| 研究課題/領域番号 |
20226001
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(S)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
|
|---|
| 研究機関 | 京都大学 |
|---|
研究代表者 |
中嶋 一雄 京都大学, エネルギー科学研究科, 客員教授 (80311554)
|
|---|
| 研究分担者 |
宇佐美 徳隆 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (20262107)
藤原 航三 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (70332517)
沓掛 健太朗 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (00463795)
森下 浩平 京都大学, エネルギー科学研究科, 特定助教 (00511875)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
|
| 配分額 *注記 |
149,110千円 (直接経費: 114,700千円、間接経費: 34,410千円)
2010年度: 13,390千円 (直接経費: 10,300千円、間接経費: 3,090千円)
2009年度: 77,350千円 (直接経費: 59,500千円、間接経費: 17,850千円)
2008年度: 58,370千円 (直接経費: 44,900千円、間接経費: 13,470千円)
|
|---|
| キーワード | 結晶成長 / シリコン / 太陽電池 / 多結晶 / 結晶欠陥 / 浮遊キャスト成長 / 浮遊キャスト法 / Siバルク多結晶 / 亜粒界 / ランダム粒界 / せん断応力 / デンドライト結晶 / ファセット成長 |
|---|
| 研究概要 |
本研究では、独自に開発した装置によるSi高温融液からSi結晶が成長する過程のその場観察や複合種結晶を用いたモデル結晶の成長を行うことで、結晶成長過程の動的条件下で結晶組織や欠陥が形成されていくメカニズムを解明した。これらの基礎研究で得られた知見に基づき、融液表面を核形成サイトにできる浮遊キャスト成長法の特徴を活かして種々の高品質化技術を開発し、太陽電池の高効率化に対して極めて有望なインゴットが形成できることを示した。
|
