| 研究課題/領域番号 |
19K05293
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
毎田 修 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (40346177)
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| 研究期間 (年度) |
2019-04-01 – 2023-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2022年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2021年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2020年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2019年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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| キーワード | ダイヤモンド / 結晶欠陥 / ワイドギャップ / 半導体物性 / 欠陥評価 / 電子・電気材料 / 格子欠陥 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本研究ではダイヤモンド半導体結晶評価のための非輻射欠陥評価系の広帯域化、高感度化を図る。さらに、開発した非輻射欠陥評価系を用いて未だ明らかになっていないダイヤモンド半導体結晶の深い非輻射型欠陥の生成機構の解明とその低減法の検討を行うことで、ダイヤモンド半導体結晶の高品質化を図るとともにダイヤモンド半導体デバイスの特性改善を試みる。
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| 研究成果の概要 |
次世代半導体用材料として期待されるダイヤモンド半導体結晶の高品質化を達成することはダイヤモンドデバイスにとって技術的に重要な課題である。ダイヤモンド膜の結晶品質の向上のためにはいまだ明らかになっていない非輻射欠陥を解明することが必要不可欠であり、本研究では、過渡光容量法による非発光欠陥の評価システムを構築し、ボロンドープダイヤモンド膜の特性評価を行った。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
次世代の半導体材料として期待されるダイヤモンド半導体結晶を含めたワイドバンドギャップ半導体材料の深い非輻射欠陥評価はこれまで積極的に行われておらず、その詳細はいまだ解明されていない。本研究は過渡光容量分光法を用いた非輻射欠陥評価系を構築し、ダイヤモンド半導体結晶の非輻射欠陥評価を行った。さらにその生成要因を解明し、結果を結晶合成にフィードバックすることで結晶品質の改善を図った。
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