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窒素ドープCr-Ge-Teの界面伝導制御と新規接触抵抗相変化メモリの創成

研究課題

研究課題/領域番号 19J21116
研究種目

特別研究員奨励費

配分区分補助金
応募区分国内
審査区分 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
研究機関東北大学

研究代表者

双 逸  東北大学, 工学研究科, 特別研究員(DC1)

研究期間 (年度) 2019-04-25 – 2022-03-31
研究課題ステータス 完了 (2021年度)
配分額 *注記
2,800千円 (直接経費: 2,800千円)
2021年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
2020年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
2019年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)
キーワード相変化材料 / Cr2Ge2Te6 / 窒素(N)ドープ / TEM観察 / 接触抵抗変化メモリ / 窒素ドープ / 相変化メモリ / 界面伝導機構 / 局所構造 / 次世代メモリ / 微細化 / 三次元スタック構造 / ダイオード / セレクタ / Ge2Cr2Te6
研究開始時の研究の概要

本年度の研究では、高い耐熱性を有し、アモルファス/結晶相接触抵抗変化に伴う可逆的なデバイス抵抗変化を示す新規相変化材料:NドープCr2Ge2Te6(NCrGT)について、その高速相変化メカニズムと接触抵抗差の電極依存性を解明する。さらに、NCrGT三次元スタック構造の実現に向けては、セレクタの導入が必要である。それに対し、p型NCrGT半導体とn型半導体を接合する事でダイオードを形成し、革新的なセレクタ/メモリハイブリッド構造の構築を目指す。ハイブリッド構造の実現は、次世代NVMのブレイクスルーとして、超高集積・超大容量化はもとより人工知能分野への応用も大いに期待できる。

研究実績の概要

本研究では、新規相変化材料:Cr2Ge2Te6 (CrGT)のアモルファス相の耐熱性を向上するため、CrGTの結晶化温度(Tx)に及ぼす窒素(N)ドープの影響について取り組んだ。NドープによるTxの上昇はGSTについてもその有効性が報告されており、期待通りNドープ型CrGT(NCrGT)は高いTxを実現する事が分かったが、室温でのアモルファス相と結晶相の間に膜(バルク)抵抗率ρの変化はほぼ存在しないことも分かった。しかし、NCrGT/金属電極間の接触抵抗率ρcを測定した結果、アモルファス相と結晶相には三桁の差が生じる事を見出した。このことは、例え、相変化に伴う抵抗率変化が無くても、相変化に伴って“電極界面伝導機構”に変化が生じればPCMとして利用できる事を示唆する。そこで本年度では、NCrGTのメモリ素子の動作特性を評価すると共に、NCrGT/金属電極界面の微細構造も透過電子顕微鏡(TEM)で観察した。電極界面近傍の非常に限定された領域(10nm程度)のみが相変化している事を確認した。このような相変化領域の極微小化は、動作電力の低減(電圧約1/2)ばかりでなく、メモリ素子の更なる微細化に有利である。また、NCrGTのTxは300℃と高く耐熱性の課題を解決できる。以上のように、省エネかつ大容量を実現する新動作原理「接触抵抗変化メモリ」の開拓に成功した。

現在までの達成度 (段落)

令和3年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

令和3年度が最終年度であるため、記入しない。

報告書

(3件)
  • 2021 実績報告書
  • 2020 実績報告書
  • 2019 実績報告書
  • 研究成果

    (23件)

すべて 2022 2021 2020 2019

すべて 雑誌論文 (11件) (うち国際共著 10件、 査読あり 11件、 オープンアクセス 4件) 学会発表 (11件) (うち国際学会 4件、 招待講演 4件) 産業財産権 (1件)

  • [雑誌論文] Electrical Conduction Mechanism of β-MnTe Thin Film with Wurtzite-Type Structure Using Radiofrequency Magnetron Sputtering2022

    • 著者名/発表者名
      Mihyeon Kim, Shunsuke Mori, Yi Shuang, Shogo Hatayama, Daisuke Ando, Yuji Sutou
    • 雑誌名

      Physica status solidi rapid research letters

      巻: 16 号: 9 ページ: 2100641-2100641

    • DOI

      10.1002/pssr.202100641

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Understanding the low resistivity of the amorphous phase of Cr2Ge2Te6 phase-change material: Experimental evidence for the key role of Cr clusters2021

    • 著者名/発表者名
      Hatayama Shogo、Kobayashi Keisuke、Saito Yuta、Fons Paul、Shuang Yi、Mori Shunsuke、Kolobov Alexander V.、Sutou Yuji
    • 雑誌名

      Physical Review Materials

      巻: 5 号: 8 ページ: 085601-085601

    • DOI

      10.1103/physrevmaterials.5.085601

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Amorphous-to-Crystal Transition in Quasi-Two-Dimensional MoS2: Implications for 2D Electronic Devices2021

    • 著者名/発表者名
      Krbal Milos、Prokop Vit、Kononov Alexey A.、Pereira Jhonatan Rodriguez、Mistrik Jan、Kolobov Alexander V.、Fons Paul J.、Saito Yuta、Hatayama Shogo、Shuang Yi、Sutou Yuji、Rozhkov Stepan A.、Stellhorn Jens R.、Hayakawa Shinjiro、Pis Igor、Bondino Federica
    • 雑誌名

      ACS Applied Nano Materials

      巻: 4 号: 9 ページ: 8834-8844

    • DOI

      10.1021/acsanm.1c01504

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Temperature-Dependent Electronic Transport in Non-Bulk-Resistance-Variation Nitrogen-Doped Cr2Ge2Te6 Phase-Change Material2021

    • 著者名/発表者名
      Y. SHuang, S. Hatayama, D. Ando, Y. Sutou
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi - Rapid Research Letters

      巻: 15 号: 3 ページ: 2000415-2000415

    • DOI

      10.1002/pssr.202000415

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Evolution of the Local Structure Surrounding Nitrogen Atoms upon the Amorphous to Crystalline Phase Transition in Nitrogen-doped Cr2Ge2Te6 Phase-Change Material2021

    • 著者名/発表者名
      Shuang Yi、Hatayama Shogo、Saito Yuta、Fons Paul、Kolobov Alexander V.、Ando Daisuke、Sutou Yuji
    • 雑誌名

      Applied Surface Science

      巻: N ページ: 149760-149760

    • DOI

      10.1016/j.apsusc.2021.149760

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Dimensional transformation of chemical bonding during crystallization in a layered chalcogenide material2021

    • 著者名/発表者名
      Y. Saito, S. Hatayama, Y. Shuang, P. Fons, A.V. Kolobov, Y. Sutou
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 11 号: 1 ページ: 1-1

    • DOI

      10.1038/s41598-020-80301-5

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
  • [雑誌論文] Nitrogen doping-induced local structure change in a Cr2Ge2Te6 inverse resistance phase-change material2020

    • 著者名/発表者名
      Y. Shuang, S. Hatayama, H. Tanimura, D. Ando, T. Ichitsubo, Y. Sutou
    • 雑誌名

      Materials Advances

      巻: 1 号: 7 ページ: 2426-2432

    • DOI

      10.1039/d0ma00554a

    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
  • [雑誌論文] eversible displacive transformation in MnTe polymorphic semiconductor2020

    • 著者名/発表者名
      S. Mori, S. Hatayama, Y. Shuang, D. Ando, Y. Sutou
    • 雑誌名

      Nature Communications

      巻: 11 号: 1 ページ: 85-85

    • DOI

      10.1038/s41467-019-13747-5

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
  • [雑誌論文] Bidirectional Selector Utilizing Hybrid Diodes for PCRAM Applications2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Shuang, S. Hatayama, J. An, J. Hong,, D. Ando.,Y.H. Song,, Y. Sutou
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 9 号: 1 ページ: 20209-20209

    • DOI

      10.1038/s41598-019-56768-2

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
  • [雑誌論文] Cr-Triggered Local Structural Change in Cr2Ge2Te6 Phase Change Material2019

    • 著者名/発表者名
      S. Hatayama, Y. Shuang, P. Fons, Y. Saito, A.V. Kolobov, K. Kobayashi, S. Shindo, D. Ando, Y. Sutou
    • 雑誌名

      ACS Applied Materials and Interfaces

      巻: 11 号: 46 ページ: 43320-43329

    • DOI

      10.1021/acsami.9b11535

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Systematic materials design for phase-change memory with small density changes for high-endurance non-volatile memory applications2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Saito, S. Hatayama, Y. Shuang, S. Shindo, P. Fons, A.V. Kolobov, K. Kobayashi, Y. Sutou
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 12 号: 5 ページ: 051008-051008

    • DOI

      10.7567/1882-0786/ab1301

    • NAID

      210000155693

    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [学会発表] Temperature-dependent electrical transport mechanism in N doped Cr2Ge2Te6 films2021

    • 著者名/発表者名
      Yi Shuang, Shogo Hatayama, Daisuke Ando, and Yuji Sutou
    • 学会等名
      EPCOS2021
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Nitrogen local geometry in Cr2Ge2Te6 phase change material upon phase transition2021

    • 著者名/発表者名
      Yi Shuang, Shogo Hatayama, Yuta Saito, Paul Fons, Alexander V. Kolobov and Yuji Sutou
    • 学会等名
      PCOS2021
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
  • [学会発表] Conduction Mechanism in Nitrogen Doped Cr2Ge2Te6 Phase Change Material2020

    • 著者名/発表者名
      Shuang Yi、Hatayama Shogo、Ando Daisuke、Sutou Yuji
    • 学会等名
      The 32th Symposium on Phase Change Oriented Science (PCOS2020)
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
  • [学会発表] 省エネルギー動作に向けた相変化メモリ材料の研究開発2020

    • 著者名/発表者名
      須藤祐司, 畑山祥吾, 双 逸, 森竣祐
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 相変化メモリ材料の研究開発動向2020

    • 著者名/発表者名
      須藤祐司, 畑山祥吾, 森竣祐, Yi Shuang
    • 学会等名
      応用物理学会第48回薄膜・表面物理セミナー
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 省エネ・高速化に向けた新相変化メモリ材料開発2020

    • 著者名/発表者名
      須藤祐司, 畑山祥吾, 森竣祐, 双 逸
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Phase-change materials for low-energy operation PCRAM2020

    • 著者名/発表者名
      Yuji Sutou, Shunsuke Mori, Yi Shuang, Shogo Hatayama
    • 学会等名
      2020 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2020)
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Bidirectional and Self-selective Characteristics of PN Diode Based N-doped Cr2Ge2Te6 Phase Change Memory2019

    • 著者名/発表者名
      Shuang Yi、Hatayama Shogo、An Junseop、Hong Jinpyo、Ando Daisuke、Song Yunheub、Sutou Yuji
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] PN Junction Based Self-selective Property in N-doped Cr2Ge2Te6 Phase Change Memory2019

    • 著者名/発表者名
      Shuang Yi、Hatayama Shogo、An Junseop、Hong Jinpyo、Ando Daisuke、Song Yunheub、Sutou Yuji
    • 学会等名
      日本金属学会
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
  • [学会発表] PN Diode Properties of N-type Oxide/p-type N-doped Cr2Ge2Te6 and Its Application for Self-selective PCRAM2019

    • 著者名/発表者名
      Shuang Yi、Hatayama Shogo、An Junseop、Hong Jinpyo、Ando Daisuke、Song Yunheub、Sutou Yuji
    • 学会等名
      The European Symposium on Phase Change and Ovonic Science (E/PCOS2019)
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Raman Scattering study of Non-bulk Resistance Change N Doped Cr2Ge2Te6 Phase Change Material2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Shuang
    • 学会等名
      The Future of Materials Engineering - Dramatic Innovation to the next 100 years
    • 関連する報告書
      2019 実績報告書
    • 国際学会
  • [産業財産権] 不揮発メモリ素子およびその製造方法2020

    • 発明者名
      須藤 祐司、双 逸、畑山 祥吾
    • 権利者名
      須藤 祐司、双 逸、畑山 祥吾
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2020
    • 関連する報告書
      2020 実績報告書

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公開日: 2019-05-29   更新日: 2024-03-26  

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