| 研究課題/領域番号 |
19K15393
|
|---|
| 研究種目 |
若手研究
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 審査区分 |
小区分28030:ナノ材料科学関連
|
|---|
| 研究機関 | 東京都立大学 |
|---|
研究代表者 |
LIM HONGEN 東京都立大学, 理学研究科, 特任助教 (20794861)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2019-04-01 – 2021-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2020年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2019年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
|
|---|
| キーワード | 化学気相成長法 / ファンデルワールス物質 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 遷移金属カルコゲナイド / １次元 / ナノワイヤー / 多量生成 / 配向制御合成 / 原子層物質 / 二次元材料 / 遷移金属ダイカルコゲナイト / 界面成長 / 界面構造 |
|---|
| 研究開始時の研究の概要 |
本研究では、2次元物質（原子層物質）と3次元物質における「１次元の接合界面」の作製とその界面構造の解明に取り組む。従来の２－３次元物質の接合界面は，３次元物質の表面と２次元物質の表面の間の「２次元界面」であるが、本研究のように金属の端から水平方向に原子層を合成した「１次元界面」は前例がない。本研究では、金属の種類や結晶面によって接合界面の構造や成長する原子層の結晶方位、そして１次元界面の電子輸送特性がどのように変化するか解明する。
|
| 研究成果の概要 |
ファンデルワールス物質と固体材料との界面構造への理解は、合成した結晶の構造や成長方向および位置の制御に向けた重要な手がかりとなる。本研究では、化学気相成長法を用いて、そのような接合構造の作製に取り組んできた。主要な成果として、（１）異なる種類の固体界面における遷移金属ダイカルコゲナイド原子層の合成と（２）遷移金属カルコゲナイド原子細線の多量かつ配向制御合成技術を世界に先駆けて確立に成功してきた。
|
| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
基板の表面ではなく、異なる固体の界面を原子層物質の成長に利用する研究はこれまでなく、新たな原子層の合成やデバイス作製プロセスを可能にするインパクトの大きい研究になる。特に金属と基板の界面において原子層の直接合成が出来れば、電子デバイスへの応用に主要の問題となる接触界面が大幅に改善する可能性がある。原子細線に関しては、多量生成に成功したことで新たな量子現象や機能を持つ新奇材料の探索にも期待できる。新規ナノ材料成長技術のみではなく、物性の探索やデバイス応用まで幅広い研究分野へ影響する波及効果が期待できる。
|
