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窒化物半導体量子ドット形成のボンドエンジニアリング

研究課題

研究課題/領域番号 19K05268
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
審査区分 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
研究機関三重大学

研究代表者

伊藤 智徳  三重大学, 工学研究科, 招へい教授 (80314136)

研究分担者 秋山 亨  三重大学, 工学研究科, 准教授 (40362363)
研究期間 (年度) 2019-04-01 – 2022-03-31
研究課題ステータス 完了 (2021年度)
配分額 *注記
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2021年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2020年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2019年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
キーワード量子ドット形成機構 / 窒化物半導体 / 計算機シミュレーション
研究開始時の研究の概要

LED照明の基盤材料として知られている窒化物半導体は,情報・環境分野における次世代デバイス開発においても重要な役割を果たすことが期待されている。特に窒化物半導体薄膜成長により形成される量子ドット(直径20 nm程度のナノ構造)は,発光デバイス応用のみならず量子情報通信技術に不可欠な単一光子発生源用材料としても注目されている。本研究では現実の成長条件(温度,圧力)を扱いうる独自の計算手法に基づき,窒化物半導体薄膜成長過程での量子ドット形成機構を解明するとともに,表面,界面での結合形態に注目するボンドエンジニアリングの立場からその支配因子を抽出する。

研究成果の概要

量子論的アプローチに基づく微視的理論により得た知見を巨視的理論に取り込むことで、量子ドット形成機構ならびに量子ドット創成指針を明らかにした。具体的には微視的理論により評価した表面エネルギーγ、転位エネルギー Ed、転位形成によるエネルギー緩和度αを用いて巨視的理論から成長様式境界を予測することで、量子ドット形成における面方位依存性、格子不整合度依存性、成長雰囲気依存性の支配因子を抽出した。その結果、量子ドット形成のためには、αの増加をもたらす格子不整合度の大きい系の採用に加えて、Edの増加をもたらすような表面エネルギーγ、表面でのひずみ緩和が小さい表面再構成の選択が重要であることを見いだした。

研究成果の学術的意義や社会的意義

LED照明の基盤材料として知られている窒化物半導体は,その成長過程で形成される量子ドット(直径20 nm程度のナノ構造)を活用することで、情報・環境分野における次世代デバイス開発においても重要な役割を果たすことが期待されている。しかしながら量子ドット形成機構については未だ不明な点が多い。本研究では独自計算手法を用いて量子ドット形成における支配因子を抽出、現実の成長条件下での創成指針を明らかにした。

報告書

(4件)
  • 2021 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2020 実施状況報告書
  • 2019 実施状況報告書
  • 研究成果

    (53件)

すべて 2022 2021 2020 2019

すべて 雑誌論文 (13件) (うち査読あり 13件、 オープンアクセス 1件) 学会発表 (40件) (うち国際学会 18件、 招待講演 5件)

  • [雑誌論文] Ab initio study for orientation dependence of nitrogen incorporation at 4H-SiC/SiO<sub>2</sub> interfaces2022

    • 著者名/発表者名
      Akiyama Toru、Shimizu Tsunashi、Ito Tomonori、Kageshima Hiroyuki、Chokawa Kenta、Shiraishi Kenji
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 61 号: SH ページ: SH1002-SH1002

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac5a96

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of surface structural change on adsorption behavior on InAs wetting layer surface grown on GaAs(001) substrate2021

    • 著者名/発表者名
      Akiyama Toru、Yonemoto Kazuhiro、Hishiki Fumiaki、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 570 ページ: 126233-126233

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2021.126233

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of step edges on the adsorption behavior on vicinal AlN(0001) surface during metal-organic vapor phase epitaxy: An ab initio study2021

    • 著者名/発表者名
      Akiyama Toru、Ohka Takumi、Nagai Katsuya、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 571 ページ: 126244-126244

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2021.126244

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effective approach for calculating individual energy of step edges on polar AlN(0001) and GaN(0001) surfaces2021

    • 著者名/発表者名
      Akiyama Toru、Nakatani Atsutaka、Shimizu Tsunashi、Ohka Takumi、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 60 号: 8 ページ: 080701-080701

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac1128

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ab initio-based approach for the oxidation mechanisms at <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"><mml:msub><mml:mi>SiO</mml:mi><mml:mn>2</mml:mn></mml:msub></mml:math>/4H-SiC interface: Interplay of dry and wet oxidants during interfacial reaction2021

    • 著者名/発表者名
      Shimizu Tsunashi、Akiyama Toru、Ito Tomonori、Kageshima Hiroyuki、Uematsu Masashi、Shiraishi Kenji
    • 雑誌名

      Physical Review Materials

      巻: 5 号: 11 ページ: 114601-114601

    • DOI

      10.1103/physrevmaterials.5.114601

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of Step Edges on Adsorption Behavior for GaN(0001) Surfaces during Metalorganic Vapor Phase Epitaxy: AnAb InitioStudy2020

    • 著者名/発表者名
      Ohka Takumi、Akiyama Toru、Pradipto Abdul Muizz、Nakamura Kohji、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Crystal Growth & Design

      巻: 20 号: 7 ページ: 4358-4365

    • DOI

      10.1021/acs.cgd.0c00117

    • 関連する報告書
      2020 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Roles of growth kinetics on GaN non-planar facets under metalorganic vapor phase epitaxy condition2020

    • 著者名/発表者名
      Seta Yuki、Akiyama Toru、Pradipto Abdul Muizz、Nakamura Kohji、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 号: 6 ページ: 065505-065505

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ab9182

    • 関連する報告書
      2020 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Equilibrium Morphologies of Faceted GaN under the Metalorganic Vapor‐Phase Epitaxy Condition: Wulff Construction Using Absolute Surface Energies2020

    • 著者名/発表者名
      Seta Yuki、Pradipto Abdul-Muizz、Akiyama Toru、Nakamura Kohji、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      physica status solidi (b)

      巻: 257 号: 4 ページ: 1900523-1900523

    • DOI

      10.1002/pssb.201900523

    • 関連する報告書
      2020 実施状況報告書 2019 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] A Simple Approach to Growth Mode of InN and InGaN Thin Films on GaN(0001) Substrate2020

    • 著者名/発表者名
      Nagai Katsuya、Akiyama Toru、Nakamura Kohji、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 98 号: 6 ページ: 155-164

    • DOI

      10.1149/09806.0155ecst

    • 関連する報告書
      2020 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Absolute surface energies of oxygen-adsorbed GaN surfaces2020

    • 著者名/発表者名
      Kawamura Takahiro、Akiyama Toru、Kitamoto Akira、Imanishi Masayuki、Yoshimura Masashi、Mori Yusuke、Morikawa Yoshitada、Kangawa Yoshihiro、Kakimoto Koichi
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 549 ページ: 125868-125868

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2020.125868

    • 関連する報告書
      2020 実施状況報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Thermodynamic analysis for nonpolar III-nitride surfaces under metalorganic vapor-phase epitaxy conditions2020

    • 著者名/発表者名
      Shimizu Tsunashi、Seta Yuki、Akiyama Toru、Pradipto Abdul Muizz、Nakamura Kohji、Ito Tomonori、Kusaba Akira、Kangawa Yoshihiro
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: 2 ページ: 028003-028003

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab68af

    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] <i>Ab initio</i> study for adsorption and desorption behavior at step edges of AlN(0001) and GaN(0001) surfaces2020

    • 著者名/発表者名
      Akiyama Toru、Ohka Takumi、Nakamura Kohji、ITO Tomonori
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: SG ページ: SGGK03-SGGK03

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab6566

    • NAID

      210000157893

    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Theoretical investigations on the growth mode of GaN thin films on an AlN(0001) substrate2019

    • 著者名/発表者名
      Tsumuki Shinnosuke、Akiyama Toru、Pradipto Abdul-Muizz、Nakamura Kohji、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: SC ページ: SC1009-SC1009

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab06b1

    • NAID

      210000155819

    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] Ab initio-based approach for reaction process at 4H-SiC/SiO2 interfaces2022

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, T. Shimizu, Tomonori Ito, H. Kageshima, K. Shiraishi
    • 学会等名
      2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulations
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] (AlxGa1-x)2O3混晶の構造安定性および混和性に関する理論的検討2022

    • 著者名/発表者名
      藤田楓理, 秋山亨, 河村貴宏, 伊藤智徳
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
  • [学会発表] 第一原理計算に基づくAlN(0001)表面上のGaN層の構造安定性評価2022

    • 著者名/発表者名
      足道悠, 秋山亨, 伊藤智徳
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
  • [学会発表] 4H-SiC/SiO2界面での窒素酸化物およびアンモニアの反応機構の理論的検討2022

    • 著者名/発表者名
      秋山亨, 清水紀志, 伊藤智徳, 影嶋博之, 白石賢二
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
  • [学会発表] GaN(0001)基板上に形成するGa2O3膜の構造安定性の理論解析: 膜厚依存性の検討2022

    • 著者名/発表者名
      日紫喜文昭, 秋山亨, 河村貴宏, 伊藤智徳
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
  • [学会発表] 窒化物半導体におけるピラミッド型インバージョンドメイン形成の理論解析2022

    • 著者名/発表者名
      仁木克英, 秋山亨, 伊藤智徳
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
  • [学会発表] An ab initio-based approach for the formation of pyramidal inversion domain boundaries in highly Mg-doped GaN2021

    • 著者名/発表者名
      Katsuhide Niki, Toru Akiyama, and Tomonori Ito
    • 学会等名
      2021 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Structures and stability of GaN/Ga2O3 interfaces: a first-principles study2021

    • 著者名/発表者名
      Fumiaki Hishiki, Toru Akiyama, Takahiro Kawamura, and Tomonori Ito
    • 学会等名
      2021 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Direct approach for calculating individual energy of step edges on polar AlN(0001) and GaN(0001) surfaces using density functional calculations2021

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Atsutaka Nakatani, Tsunashi Shimizu, Takumi Ohka, Tomonori Ito
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Ab initio Study for Orientation Dependence of Nitrogen Incorporation at 4H-SiC/ SiO2 Interfaces2021

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Tsunashi Shimizu, Tomonori Ito, Hiroyuki Kageshima, Kenta Chokawa, Kenji Shiraishi
    • 学会等名
      2021 International Workshop on “Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices: Science and Technology
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 界面エネルギー計算に基づく高濃度Mg添加GaNにおけるピラミッド型インバージョンドメイン形成の評価2021

    • 著者名/発表者名
      仁木克英, 秋山亨, 伊藤智徳
    • 学会等名
      第82回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
  • [学会発表] 第一原理計算によるGaN/β-Ga2O3界面構造の理論解析2021

    • 著者名/発表者名
      日紫喜文昭, 秋山亨, 河村貴宏, 伊藤智徳
    • 学会等名
      第82回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
  • [学会発表] 第一原理計算によるAlN(0001)およびGaN(0001)表面でのステップ形成エネルギーの評価2021

    • 著者名/発表者名
      秋山亨, 中谷淳嵩, 清水紀志, 相可拓巳, 伊藤智徳
    • 学会等名
      第82回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
  • [学会発表] 4H-SiC/SiO2界面での窒素取り込みの面方位依存性に関する理論検討2021

    • 著者名/発表者名
      秋山亨, 清水紀志, 伊藤智徳, 影嶋博之, 白石賢二
    • 学会等名
      第82回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
  • [学会発表] 表面・界面制御と特異構造創成2021

    • 著者名/発表者名
      伊藤智徳
    • 学会等名
      2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実施状況報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Orientation dependence of growth mode for InN and InGaN on GaN substrate from nano- and macro-theoretical viewpoints2021

    • 著者名/発表者名
      Katsuya Nagai, Toru Akiyama, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 関連する報告書
      2020 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Effect of step edges on the adsorption behavior on vicinal AlN(0001) surface during metal-organic vapor phase epitaxy: an ab initio study2021

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Takumi Ohka, Katsuya Nagai, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 関連する報告書
      2020 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Computational materials science for growth mode of semiconductor heteroepitaxial systems2021

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito and Toru Akiyama
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 関連する報告書
      2020 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Recent progress in computational materials science for III-nitride epitaxial growth: effects of growth kinetics on surface morphologies and nanostructures2021

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Yuki Seta, Takumi Ohka, Tomonori Ito
    • 学会等名
      International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021
    • 関連する報告書
      2020 実施状況報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] A Simple Approach to Growth Mode of InN and InGaN Thin Films on GaN(0001) Substrate2020

    • 著者名/発表者名
      Katsuya Nagai, Toru Akiyama, Kohji Nakamura and Tomonori Ito
    • 学会等名
      Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science
    • 関連する報告書
      2020 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] モンテカルロ計算によるGaAs(001)基板上InAsぬれ層の表面構造変化の理論検討2020

    • 著者名/発表者名
      秋山亨, 米本和弘, 日紫喜文昭, A. -M. Pradipto, 中村浩次, 伊藤智徳
    • 学会等名
      2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2020 実施状況報告書
  • [学会発表] GaN(0001)基板上におけるInNおよびInGaN薄膜の成長様式に関する理論的検討2020

    • 著者名/発表者名
      永井勝也, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
    • 学会等名
      第49回結晶成長国内会議
    • 関連する報告書
      2020 実施状況報告書
  • [学会発表] 有機金属気相エピタキシー成長条件におけるAlN(0001)表面でのステップ端における吸着・脱離の挙動に関する理論的検討2020

    • 著者名/発表者名
      相可拓巳,秋山亨,Abdul-Muizz Pradipto,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
  • [学会発表] 有機金属気相エピタキシー成長条におけるGaN複合ファセット上での吸着Ga原子の振る舞い2020

    • 著者名/発表者名
      瀬田雄基,秋山亨,Abdul-Muizz Pradipto,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
  • [学会発表] 自由エネルギー表式を用いたGaN(0001)基板上におけるInGaN薄膜の成長様式に関する理論的解析2020

    • 著者名/発表者名
      永井勝也,秋山亨,Abdul-Muizz Pradipto,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
  • [学会発表] GaN(0001)表面におけるステップ間相互作用に関する理論的検討2020

    • 著者名/発表者名
      秋山亨,相可拓巳,瀬田雄基,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
  • [学会発表] MOVPE条件下におけるⅢ族窒化物半導体無極性面の熱力学解析2019

    • 著者名/発表者名
      清水紀志,秋山亨,Abdul-Muizz Pradipto,中村浩次,伊藤智徳,草場彰,寒川義裕
    • 学会等名
      2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
  • [学会発表] 有機金属気相エピタキシー成長条件下でのGaNナノ構造の形状評価:Wulffの作図法による検証2019

    • 著者名/発表者名
      瀬田雄基,Abdul-Muizz Pradipto,秋山亨,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
  • [学会発表] Wedge-shape geometry法を用いたAlGaN(0001)における表面エネルギーの評価2019

    • 著者名/発表者名
      永井勝也,積木伸之介,秋山亨,Abdul-Muizz Pradipto,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
  • [学会発表] 有機金属気相エピタキシー成長中におけるGaN(0001)表面のステップ端での吸着・脱離の挙動に関する理論的検討2019

    • 著者名/発表者名
      相可拓巳,秋山亨,Abdul-Muizz Pradipto,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
  • [学会発表] 計算材料科学で識る窒化物半導体のナノ構造・エピタキシャル成長2019

    • 著者名/発表者名
      伊藤智徳,秋山亨,中村浩次
    • 学会等名
      第48回結晶成長国内会議
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 有機金属気相エピタキシー成長条件下におけるGaN複合ファセット上の吸着Ga原子の影響2019

    • 著者名/発表者名
      瀬田雄基,Abdul-Muizz Pradipto,秋山亨,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      第48回結晶成長国内会議
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
  • [学会発表] Absolute surface energies of AlGaN(0001) under metaloroganic vapor epitaxy2019

    • 著者名/発表者名
      Katsuya Nagai, Shinnosuke Tsumuki, Toru Akiyama, Abdul-Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Thermodynamic analysis of AlN nonpolar planes during metalorganic vapor phase epitaxy2019

    • 著者名/発表者名
      Tsunashi Shimizu, Yuki Seta, Abdul-Muizz Pradipto, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical analysis for growth mode of AlGaN thin films on AlN(0001) substrates2019

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Shinnosuke Tsumuki, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      10th International Conference on Materials for Advanced Technologies
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Equilibrium morphologies of faceted GaN under metalorganic vapor phase epitaxy condition -Wulff construction using absolute surface energies2019

    • 著者名/発表者名
      Yuki Seta, Toru Akiyama, Abdul-Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Ab initio study for adsorption and desorption behavior at step edges of AlN(0001) and GaN(0001) surfaces2019

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Takumi Ohka, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      2019 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Effects of adatom kinetics on facet formation of GaN during metalorganic vapor phase epitaxy2019

    • 著者名/発表者名
      Yuki Seta, Toru Akiyama, Abdul-Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical study for the adsorption-desorption behavior of stepped III-nitrides during MOVPE growth2019

    • 著者名/発表者名
      Takumi Ohka, Toru Akiyama, Abdul-Muizz Pradipto, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Computational materials science for nitride semiconductor epitaxial growth2019

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito
    • 学会等名
      8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
    • 関連する報告書
      2019 実施状況報告書
    • 国際学会 / 招待講演

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公開日: 2019-04-18   更新日: 2023-01-30  

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