| 研究課題/領域番号 |
19K15399
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| 研究種目 |
若手研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
小区分28030:ナノ材料科学関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
李 世勝 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 若手国際研究センター, ICYS研究員 (90812678)
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| 研究期間 (年度) |
2019-04-01 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2020年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2019年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | 二次元ナノ材料科学 / 化学気相成長 / 遷移金属カルコゲナイド / 電界効果トランジスタ / 電子デバイス / Electronic Property / ナノ材料科学 / ナノ機能材料 / ナノ結晶材料 / ナノ物性 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
In this project, we will focus on the growth of 2-inch wafer-scale TMD single crystals to eliminate the non-uniformity caused by the grain boundaries.A new synthetic strategy (vapor-liquid-solid growth) using non-volatile precursors will be employed. Based on this principal, we will develop a new growth system for CVD of wafer-scale TMD single crystals. A systematic methodology including SHG and STEM will be utilized to evaluate the uniformity and crystallinity of the TMD single crystals. Finally, we will utilize the wafer-scale TMD single crystals for high-performance, flexible transistors.
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| 研究成果の概要 |
2次元遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）を対象に合成技術の開拓と電界効果トランジスタ（FET）への応用を進めた。Na2MoO4などの溶融塩を使用するSalt2.0技術を開発し、2インチMoS2膜とパターニング、ReおよびV ドープTMDC等、高品位膜の作製に成功した。MoS2-FETの場合、高い電子移動度と高い電流オン/オフ比がウェーハ全体で均一性に得られた。 さらに、Re（電子供与体）およびV（電子受容体）のドープにより、半導体から金属までの電気特性制御を可能にした。高濃度ドープ金属TMDCを電極、半導体TMDCを接合させることで、低抵抗界面を有した2D次元デバイスの構築が期待される。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
We had achieved the synthesis of wafer-scale and patterned 2D TMDC films, Re- and V-doped TMDCs using the Salt 2.0 technique. As a supplement to the current 3D silicon electronics, the as-grown high-quality 2D TMDCs pave the way for high-performance flexible and wearable electronics and sensors.
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