| 研究課題/領域番号 |
20042012
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
長浜 太郎 独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (20357651)
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| 研究期間 (年度) |
2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
2008年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
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| キーワード | スピントロニクス / TMR / MgO / ホットエレクトロン / 強磁性トンネルトランジスタ / トンネル磁気抵抗効果 / コヒーレントトンネリング |
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| 研究概要 |
優れたコヒーレントトンネリング特性と示すMgO バリアをエミッタに用いたMgO-強磁性トンネルトランジスタ(MgO-MTT)を作製し、その伝導特性を調べた。ベース層の薄膜化、コレクタ材料の最適化により伝導特性は大きく向上することが分かった。また、その特性は界面共鳴状態の影響を受けており、界面の電子状態を調べる新しいツールとしても活用可能であることが分かった。
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