| 研究課題/領域番号 |
19H02147
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21030:計測工学関連
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| 研究機関 | 岩手大学 |
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研究代表者 |
菊池 弘昭 岩手大学, 理工学部, 准教授 (30344617)
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| 研究期間 (年度) |
2019-04-01 – 2022-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2021年度)
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| 配分額 *注記 |
17,420千円 (直接経費: 13,400千円、間接経費: 4,020千円)
2021年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2020年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2019年度: 9,750千円 (直接経費: 7,500千円、間接経費: 2,250千円)
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| キーワード | 磁気異方性 / 磁気薄膜 / 局所制御 / 磁気デバイス / 磁性薄膜 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本研究では磁性薄膜に対して、局所的に電流を印加した場合のジュール熱とレーザー光源を利用したレーザー加熱を組み合わせた局所加熱及び温度制御の可能性を検討する。また、ジュール熱発生のために印加する電流による局所磁界と永久磁石による一定磁界を組み合わせた局所磁気飽和技術を検討する。それら2つの技術を融合させることで、局所領域の磁気異方性制御技術を実現することを目的とする。関連して、磁気特性制御のため局所的に磁化曲線や透磁率を評価可能なよう磁気光学技術及び高周波磁気計測技術を併用して局所磁気特性をその場で計測可能なシステムを構築する。さらに, その技術を薄膜磁気デバイスの高機能化に適用する。
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| 研究成果の概要 |
局所的に電流を印加して加熱するジュール加熱の薄膜への適用性を検討して, 温度制御の可能性を明らかにした。続いて, ジュール熱発生のために印加する電流が作る局所磁界と永久磁石による一定磁界を組み合わせた局所磁気飽和技術と融合させることで, 局所領域の磁気異方性制御技術が可能であることを明らかにした。その技術に基づき, 薄膜磁気インピーダンス素子を例に, 簡便な磁気異方性制御技術を構築した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
薄膜磁気デバイスにおける磁気異方性の制御は, 成膜時あるいは, 基板上で一方向の制御に限られていたが, 本研究成果は装置構造の工夫により任意の方向に異方性を付与できることを示したものであり, 磁気デバイス作製法に新たな可能性を与える。また, 一方向に制御の場合においては, 高真空で大電力を消費し, 長時間で大型炉を必要としたのに対して, 本成果はコンパクトなポータブルな装置提供を可能にし, 消費電力も極めて少なくて済み, 工業応用上インパクトのある成果である。
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