| 研究概要 |
1.Cイオン注入及びレーザーアニール装置によるSi_<1-x>C_x層の形成実験,及びその物性評価
薄膜SOI基板にCイオン注入後,レーザ加熱を行うことによって,Si-C結合によるラマンピークを検出した.その結果,本作成方法によって,SiとCとの結合を実証できた.
2.デバイスシミュレータを用いた素子構造設計その2
ソースヘテロ端でのキャリアのトンネル効果を考慮したシミュレータを用い,サブ10nm-SHOT素子における駆動能力のヘテロバンドオフセット最依存性をn及びpチャネルにおいても明確にした.
3.新構造ヘテロの検討
歪SOI基板を用いて,緩和/歪層による新たなソースヘテロ構造を実現した.これは,Oイオン注入法を用いて,その反跳エネルギーによって,歪みSi/埋め込み酸化膜界面での歪みSiの滑りにより局所的に歪みを緩和させることにより実現できた.
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