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実環境下の損傷敏感試料に微細領域の動態観測技術をもたらす半導体電子ビーム源

研究課題

研究課題/領域番号 19H00666
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
審査区分 中区分14:プラズマ学およびその関連分野
研究機関名古屋大学

研究代表者

西谷 智博  名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 客員准教授 (40391320)

研究分担者 目黒 多加志  東京理科大学, 理学部第二部物理学科, 教授 (20182149)
洗平 昌晃  名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 助教 (20537427)
成田 哲博  名古屋大学, 理学研究科, 准教授 (30360613)
本田 善央  名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 准教授 (60362274)
石川 史太郎  愛媛大学, 理工学研究科(工学系), 准教授 (60456994)
田渕 雅夫  名古屋大学, シンクロトロン光研究センター, 教授 (90222124)
市川 修平  大阪大学, 超高圧電子顕微鏡センター, 助教 (50803673)
保田 英洋  大阪大学, 工学研究科, 教授 (60210259)
七井 靖  青山学院大学, 理工学部, 助教 (80755166)
研究期間 (年度) 2019-04-01 – 2022-03-31
研究課題ステータス 完了 (2021年度)
配分額 *注記
45,370千円 (直接経費: 34,900千円、間接経費: 10,470千円)
2021年度: 9,490千円 (直接経費: 7,300千円、間接経費: 2,190千円)
2020年度: 13,520千円 (直接経費: 10,400千円、間接経費: 3,120千円)
2019年度: 22,360千円 (直接経費: 17,200千円、間接経費: 5,160千円)
キーワードフォトカソード / 電子ビーム / 半導体 / 負電子親和力表面 / パルス電子ビーム / 窒化ガリウム半導体 / AlGaAs半導体 / 半導体フォトカソード / 電子顕微鏡 / 損傷敏感試料 / 動態観測 / ガリウムヒ素半導体
研究開始時の研究の概要

次世代の電子顕微鏡技術には、電子線損傷に敏感な試料だけでなく、液中など実環境下でその動態や反応へ観測機能を拡張させることが求められている。このような要求に応えるには、従来を遥かに超える電流密度と単色性だけでなく、既存技術にはない高密度電子パルス特性が電子源に必要不可欠である。本課題では、既存とは異なる電子放出原理の光電効果を利用し半導体から電子ビームを取り出す半導体フォトカソードに着目し、半導体の材料・構造・表面の追求と半導体フォトカソードに適した電子銃装置の研究開発により、電子顕微鏡の観測機能の拡張に適した低単色・高密度のパルス電子ビーム生成の実現を目指す。

研究成果の概要

本研究では、電子顕微鏡などの電子ビーム源の技術革新を目指して、従来とは電子生成原理が異なる光電効果を半導体に用いたフォトカソード技術に着目し、その半導体の材料と構造の最適化により、これまでにない高性能かつ多彩な電子ビーム生成の達成を目標としてきた。本研究の結果、窒化ガリウムやガリウムヒ素などの半導体を用いたフォトカソードにより、ビーム内の電子の運動量のばらつきが従来技術よりも一桁低く、かつ従来技術では困難な極めて短いナノ秒の時間幅で高い電流値を持つパルス電子ビームの生成に成功した。

研究成果の学術的意義や社会的意義

本研究で達成した電子の運動量のばらつきが極少の電子ビームと従来困難であった極めて短い時間幅のパルス電子ビームの実現は、電子顕微鏡の核心技術である電子源の材料を金属から半導体へと刷新することで、実環境下のまま分子・原子レベルで試料を観測する新奇技術を創出する可能性を持つ。本研究でも示唆した水溶液中で動き回る生きた生体分子や電池材料が充放電する様子などを分子レベルで観測するような潜在的応用例などからも、本技術の社会実装により創薬だけでなくエネルギーなど幅広い分野で技術革新の源になると期待される。

報告書

(5件)
  • 2021 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2020 実績報告書
  • 2019 審査結果の所見   実績報告書
  • 研究成果

    (34件)

すべて 2022 2021 2020 2019

すべて 雑誌論文 (8件) (うち査読あり 7件、 オープンアクセス 2件) 学会発表 (26件) (うち国際学会 2件、 招待講演 13件)

  • [雑誌論文] Multiple electron beam generation from InGaN photocathode2021

    • 著者名/発表者名
      Sato Daiki、Shikano Haruka、Koizumi Atsushi、Nishitani Tomohiro、Honda Yoshio、Amano Hiroshi
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science & Technology B

      巻: 39 号: 6 ページ: 062209-062209

    • DOI

      10.1116/6.0001272

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] AlGaAs/GaAs superlattice photocathode grown by molecular beam epitaxy: correspondence between room temperature photoluminescence and quantum efficiency2021

    • 著者名/発表者名
      Morita Iori、Ishikawa Fumitaro、Honda Anna、Sato Daiki、Koizumi Atsushi、Nishitani Tomohiro、Tabuchi Masao
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 60 号: SB ページ: SBBK02-SBBK02

    • DOI

      10.35848/1347-4065/abd6e0

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書 2020 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Development of Pulsed TEM Equipped with Nitride Semiconductor Photocathode for High-Speed Observation and Material Nanofabrication2021

    • 著者名/発表者名
      Hidehiro Yasuda, Tomohiro Nishitani, Shuhei Ichikawa, Shuhei Hatanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
    • 雑誌名

      Quantum Beam Science

      巻: 5 号: 1 ページ: 5-5

    • DOI

      10.3390/qubs5010005

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書 2020 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] ANALYTICAL STUDY ON TPD MEASUREMENTS DURING NEA ACTIVATION PROCESS2021

    • 著者名/発表者名
      Masaru Jono, Yuhi Sada, Takashi Meguro
    • 雑誌名

      Proceedings of the 39th Symposium on Materials Science and Engineering

      巻: 39 ページ: 14-18

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • オープンアクセス
  • [雑誌論文] Study on work function and corresponding electron emission during NEA activation of GaAs surfaces2020

    • 著者名/発表者名
      Sada Y.、Meguro T.
    • 雑誌名

      Applied Surface Science

      巻: 513 ページ: 145699-145699

    • DOI

      10.1016/j.apsusc.2020.145699

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書 2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Study on surface processes and photoemission properties of NEA-GaAs after repetitive sequence of thermal pretreatment and NEA activation2020

    • 著者名/発表者名
      Inagaki Yuta、Meguro Takashi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: 4 ページ: 045504-045504

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab7ef3

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書 2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Recovery of quantum efficiency on Cs/O-activated GaN and GaAs photocathodes by thermal annealing in vacuum2020

    • 著者名/発表者名
      Sato Daiki、Nishitani Tomohiro、Honda Yoshio、Amano Hiroshi
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science & Technology B

      巻: 38 号: 1 ページ: 012603-012603

    • DOI

      10.1116/1.5120417

    • NAID

      120006957719

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Optimization of InGaN thickness for high-quantum-efficiency Cs/O-activated InGaN photocathode2020

    • 著者名/発表者名
      Sato Daiki、Honda Anna、Koizumi Atsushi、Nishitani Tomohiro、Honda Yoshio、Amano Hiroshi
    • 雑誌名

      Microelectronic Engineering

      巻: 223 ページ: 111229-111229

    • DOI

      10.1016/j.mee.2020.111229

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] Pulsed electron microscopes using photoelectron beam from GaN semiconductor photocathodes2022

    • 著者名/発表者名
      T. Nishitani,A. Narita, H. Iijima, A. Koizumi, D. Sato, S. Noda, Y. Arakawa, H. Shikano, Y. Honda and H. Amano
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2022)
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Selective scanning electron microscope by photo electron beam from GaN semiconductor photocathode2021

    • 著者名/発表者名
      西谷智博
    • 学会等名
      NANOTS学会 電子線応用技術研究会・先端計測技術研究会
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] GaN半導体による光電子ビームで切り拓く微細観測の未踏領域2021

    • 著者名/発表者名
      西谷智博
    • 学会等名
      JPC関西オンラインセミナー「未来を創造するGaN半導体~社会実装への挑戦~」
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] クライオ電子顕微鏡による細胞骨格構造解析2021

    • 著者名/発表者名
      成田哲博
    • 学会等名
      第6回TRSシンポジウム
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] タンパク質を見る方法 -クライオ法、負染色法からの情報抽出-2021

    • 著者名/発表者名
      成田哲博
    • 学会等名
      日本顕微鏡学会ソフトマテリアル研究会講演会 オンライン
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Impact of As2 pressure on the molecular beam epitaxial growth of AlGaAs superlattice at temperature over 700℃2021

    • 著者名/発表者名
      Reiji Suzuki, Iori Morita, Fumitaro Ishikawa, Anna Honda, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Tomihiro Nishitani, Masao Tabuchi
    • 学会等名
      21st International Conference on Molcular Beam Epitaxy (ICMBE 2021), September 6-9, ONLINE
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
  • [学会発表] As2を利用した700℃以上成長温度でのフォトカソード構造AlGaAs/GaAs超格子MBE成長2021

    • 著者名/発表者名
      鈴木 玲士, 石川 史太郎, 本田 杏奈, 佐藤 大樹, 小泉 淳, 西谷 智博, 田渕 雅夫
    • 学会等名
      第82回 応用物理学会秋季学術講演会, 2021年9月12日, オンライン開催
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
  • [学会発表] 高輝度パルス 電子源の開発2021

    • 著者名/発表者名
      西谷智博
    • 学会等名
      日本顕微鏡学会 関西支部特別講演会:高速観察・計測と高感度観察・計測
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 半導体フォトカソードを用いた電子ビーム技術の応用開発と事業化2021

    • 著者名/発表者名
      西谷智博
    • 学会等名
      公益社団法人 応用物理学会, 次世代リソグラフィ技術研究会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] GaN系半導体フォトカソードを用いた光電子ビームの実用とスタートアップ企業による事業化2021

    • 著者名/発表者名
      西谷智博
    • 学会等名
      一般社団法人GaNコンソーシアム:光を用いた新たな応用展開
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] NEA活性化方法におけるInGaNフォトカソードの電子放出特性の違い, The difference of InGaN photocathode with photoemission characteristic in NEA activation method2021

    • 著者名/発表者名
      鹿島将央, 佐藤大樹, 小泉淳, 飯島北斗, 西谷智博, 本田善央, 天野浩, 目黒多加志
    • 学会等名
      2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] NEA活性化過程における量子効率とCs吸着状態のO2供給量依存性2021

    • 著者名/発表者名
      佐田雄飛、城生大、目黒多加志
    • 学会等名
      2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] Electron Beam Technology Innovation by Semiconductor Photocathodes and its Commercialization2020

    • 著者名/発表者名
      西谷智博
    • 学会等名
      第39 回電子材料シンポジウム
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 半導体フォトカソード電子源を特徴とする電子ビーム検査技術, Innovative inspection technology opened by photo electron beam from III-V semiconductors2020

    • 著者名/発表者名
      西谷智博
    • 学会等名
      応用物理学会2-4回合同極限ナノ造形・構造物性研究会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] AlGaAs/GaAs superlattice grown by molecular beam epitaxy for its application to semiconductor photocathode2020

    • 著者名/発表者名
      I. Morita, F. Ishikawa, A. Honda, D. Sato, A. Koizumi, T. Nishitani, M. Tabuchi
    • 学会等名
      Solid State Devices and Materials 2020
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] yo-yo法を用いたNEA活性化過程の昇温脱離スペクトル測定2020

    • 著者名/発表者名
      城生大、佐田雄飛、目黒多加志
    • 学会等名
      第39回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] SEM imaging using photo-electron beam by semiconductor photocathode2019

    • 著者名/発表者名
      Tomohiro Nishitani, Daiki Sato, Haruka Shikano, Tomoaki Kawamata, Atsushi Koizumi, Hokuto Iijima, Masao Tabuchi
    • 学会等名
      The 63th International Conference on Electron, Ion, and Photon Beam Technology and Nanofabrication
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Surface Functional Recovery with Anneal Treatment for GaN Photocathode2019

    • 著者名/発表者名
      Daiki Sato, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
    • 学会等名
      The 63th International Conference on Electron, Ion, and Photon Beam Technology and Nanofabrication
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 半導体材料・機能性表面・光励起・ビーム物理の技術融合が実現する電子ビームイノベーション2019

    • 著者名/発表者名
      西谷智博
    • 学会等名
      電子情報通信学会 システムナノ技術に関する特別研究専門委員会(SNT)、第3回研究会「エキゾチックな分野間融合による新たな萌芽へ」
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 電子ビームの技術刷新で挑む損傷敏感試料・動態・反応の微細領域観測2019

    • 著者名/発表者名
      西谷智博
    • 学会等名
      第238回 有機エレクトロニクス材料研究会「有機半導体、タンパク質の電子状態を動的に捉える」
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 半導体フォトカソードで実現する1ショット電子顕微鏡2019

    • 著者名/発表者名
      西谷智博
    • 学会等名
      イメージング研究会「~基礎物理から産業応用まで~」
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] MBE growth of AlGaAs superlattice for photocathode2019

    • 著者名/発表者名
      I. Morita, F. Ishikawa, T. Nishitani and M. Tabuchi
    • 学会等名
      38th Electronic Materials Symposium EMS-38
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] InGaAsP系フォトカソードの量子効率に対する電子親和力の影響2019

    • 著者名/発表者名
      出射 幹也, 村田 文浩, 山下 海人, 七井 靖, 黄 晋二, 渕 真悟
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] フォトカソード応用AlGaAs超格子試料のMBE成長2019

    • 著者名/発表者名
      森田 伊織, 石川 史太郎, 西谷 智博, 田渕 雅夫
    • 学会等名
      2019年度 応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] フォトカソード応用AlGaAs系材料のMBE成長2019

    • 著者名/発表者名
      森田伊織, 石川 史太郎, 西谷 智博, 田渕 雅夫
    • 学会等名
      2019年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] フォトカソード応用のためのAlGaAs系ヘテロ構造の分子線エピタキシャル成長2019

    • 著者名/発表者名
      森田伊織, 石川 史太郎, 西谷 智博, 田渕 雅夫
    • 学会等名
      2019年度 応用物理学会中国四国支部 若手半導体研究会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書

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公開日: 2019-04-18   更新日: 2023-01-30  

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