| 研究課題/領域番号 |
20042011
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
齋藤 秀和 独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (50357068)
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| 研究期間 (年度) |
2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
2008年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
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| キーワード | 半導体 / 磁性体 / ヘテロ構造 / スピン注入 / エレクトロルミネッセンス / スピン依存発光 / 金属 / 絶縁体 / 半導体接合 / トンネル磁気抵抗効果 |
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| 研究概要 |
本研究では電子のスピン機能を利用して情報を記憶する新型トランジスタの実現に必要なトンネル障壁層材料の開発を行った。その結果、酸化ガリウム(GaOx)という新障壁層材料を見出した。主な成果は以下の通りである。
1) 金属/絶縁体/半導体(MIS)型構造を有するFe/GaOx/Ga1-xMnxAsトンネル磁気抵抗(TMR)素子を作製し、MIS型素子では世界最高性能(磁気抵抗変化率58%)を達成した。
2) Fe/GaOx/n-AlGaAs MIS型トンネル素子において、GaOxの有効バリア高さが極めて低い(室温で0.10 eV)ことを明らかにした。
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