| 研究課題/領域番号 |
19J13441
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| 研究種目 |
特別研究員奨励費
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 国内 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
柳 銘 東京大学, 工学系研究科, 特別研究員(PD)
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| 研究期間 (年度) |
2019-04-25 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
2020年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
2019年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
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| キーワード | 1D heteronanotubes / SWCNT@BNNT / BNNT / 1D hetero nanotubes / Coxial structure / Carbon nanotubes / Boron nitride nanotubes / TEM |
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| 研究開始時の研究の概要 |
The outline of research is to synthesize a coaxial material of single walled carbon nanotubes coated by boron nitride to improve the carrier mobility in plane nanotubes, reduce the interface traps between CNT and the dielectric and reduce the thermal resistrance in field emission transistors.
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| 研究実績の概要 |
The purpose of this project is to achieve the application of boron nitride coated single-walled carbon nanotubes in FET devices. We have sucessfully fabricated the device using our material. Moreover, We have also obtained high-purity and high-quality boron nitride nanotube film by removing carbon nanotubes in the heterostructure of carbon nanotube and boron nitride nanotube. Boron nitride nanotubes based heteronanotubes served as a promising platform for investigating the optical properties of transition metal dichalcogenide nanotubes, photoluminescence from molybdenum disulfide nanotubes was observed. The heteronanotubes of boron nitride nanotubes with molybdenum disulfide nanotubes have a great potential for the electronic device applications.
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| 現在までの達成度 (段落) |
令和2年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
令和2年度が最終年度であるため、記入しない。
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