| 配分額 *注記 |
42,640千円 (直接経費: 32,800千円、間接経費: 9,840千円)
2010年度: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
2009年度: 9,620千円 (直接経費: 7,400千円、間接経費: 2,220千円)
2008年度: 26,780千円 (直接経費: 20,600千円、間接経費: 6,180千円)
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| 研究概要 |
ゲート絶縁膜に強誘電体を用いたナノチューブ電界効果トランジスタ(FET)の強誘電層に焦電効果により生じた電荷をナノチューブチャネルで検出し,焦電型赤外線センサーとして応用することを目的とした.半導体特性を強く示す素子では焦電効果にCNTの光伝導効果が重畳され,焦電効果とは逆の光誘起伝導率変化をすることがわかった.チャネルをイオン液体で覆うことで,強誘電体の分極に応じチャネル電流が変調されるデバイスの収率が著しく向上した.
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