページ: 071004-071004

    • DOI

      10.1143/apex.2.071004

    • NAID

      10025087007

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      A. Nishikawa, T. Kawasaki, N. Furukawa, Y. Terai, Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Exp. 2

    • NAID

      10025087007

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    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 雑誌名

      Materials Research Society Symposium Proceedings, Rare-Earth Doping ofAdvanced Materials for Photonic Applications 1111

      ページ: 143-148

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    • 著者名/発表者名
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      Journal of Physics : Conference Series 165

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    • 著者名/発表者名
      寺井慶和
    • 雑誌名

      Optical Materials 31

      ページ: 1323-1326

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    • 著者名/発表者名
      西川敦
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2

    • NAID

      10025087007

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    • 著者名/発表者名
      寺井慶和
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science and Technology 27

      ページ: 2248-2251

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    • 著者名/発表者名
      Y Ota
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      H.Kasai
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      K.Yamaoka
    • 雑誌名

      Journal of Physics : Conference Series 165

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      西川敦
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    • 著者名/発表者名
      S.Kimura
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      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2046-2048

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    • 著者名/発表者名
      H.Tambo
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2962-2965

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      ページ: 1069-1072

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      H.Ohta
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    • 著者名/発表者名
      OTA Y.
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      OHTA H.
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      ZHOU Y. K.
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    • 著者名/発表者名
      TERAI Y.
    • 雑誌名

      Optical Materials (印刷中)

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      FUJIWARA Y.
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      FUJIWARA Y.
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      YAMAOKA K.
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    • 著者名/発表者名
      KASAI H.
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      ZHOU Y. K.
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      KIMURA S.
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    • 著者名/発表者名
      Y. Terai, K. Hidaka, K. Fujii, S. Takemoto, M. Tonouchi, and Y. Fujiwara
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 93 号: 23

    • DOI

      10.1063/1.3046784

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    • 著者名/発表者名
      Y. K. Zhou, S. W. Choi, S. Emura, S. Hasegawa, and H. Asahi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 92 号: 6

    • DOI

      10.1063/1.2841657

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    • 著者名/発表者名
      K. Shimada, Y. Terai, S. Takemoto, K. Hidaka, Y. Fujiwara, M. Suzuki, and M. Tonouchi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 92 号: 11

    • DOI

      10.1063/1.2901025

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      Y. K. Zhou, S. W. Choi, S. Emura, S. Hasegawa, H. Asahi
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    • 著者名/発表者名
      SHIMADA K.
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    • 著者名/発表者名
      TERAI Y.
    • 雑誌名

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    • 著者名/発表者名
      FUJII K.
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 5

      ページ: 2716-2718

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    • 雑誌名

      薄膜ハンドブック(オーム社)

      ページ: 10-14

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    • 著者名/発表者名
      SHIMADA K.
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 5

      ページ: 2861-2863

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Nonradiative processes at low temperature in Er, O-codoped GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      FUJITA A.
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 5

      ページ: 2864-2866

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Organometallic vapor phase epitaxy of Er, O-codoped GaAs using trisdipivaloylmethanatoerbium2008

    • 著者名/発表者名
      TERAI Y.
    • 雑誌名

      Journal of Physics: Conference Series 106

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] 希土類添加GaAs結晶の原子レベル制御成長と新規発光デバイスへの応用2008

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 雑誌名

      オプトロニクス 27

      ページ: 157-163

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electron spin resonance studies of P and B codoped Si nanocrystals2008

    • 著者名/発表者名
      FUJIO K.
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 93

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Low temperature molecular-beam epitaxy growth of cubic GaCrN2008

    • 著者名/発表者名
      KIMURA S.
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310

      ページ: 40-46

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Large magnetization in high Gd concentration GaGdN and Si-doped Ga GdN grown at low temperatures2008

    • 著者名/発表者名
      ZHOU Y. K.
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 92

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Growth and characterization of InCrN and (In, Ga, Cr)N2008

    • 著者名/発表者名
      KIMURA S.
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 5

      ページ: 1532-1535

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electronic structure of Gal-xCrxN and Si-doping effects studied by photoem ission and X-ray absorption spectroscopy2008

    • 著者名/発表者名
      SONG G. S.
    • 雑誌名

      Physical Review B 78

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] 半導体ヘテロエピタキシーの現状と展望2008

    • 著者名/発表者名
      朝日一
    • 雑誌名

      応用物理 77

      ページ: 489-499

    • NAID

      10024191635

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Mechanism of excitation and relaxation in Er,O-codoped GaAs for 1.5μm light-emitting devices with extremely stable wavelength2008

    • 著者名/発表者名
      Y. FUJIWARA
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(a) 205

      ページ: 64-67

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Low temperature molecular-beam epitaxy growth of cubic GaCrN2008

    • 著者名/発表者名
      S. KIMURA
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310

      ページ: 40-46

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Large magnetization in high Gd concentration GaGdN and Si-doped GaGdN grown at low temperatures2008

    • 著者名/発表者名
      Y. K. ZHOU
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 92

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electroluminescence properties of GaInP/GaAs:Er, O/GaInP double heterostructurelight-emitting diodes at low temperature2008

    • 著者名/発表者名
      Y. TERMI
    • 雑誌名

      Optical Materials (印刷中)

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Organometallic vapor phase epitaxy of Er, O-codoped GaAs using trisdipivaloylmethanatoerbium2008

    • 著者名/発表者名
      Y. TERAI
    • 雑誌名

      Journal of Physics: Conference Series (印刷中)

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ultrafast photoexcited carrier dynamics in GaAs: Er, O by pump and probe transmission spectroscopy2008

    • 著者名/発表者名
      K. SHIMADA
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) (印刷中)

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Nonradiative processes at low temperature in Er, O-codoped GaAs grown by oreanometallic vapor phase epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      A. FUJITA
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) (印刷中)

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] GaAs emission from GaInP/Er, O-codoped GaAs/GaInP laser diodes grown by organometallic vapor Phase epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      K. FUJII
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) (印刷中)

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Growth and characterization of InCrN and (In, Ga, Cr) N2008

    • 著者名/発表者名
      S. KIMURA
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) (印刷中)

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] High Gd concentration GaGdN grown at low temperatures2008

    • 著者名/発表者名
      Y. K. ZHOU
    • 雑誌名

      Journal of Superconductivity and Novel Magnetism (印刷中)

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Terahertz radiation from Er, O-codoped GaAs surface grown by organometallic vapour phase epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      K. SHIMADA
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters (印刷中)

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ultrafast carrier-trapping in Er-doped and Er, O-codoped GaAs revealed by pump and probe technique2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, S. Takemoto, K. Nakamura, K. Shimada, M. Suzuki, K. Hidaka, Y. Terai, and M. Tonouchi
    • 雑誌名

      Physica B

      巻: 401-402 ページ: 234-237

    • DOI

      10.1016/j.physb.2007.08.155

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Direct observation of picosecond-scale energy-transfer processes in Er, O-codoped GaAs by pump-probe reflection technique2007

    • 著者名/発表者名
      Y. FUJIWARA
    • 雑誌名

      Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings 893

      ページ: 245-246

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] TEGa, TBAsを用いた有機金属気相エピタキシャル法による低温GaAsの作製2007

    • 著者名/発表者名
      日高圭二
    • 雑誌名

      材料 56

      ページ: 880-885

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ultrafast carrier-trapping in Er-doped and Er, O-codoped GaAs revealed by pump and probe technique2007

    • 著者名/発表者名
      Y. FUJIWARA
    • 雑誌名

      Physica B 401-402

      ページ: 234-237

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Growth and Characterization of Ferromagnetic Cubic GaCrN: Structural and magnetic properties2007

    • 著者名/発表者名
      S. KIMURA
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 301-302

      ページ: 651-655

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Molecular-beam epitaxy growth and characterization of ferromagnetic cubic GaCrN on GaAs substrate2007

    • 著者名/発表者名
      S. KOBAYASHI
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 308

      ページ: 58-62

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Cr atom alignment in Cr-delta-doped GaN2007

    • 著者名/発表者名
      S. KIMURA
    • 雑誌名

      AIP Conference Proceedings 882

      ページ: 410-412

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] 希土類添加半導体への誘い2012

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      尼崎市産学公ネットワーク協議会産学交流研究シース発表会
    • 発表場所
      尼崎市中小企業センター(大阪府尼崎市)(招待講演)
    • 年月日
      2012-03-05
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Eu添加GaNを用いた赤色LEDの現状と将来展望2012

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      日本学術振興会光電相互変換第125委員会EL分科会第40回研究会
    • 発表場所
      金沢工業大学東京虎ノ門キャンパス(東京都港区)(招待講演)
    • 年月日
      2012-02-17
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Recent Progress in Red LEDs with Eu-doped GaN2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, A. Nishikawa, and Y. Terai
    • 学会等名
      Optical Society of America Topical Meeting on Advances in Optical Materials(AIOM), ITh5B. 4
    • 発表場所
      San Diego, USA
    • 年月日
      2012-02-02
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Recent Progress in Red LEDs with Eu-doped GaN2012

    • 著者名/発表者名
      Y.Fujiwara
    • 学会等名
      Optical Society of America Topical Meeting on Advances in Optical Materials (AIOM)
    • 発表場所
      San Diego, USA(招待講演)
    • 年月日
      2012-02-02
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Recent Progress in Red Light-Emitting Diodes with Eu-Doped GaN2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Fujiwara
    • 学会等名
      18th International Display Workshops 2011 (IDW2011)
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(名古屋市熱田区)(招待講演)
    • 年月日
      2011-12-08
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Current status of red light-emitting diodes with Eu-doped GaN2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Fujiwara
    • 学会等名
      Special Seminar (hosted by Prof.S.Nakamura), University of California
    • 発表場所
      University of California at Santa Barbara, USA(招待講演)
    • 年月日
      2011-10-13
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 希土類添加半導体を用いた発光デバイスの新展開2011

    • 著者名/発表者名
      寺井慶和
    • 学会等名
      日本金属学会分科会シンポジウム「環境・医療・IT調和型デバイス、及び材料の最前線」
    • 発表場所
      科学技術館(東京都千代田区)(招待講演)
    • 年月日
      2011-09-22
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Growth and characterization of GaN-based dilute magnetic semiconductors2011

    • 著者名/発表者名
      S.Hasegawa
    • 学会等名
      Asia-Pacific Workshop on Materials Characterization
    • 発表場所
      Chennai, India(招待講演)
    • 年月日
      2011-09-22
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Rare-earth doped III-nitride semiconductors for semiconductor spintronics2011

    • 著者名/発表者名
      H. Asahi, S. Hasegawa, Y. K. Zhou, and S. Emura
    • 学会等名
      2011 European Materials Research Society Fall Meeting(E-MRS2011_Fall), IX3
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • 年月日
      2011-09-19
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Rare-earth doped III-nitride semiconductors for semiconductor spintronics2011

    • 著者名/発表者名
      H.Asahi
    • 学会等名
      European Materials Research Society Fall 2011 Meeting
    • 発表場所
      Warsaw, Poland(招待講演)
    • 年月日
      2011-09-19
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 希土類添加半導体の新展開2011

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      日本セラミックス協会第24回秋季シンポジウム「複合アニオン化合物の創製と機能」
    • 発表場所
      北海道大学札幌キャンパス(札幌市)(招待講演)
    • 年月日
      2011-09-08
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] OMVPE法により作製したEu添加GaNの発光特性及び赤色発光ダイオードへの応用2011

    • 著者名/発表者名
      西川敦
    • 学会等名
      第3回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体の応用・評価および結晶成長基礎」
    • 発表場所
      九州大学筑紫キャンパス(福岡県春日市)(招待講演)
    • 年月日
      2011-06-17
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Luminescence properties of Eu-doped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Terai
    • 学会等名
      2011 Materials Research Society Spring Meeting
    • 発表場所
      Moscone, San Francisco, USA(招待講演)
    • 年月日
      2011-04-28
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Growth and characterization of GaN-based dilute magnetic semicondcutors and their nanostructures2011

    • 著者名/発表者名
      S. Hasegawa, Y. K. Zhou, S. Emura, and H. Asahi
    • 学会等名
      2011 Villa Conference on Interactions Among Nanostructures, Red Rock Red Rock Casino, Resort and Spa, Las Vegas
    • 発表場所
      Nevada, USA
    • 年月日
      2011-04-21
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Growth and characterization of GaN-based dilute magnetic semicondcutors and their nanostructures2011

    • 著者名/発表者名
      S.Hasegawa
    • 学会等名
      2011 Villa Conference on Interactions Among Nanostructures
    • 発表場所
      Red Rock Casino, Resort and Spa, Las Vegas, Nevada, USA(招待講演)
    • 年月日
      2011-04-21
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 希土類添加半導体に発現する協働的な発光機能制御2011

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会シンポジウム「不純物機能活性型材料の機能制御とデバイス応用:機能核モデル」
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス(東京都新宿区)(招待講演)
    • 年月日
      2011-03-15
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 希土類添加半導体への挑戦~次世代光源の創製にむけて~2011

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      静岡大学重点分野「極限画像科学」シンポジウム
    • 発表場所
      静岡大学電子工学研究所(浜松市)(招待講演)
    • 年月日
      2011-03-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] EuドープGaN赤色発光素子とレーザーへの展望2011

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      第7回レーザーディスプレイ技術研究会
    • 発表場所
      東京大学生産技術研究所(コンベンションホール)(東京都目黒区)(招待講演)
    • 年月日
      2011-03-03
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 革新的フルカラーLEDディスプレイ/次世代照明用技術2011

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      産学官連携推進大会2011in北大阪
    • 発表場所
      大阪国際会議場(大阪市)(招待講演)
    • 年月日
      2011-02-22
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 希土類添加半導体の不思議に挑む~次世代光源の創成にむけて~2011

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      第10回先進技術とビジネス研究会
    • 発表場所
      学校法人武庫川学院(甲子園会館)(西宮市)(招待講演)
    • 年月日
      2011-01-13
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Room-temperature operation of red light-emitting diodes with europium-doped gallium nitride grown by organometallic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      第335回蛍光体同学会講演会
    • 発表場所
      明治大学駿河台キャンパス(東京都千代田区)(招待講演)
    • 年月日
      2010-12-04
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Growth and characterization of transition-metal and rare-earth doped III-nitride semiconductors for spintronics2010

    • 著者名/発表者名
      H.Asahi
    • 学会等名
      2010 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, USA(招待講演)
    • 年月日
      2010-11-30
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加GaNの作製と赤色発光ダイオードへの応用2010

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      真空・表面科学合同講演会(第30回表面科学学術講演会・第51回真空に関する連合講演会)
    • 発表場所
      大阪大学コンベンションセンター(吹田市)(招待講演)
    • 年月日
      2010-11-04
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] ボトムアップ型機能制御による波長超安定LEDの作製2010

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      大阪大学ナノ理工学人材育成産学コンソーシアム2010ナノ理工学セミナー「グリーンナノテクノロジー~創・省エネ材料、省エネ電子デバイス~
    • 発表場所
      大阪大学豊中キャンパス(豊中市)(招待講演)
    • 年月日
      2010-11-04
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 希土類添加半導体における希土類イオン励起へのエネルギー伝達2010

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      励起ナノプロセス研究会第6回研究会
    • 発表場所
      ビッグ・アイ(国際障害者交流センター)(堺市)(招待講演)
    • 年月日
      2010-11-02
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 次世代光源にむけた材料開発2010

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      第1回大阪グリーンナノフォーラム
    • 発表場所
      大阪市国際交流センター(大阪市)(招待講演)
    • 年月日
      2010-10-29
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Red light-emitting diodes with Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, A. Nishikawa, and Y. Terai
    • 学会等名
      15th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence & 2010 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting & XVIII Advanced Display Technologies International Symposium, St
    • 発表場所
      Petersburg, Russia
    • 年月日
      2010-10-01
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Room-temperature operation of red light-emitting diodes with europium-doped gallium nitride grown by organometallic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Fujiwara
    • 学会等名
      15th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence & 2010 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting & XVIII Advanced Display Technologies International Symposium
    • 発表場所
      St.Petersburg, Russia(招待講演)
    • 年月日
      2010-10-01
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 希土類添加半導体発光デバイス2010

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会、シンポジウム「不純物機能活性型半導体の物性制御とデバイス応用」
    • 発表場所
      長崎大学(長崎市)(招待講演)
    • 年月日
      2010-09-15
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] New development in rare-earth-doped semiconductors : room-temperature operation of light-emitting diodes exhibiting rare-earth emission under current injection2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Fujiwara
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺(伊豆市)(招待講演)
    • 年月日
      2010-07-15
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Organometallic vapor phase epitaxial growth of Eu-doped GaN and its application to red light-emitting diodes operating at room temperature2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, A. Nishikawa, and Y. Terai
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN3), WE4-2
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • 年月日
      2010-07-07
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Organometallic vapor phase epitaxial growth of Eu-doped GaN and its application to red light-emitting diodes operating at room temperature2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Fujiwara
    • 学会等名
      Third International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN3)
    • 発表場所
      Montpellier, France(招待講演)
    • 年月日
      2010-07-07
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Room-temperature red emission from light emitting-diodes with Eu-doped GaN grown by organometallic vapour phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      A.Nishikawa
    • 学会等名
      2010 European Materials Research Society Spring Meeting (E-MRS2010)
    • 発表場所
      Strasbourg, France(招待講演)
    • 年月日
      2010-06-07
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Atmospheric-pressure growth of Eu-doped GaN by organometallic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      N.Furukawa
    • 学会等名
      37th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      高松シンボルタワー(高松市)(招待講演)
    • 年月日
      2010-06-04
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Recent progress in rare-earth-doped semiconductors2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Fujiwara
    • 学会等名
      2010 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH)
    • 発表場所
      Portland, USA(招待講演)
    • 年月日
      2010-05-20
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Rare-earth-doped semiconductor-based light-emitting diodes operating at room temperature2010

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      4th International Conference on LED and Solid State Lighting(LED2010)
    • 発表場所
      COEX(ソウル市・韓国)
    • 年月日
      2010-02-03
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 室温発光強磁性の希土類添加窒化物半導体の創製とスピントロニクス2010

    • 著者名/発表者名
      朝日一
    • 学会等名
      応用物理学会関西支部セミナー「光物性とその光機能」
    • 発表場所
      大阪府立大学(大阪市)
    • 年月日
      2010-01-09
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 有機金属気相成長法によるEu添加GaNの作製とLEDデバイス応用2010

    • 著者名/発表者名
      西川敦
    • 学会等名
      応用物理学会関西支部セミナー「光物性とその光機能」
    • 発表場所
      大阪府立大学(大阪市)
    • 年月日
      2010-01-09
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] スパッタリング併用MOCVD法によるEu添加ZnOの作製と赤色発光特性2010

    • 著者名/発表者名
      寺井慶和
    • 学会等名
      応用物理学会関西支部セミナー「光物性とその光機能」
    • 発表場所
      大阪府立大学(大阪市)
    • 年月日
      2010-01-09
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Rare-earth-doped semiconductor-based light-emitting diodes operating at room temperature2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Fuiiwara, A. Nishikawa, Y. Terai
    • 学会等名
      4th International Conference on LED and Solid State Lighting (LED2010)
    • 発表場所
      Seoul, Korea
    • 関連する報告書
      2009 自己評価報告書
  • [学会発表] Eu添加GaNの有機金属気相エピタキシャル成長と赤色発光ダイオードへの応用2009

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      日本学術振興会光電相互変換第125委員会/ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会合同研究会
    • 発表場所
      ホテルニューアカオ(熱海市)
    • 年月日
      2009-12-21
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 希土類添加半導体の新展開~電気を流して希土類元素を光らせる~2009

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      第3回光エレクトロニクスフォーラム
    • 発表場所
      電子会館(大阪市)
    • 年月日
      2009-11-18
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 有機金属気相エピタキシャル法によるユウロピウム添加GaN赤色発光ダイオードの室温電流注入発光2009

    • 著者名/発表者名
      西川敦
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      名古屋大学(名古屋市)
    • 年月日
      2009-11-13
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Growth and characterization of GaN-based room-temperature ferromagnetic semiconductors for semiconductor spintronics2009

    • 著者名/発表者名
      朝日一
    • 学会等名
      11th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium
    • 発表場所
      静岡大学(浜松市)
    • 年月日
      2009-11-12
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 1.5μm Er-2O electroluminescence in laser diodes with Er,O-codoped GaAs2009

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      3rd Workshop of Impurity Based Electroluminescent Devices and Materials
    • 発表場所
      ゴールデンホテル(トサ市・スペイン)
    • 年月日
      2009-10-01
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加GaNの作製と発光特性2009

    • 著者名/発表者名
      西川敦
    • 学会等名
      第70回応用物理学関係連合講演会多元系機能材料研究会・結晶工学分科会合同企画シンポジウム
    • 発表場所
      富山大学(富山市)
    • 年月日
      2009-09-10
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 希土類添加半導体の新展開:秩序制御と高次量子機能の発現2009

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      科学技術による地域活性化戦略」ワークショップ【招待講演】
    • 発表場所
      兵庫県民会館(神戸市)
    • 年月日
      2009-02-21
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Ferromagnetism and luminescence of diluted magnetic semiconductors GaGdN and AlGdN2008

    • 著者名/発表者名
      EMURA S.
    • 学会等名
      2008 Materials Research Society Fall Meeting【招待講演】
    • 発表場所
      ボストン(米国)
    • 年月日
      2008-12-03
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Electron spin resonance study on Er, O-codoped GaAs2008

    • 著者名/発表者名
      H. Ohta, M. Fujisawa, M. Yoshida, and Y. Fujiwara
    • 学会等名
      2008 Materials Research Society Fall Meeting(MRS2008_Fall), D1. 1
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2008-12-01
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Electron spin resonance study on Er, O-codoped GaAs2008

    • 著者名/発表者名
      OHTA H.
    • 学会等名
      2008 Materials Research Society Fall Meeting【招待講演】
    • 発表場所
      ボストン(米国)
    • 年月日
      2008-12-01
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Growth and characterization of transition-metal and rare-earth doped III-nitride based magnetic semiconductors for nano-spintronics2008

    • 著者名/発表者名
      ASAHI H.
    • 学会等名
      4th Handai Nanoscinece and Nanotechnology International Symposium【招待講演】
    • 発表場所
      大阪大学(吹田市)
    • 年月日
      2008-10-01
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Injection-type 1. 5. m light-emitting diodes with Er, O-codoped GaAs exhibiting extremely temperature-stable emission wavelength2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara
    • 学会等名
      3rd International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications
    • 発表場所
      Edmonton, Canada
    • 年月日
      2008-07-23
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Injection-type 1. 5μm light-emitting diodes with Er, O-codoped GaAs exhibiting extremely temperature-stable emission wavelength2008

    • 著者名/発表者名
      FUJIWARA Y.
    • 学会等名
      3rd Int. Conf. on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications【招待講演】
    • 発表場所
      エドモントン(加国)
    • 年月日
      2008-07-23
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Quantum properties revealed by precise control of atomic configuration in rare-earth doped semiconductors2008

    • 著者名/発表者名
      FUJIWARA Y.
    • 学会等名
      MRS International Materials Research Conference【招待講演】
    • 発表場所
      重慶(中国)
    • 年月日
      2008-06-11
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] 希土類添加半導体の新展開:秩序制御と量子機能能2008

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 学会等名
      第2回東京理科大学ポリスケールテクノロジーワークショップ
    • 発表場所
      東京理科大学(野田市)
    • 年月日
      2008-03-07
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Electron spin resonance study on Er, O-codoped GaAs2008

    • 著者名/発表者名
      H. Ohta, M. Fujisawa, M. Yoshida, Y. Fujiwara
    • 学会等名
      2008 Materials Research Society Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 関連する報告書
      2009 自己評価報告書
  • [学会発表] New development in rare-earth doped semiconductors: quantum properties revealed by control of atomic configuration2007

    • 著者名/発表者名
      Y. FUJIWARA
    • 学会等名
      第12回「半導体スピン工学の基礎と応用」研究会【招待講演】
    • 発表場所
      大阪大学(吹田市)
    • 年月日
      2007-12-21
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Ultrafast carrier-trapping in Er-doped and Er, O-codoped GaAs revealed by pump and probe transmission technique2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujiwara, S. Takemoto, M. Suzuki, K. Shimada, K. Hidaka, Y. Terai, and M. Tonouchi
    • 学会等名
      24th International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS24), TO4-4
    • 発表場所
      Albuquerque, USA
    • 年月日
      2007-07-24
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Ultrafast carrier-trapping in Er-doped and Er, O-codoped GaAs revealed by pump and probe transmission technique2007

    • 著者名/発表者名
      Y. FUJIWARA
    • 学会等名
      24th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS24)【招待講演】
    • 発表場所
      アルバカーキー(米国)
    • 年月日
      2007-07-24
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Injection-type light-emitting devices fabricated by atomically controlled doping of Er to GaAs2007

    • 著者名/発表者名
      Y. FUJIWARA
    • 学会等名
      2nd Workshop on Photoluminescence in Rare Earths: Photonic Materials and Devices (PRE'07)【招待講演】
    • 発表場所
      トレント(伊国)
    • 年月日
      2007-06-01
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] MBE growth and characterization of rare-earth doped nitride semiconductors for spintronics2007

    • 著者名/発表者名
      H. ASAHI
    • 学会等名
      2007 European Materials Research Society Spring Meeting (E-MRS2007) 【招待講演】
    • 発表場所
      ストラスブール(仏国)
    • 年月日
      2007-05-31
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] New approach to Er, O-codoped GaAs based light-emitting devices with extremely stable wavelength2007

    • 著者名/発表者名
      Y. FUJIWARA
    • 学会等名
      2007 European Materials Research Society Spring Meeting (E-MRS2007) 【招待講演】
    • 発表場所
      ストラスブール(仏国)
    • 年月日
      2007-05-29
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [図書] Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.1342, Rare-Earth Doping of Advanced Materials for Photonic Applications2012

    • 著者名/発表者名
      V. Dierolf, Y. Fujiwara, T. Gregorkiewicz, and W. M. Jadwisienczak
    • 総ページ数
      119
    • 出版者
      (Cambridge University Press, New York
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [図書] Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.1342, Rare-Earth Doping of Advanced Materials for Photonic Applications2012

    • 著者名/発表者名
      V.Dierolf
    • 総ページ数
      119
    • 出版者
      Cambridge University Press
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [図書] 光技術動向調査報告書2011

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 出版者
      光産業技術振興協会
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [図書] レアアースの最新技術動向と資源戦略2011

    • 著者名/発表者名
      藤原康文
    • 出版者
      シーエムシー出版
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [図書] Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.1111, Rare-Earth Doping of Advanced Materials for Photonic Applications2009

    • 著者名/発表者名
      V. Dierolf, Y. Fujiwara, U. Hommerich, P. Ruterana, and J. M. Zavada
    • 総ページ数
      297
    • 出版者
      Materials Research Society, Pennsylvania
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [図書] Rare-Earth Doping of Advanced Materials for Photonic Applications(Materials Research Society Symposium Proceedings)2009

    • 著者名/発表者名
      V. Dierolf, Y. Fujiwara, U. Hommerich, P. Ruterana, J. M. Zavada
    • 出版者
      Materials Research Society
    • 関連する報告書
      2009 自己評価報告書
  • [図書] Materials Research Society Symposium Proceedings, Rare-Earth Doping ofAdvanced Materials for Photonic Applications2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Fujiwara
    • 総ページ数
      297
    • 出版者
      Materials Research Society
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [図書] Journal of Physics : Conference Series2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Fujiwara
    • 総ページ数
      364
    • 出版者
      Institute of Physics Publishing
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [備考] 藤原康文:平成23年国立大学法人大阪大学功績賞(研究部門)(大阪大学)、2011年8月1日受賞

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [備考] 朝日一:平成23年国立大学法人大阪大学功績賞(研究部門)(大阪大学)、2011年8月1日受賞

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [備考] 西川敦、川崎隆司、古川直樹、寺井慶和、藤原康文:第32回応用物理学会優秀論文賞(応用物理学会)、2010年9月14日受賞

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [備考] H. Asahi : IPRM Award(IEEE Photonics Society)、2010年6月1日受賞

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [備考] 藤原康文:平成21年度国立大学法人大阪大学教育・研究功績賞(大阪大学)、2010年2月16日受賞

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [備考] H. Ohta : 2008 International EPR Society Silver Medal for Instrumentation(International EPR Society)、2008年7月16日受賞

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [備考] 「光るレアアース赤色LED見えた」、読売新聞朝刊(科学欄)、2011年10月24日新聞報道

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [備考] 「世界で初、新型赤色LED」、朝日小学生新聞、2009年7月4日新聞報道

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [備考] 「毒性ない赤色LED阪大作製、世界で初成功」、毎日新聞、2009年7月1日新聞報道

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [備考] 「世界初赤色LED成功阪大教授ら窒化ガリウムから」、読売新聞、2009年7月1日新聞報道

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [備考] 「赤色LED青・緑と同材料で試作阪大チーム既存の技術利用」、日経産業新聞、2009年7月1日新聞報道

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [備考] 「阪大、赤色LED作製3ボルトの電圧で発光窒化物半導体を使用」、日刊工業新聞、2009年7月1日新聞報道

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.mat.eng.osaka-u.ac.jp/mse6/gakujyutsu.html

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.mat.eng.osaka-u.ac.jp/mse6/

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.mat.eng.osaka-u.ac.jp/mse6/

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.mat.eng.osaka-u.ac.jp/mse6/gakujyutsu.html

    • 関連する報告書
      2009 自己評価報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.mat.eng.osaka-u.ac.jp/mse6/index.html

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.mat.eng.osaka-u.ac.jp/mse6/gakujutsu.html

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.mat.eng.osaka-u.ac.jp/mse6/MSE6-HomeJ.htm

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.mat.eng.Osaka-u.ac.jp/mse6/MSE6-HomeJ.htm

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [産業財産権] 赤色発光半導体素子とその製造方法2011

    • 発明者名
      藤原康文、西川敦、寺井慶和
    • 権利者名
      大阪大学
    • 産業財産権番号
      2011-268143
    • 出願年月日
      2011-12-07
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [産業財産権] 赤色発光半導体素子とその製造方法2011

    • 発明者名
      藤原康文、西川敦、寺井慶和
    • 権利者名
      大阪大学
    • 産業財産権番号
      2011-268141
    • 出願年月日
      2011-12-07
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [産業財産権] 赤色発光半導体素子とその製造方法2011

    • 発明者名
      藤原康文
    • 権利者名
      大阪大学
    • 産業財産権番号
      2011-268141
    • 出願年月日
      2011-12-07
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [産業財産権] 赤色発光半導体素子とその製造方法2011

    • 発明者名
      藤原康文
    • 権利者名
      大阪大学
    • 産業財産権番号
      2011-268143
    • 出願年月日
      2011-12-07
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [産業財産権] 赤色発光素子および赤色発光素子の製造方法2009

    • 発明者名
      西川敦、藤原康文、寺井慶和、川崎隆志、古川直樹
    • 権利者名
      大阪大学
    • 産業財産権番号
      2009-112535
    • 出願年月日
      2009-05-07
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [産業財産権] 赤色発光素子および赤色発光素子の製造方法2009

    • 発明者名
      西川敦, 藤原康文, 寺井慶和, 川崎隆志, 古川直樹
    • 権利者名
      大阪大学
    • 産業財産権番号
      2009-112535
    • 出願年月日
      2009-05-07
    • 関連する報告書
      2009 自己評価報告書
  • [産業財産権] 赤色発光半導体素子および赤色発光半導体素子の製造方法2009

    • 発明者名
      藤原康文
    • 権利者名
      大阪大学
    • 産業財産権番号
      2009-112535
    • 出願年月日
      2009-05-07
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書

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公開日: 2007-04-01   更新日: 2016-04-21  

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