| 研究課題/領域番号 |
19H02426
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分26020:無機材料および物性関連
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
安井 伸太郎 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 助教 (40616687)
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| 研究期間 (年度) |
2019-04-01 – 2022-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2021年度)
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| 配分額 *注記 |
17,680千円 (直接経費: 13,600千円、間接経費: 4,080千円)
2021年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2020年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2019年度: 10,660千円 (直接経費: 8,200千円、間接経費: 2,460千円)
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| キーワード | マルチフェロイック / 強誘電性 / フェリ磁性 / k-Al2O3型構造 / GaFeO3型構造 / e-Fe2O3型構造 / k-Al2O3構造 / 磁性 / 強誘電体 / フェリ磁性体 / メモリ材料 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
強誘電性およびフェリ磁性を併せ持つk-Al2O3型マルチフェロイック材料を用いて、0/1のみではなく多値化した高密度メモリーの開発を行う。k-Al2O3型構造は近年マルチフェロイック特性が発現することで着目され始めた。本研究はその強誘電性やフェリ磁性の起源を明らかにすることで、それぞれの物性をコントロールすることを目的とする。
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| 研究成果の概要 |
IoT技術が加速的に進化し、我々はより一層便利な生活を送ることが可能となっている。その中でも記憶媒体であるメモリはキーテクノロジーであり、より小型化、高密度化が好まれる。現在利用されている多くのメモリは電圧もしくは電流にて0/1を記憶する材料が用いられているが、本研究では単一マルチフェロイック材料を用いることで0/1/2/3を記憶することが示唆され、単一体積あたり2倍の高密度化が期待できる結果を得た。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
これまでに室温以上で特性を示す単一マルチフェロイック材料はペロブスカイト型BiFeO3以外報告がなかったが、本研究で開発されたk-Al2O3型構造材料群は構造がもたらす強誘電性と構成される元素によってもたらすフェリ磁性をコントロールすることで室温以上での特性を示す。これは新しい発見であり学術的に材料群の新たな探索指針を示すと共に、応用の観点から社会的にも新しいメモリ開発への展開が期待できる結果であったと言える。
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