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シリコン・シングルドーパント・エレクトロニクス

研究課題

研究課題/領域番号 20241036
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 マイクロ・ナノデバイス
研究機関日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

研究代表者

小野 行徳  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主幹研究員 (80374073)

研究分担者 土屋 敏章  島根大学, 総合理工学部, 教授 (20304248)
堀口 誠二  工学資源学研究科, 教授 (60375219)
西口 克彦  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 特別研究員 (00393760)
連携研究者 山口 徹  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 主任研究員 (30393763)
モハメッド カラファラ  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 研究員 (70463627)
研究期間 (年度) 2008 – 2011
研究課題ステータス 完了 (2011年度)
配分額 *注記
48,360千円 (直接経費: 37,200千円、間接経費: 11,160千円)
2011年度: 7,540千円 (直接経費: 5,800千円、間接経費: 1,740千円)
2010年度: 12,090千円 (直接経費: 9,300千円、間接経費: 2,790千円)
2009年度: 11,830千円 (直接経費: 9,100千円、間接経費: 2,730千円)
2008年度: 16,900千円 (直接経費: 13,000千円、間接経費: 3,900千円)
キーワードシングルドーパント / 単一電子制御 / ナノ・マイクロ科学 / マイクロ・ナノデバイス / ナノ物性制御
研究概要

本研究は、人工原子(artificial atom)ではなく、半導体中の「真の原子」(true atom)を用いた、新しい単一電荷スピン操作技術とこれに基づく新規デバイスの実現を目指すものである。ここでは、トランジスタ中の個々のドーパントの位置特定技術を確立するとともに、個々のドーパントがトランジスタに与える影響を明らかにした。さらに、ドーパント原子により単一電荷を操作する「原子デバイス」の作製に成功した。

報告書

(6件)
  • 2011 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2010 実績報告書   自己評価報告書 ( PDF )
  • 2009 実績報告書
  • 2008 実績報告書
  • 研究成果

    (123件)

すべて 2012 2011 2010 2009 2008 その他

すべて 雑誌論文 (49件) (うち査読あり 48件) 学会発表 (65件) 図書 (5件) 備考 (4件)

  • [雑誌論文] Donor-Based Single Electron Pumps with Tunable Donor Binding Energy2012

    • 著者名/発表者名
      G. P. Lansbergen, Y. Ono, A. Fujiwara
    • 雑誌名

      Nano Letters

      巻: Vol.12 ページ: 763-768

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書 2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Bound exciton photoluminescence from ion-implanted phosphorus in thin silicon layers2011

    • 著者名/発表者名
      H. Sumikura, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, M. Notomi
    • 雑誌名

      Optics Express

      巻: Vol.19, No.25 ページ: 2525-2562

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Significance of the interface regarding magnetic properties of Mn-nanosilicide in silicon2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, Y. Miyazaki, S. Yabuuchi, H. Kageshima, M. Nagase, A. Fujiwara, E. Ohta
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: Vol.519, No.24 ページ: 8505-8508

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Impact of a few dopant positions controlled by deterministic single-ion doping on the transconductance of field-effect transistors2011

    • 著者名/発表者名
      M. Hori, T. Shinada, Y. Ono, A. Komatsubara, K. Kumagai, T. Tanii, T. Endoh, I. Ohdomari
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: Vol.99, No.6

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrical measurements of terphenyl-based molecular devices2011

    • 著者名/発表者名
      T. Goto, H. Inokawa, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Torimitsu
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: Vol.50, No.7

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Carrier transport in indium-doped p-channel silicon-on-insulator transistors doped with indium between 30 to 285 K2011

    • 著者名/発表者名
      M. A. H. Khalafalla, Y. Ono, J. Noborisaka, G. P. Lansbergen, A. Fujiwara
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys

      巻: Vol.110, No.19

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Single-electron counting statistics of shot noise in nanowire Si MOSFETs2011

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: Vol.98, No.19

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Enhancing secondary electron detection efficiency by applying a substrate bias voltage for deterministic single-ion Doping2011

    • 著者名/発表者名
      M. Hori, T. Shinada, K. Taira, A. Komatsubara, Y. Ono, T. Tanii, T. Endoh, I. Ohdomari
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: Vol.4, No.3

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Strong Stark effect in electroluminescence from phosphorous-doped silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2011

    • 著者名/発表者名
      J. Noborisaka, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Kageshima, A. Fujiwara
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: Vol.98, No.3

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Capture/Emission Processes of Carriers in Heterointerface Traps Observed in the Transient Charge-Pumping Characteristics of SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs2011

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuchiya
    • 雑誌名

      Key Engineering Materials

      巻: Vol.470 ページ: 201-206

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書 2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Bound exciton photoluminescence from ion-implanted phosphorus in thin silicon layers2011

    • 著者名/発表者名
      H.Sumikura
    • 雑誌名

      Optics Express

      巻: Vol.19 ページ: 25255-25262

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Significance of the interface regarding magnetic properties of manganese nanosilicide in silicon2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: Vol.519 号: 24 ページ: 8505-8508

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2011.05.027

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Impact of a few Dopant Positions Controlled by Deterministic Single-Ion Doping on the Transconductance of Field-Effect Transistors2011

    • 著者名/発表者名
      M.Hori, T.Shinada, Y.Ono, A.Komatsubara, K.Kumagai, T.Tanii, T.Endoh, I.Ohdomari
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 99 号: 6 ページ: 62103-62103

    • DOI

      10.1063/1.3622141

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrical Characterization of Terphenyl-Based Molecular Devices2011

    • 著者名/発表者名
      T.Goto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: Vol.99 号: 7R ページ: 071603-071603

    • DOI

      10.1143/jjap.50.071603

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Carrier transport in indium-doped p-channel silicon-on-insulator transistors between 30 and 285 K2011

    • 著者名/発表者名
      M.A.H.Khalafalla
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: Vol.110 号: 1

    • DOI

      10.1063/1.3605546

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Slngle-electron counting statistics of shot noise in nanowire Simetal-oxide-semiconductor field-effect transistors2011

    • 著者名/発表者名
      K.Nishiguchi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: Vol.98 号: 19

    • DOI

      10.1063/1.3589373

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Interactions between Interface Traps in Electron Capture/Emission Processes : Deviation from Charge Pumping Current Based on the Shockley2011

    • 著者名/発表者名
      T.Tsuchiya
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: Vol.4 号: 9 ページ: 094104-094104

    • DOI

      10.1143/apex.4.094104

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Strong Stark effect in electroluminescence from phosphorous-doped silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor-field-effect transistors2011

    • 著者名/発表者名
      J.Noborisaka, K.Nishiguchi, Y.Ono, H.Kageshima, A.Fujiwara
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. Vol.98

    • 関連する報告書
      2010 自己評価報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Enhancing secondary electron detection efficiency by applying a substrate bias voltage for deterministic single-ion Doping2011

    • 著者名/発表者名
      M.Hori
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: Vol.4

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Strong Stark effect in electroluminescence from phosphorous-doped silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2011

    • 著者名/発表者名
      J.Noborisaka
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: Vol.98

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Direct Observation of Fluctuations in the Number and Individual Electronic Properties of Interface Traps in Nanoscale Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2010

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuchiya
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: Vol.49

    • NAID

      40017176026

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Resonant escape over an oscillating barrier in a single-electron ratchet transfer2010

    • 著者名/発表者名
      S. Miyamoto, K. Nishiguchi, Y. Ono, K. M. Itoh, A. Fujiwara
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B

      巻: Vol.82, No.3

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Single-electron transport through single dopants in a dopant-rich environment Phys2010

    • 著者名/発表者名
      M. Tabe, D. Moraru, M. Ligowski, M. Anwar, R. Jablonski, Y. Ono, T. Mizuno
    • 雑誌名

      Rev. Lett

      巻: Vol.105, No.1

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Tunneling spectroscopy of electron subbands in thin silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2010

    • 著者名/発表者名
      J. Noborisaka, K. Nishiguchi, H. Kageshima, Y. Ono, A. Fujiwara
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: Vol.96, No.11

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Single-electron transport through single dopants in a dopant-rich environment2010

    • 著者名/発表者名
      M.Tabe, D.Moraru, M.Ligowski, M.Anwar,R.Jablonski, Y.Ono, T.Mizuno
    • 雑誌名

      Phys.Rev.Lett. Vol.105

    • 関連する報告書
      2010 自己評価報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Resonant escape over an oscillating barrier in a single-electron ratchet transfer2010

    • 著者名/発表者名
      S.Miyamoto
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: Vol.82

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Single-electron transport through single dopants in a dopant-rich environment2010

    • 著者名/発表者名
      M.Tabe
    • 雑誌名

      Physical Review Letters

      巻: Vol.105

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Direct Observation of Fluctuations in the Number and Individual Electronic Properties of Interface Traps in Nanoscale Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2010

    • 著者名/発表者名
      T.Tsuchiya
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: Vol.49

    • NAID

      40017176026

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Horizontal position analysis of single acceptors in Si nanoscale field-effect transistors2009

    • 著者名/発表者名
      M. A. H. Khalafalla, Y. Ono, K. Nishiguchi, A. Fujiwara
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: Vol.94, No.22

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrons and holes in a 40nm thick silicon slab at cryogenic temperatures2009

    • 著者名/発表者名
      K. Takashina, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisawa, Y. Hirayama, K. Muraki
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: Vol.94, No.14

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] ナノスケールMOSデバイスにおける界面物性の揺らぎ-界面トラップ1個1個を検出して評価する-2009

    • 著者名/発表者名
      土屋敏章
    • 雑誌名

      応用物理

      巻: vol.78 ページ: 868-872

    • NAID

      10025088628

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Horizontal position analysis of single acceptors in Si nanoscale field-effect transistors2009

    • 著者名/発表者名
      M.A.H.Khalafalla, Y.Ono, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. Vol.94

    • 関連する報告書
      2010 自己評価報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Horizontal position analysis of single acceptors in Si nanoscale field-effect transistors2009

    • 著者名/発表者名
      M.A.H.Khalafalla, Y.Ono, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.94

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrons and holes in a 40nm thick silicon slab at cryogenic temperatures2009

    • 著者名/発表者名
      K.Takashina, K.Nishiguchi, Y.Ono, A.Fujiwara, T.Fujisawa, Y.Hirayama, K.Muraki
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.94

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] ナノスケールMOSデバイスにおける界面物性の揺らぎ-界面トラップ1個1個を検出して評価する-2009

    • 著者名/発表者名
      土屋敏章
    • 雑誌名

      応用物理 78(9)

      ページ: 868-872

    • NAID

      10025088628

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Escape dynamics of a few electrons in a single-electron ratchet using silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor2008

    • 著者名/発表者名
      S. Miyamoto, K. Nishiguchi, Y. Ono, K. M. Itoh, A. Fujiwara
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: Vol.93, No.22

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Single-electron-resolution electrometer based on field-effect transistor2008

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguchi, C. Koechlin, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: Vol.47, No.11 ページ: 8305-8310

    • NAID

      40016346937

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Why the long-term charge offset drift in Si single-electron tunneling transistors is much smaller(better) than in metal-based ones : Two-level fluctuator stability2008

    • 著者名/発表者名
      N. M. Zimmerman, W. H. Huber, B. Simonds, E. Hourdakis, A. Fujiwara, Y. Ono, Y. Takahashi, H. Inokawa, M. Furlan, M. W. Keller
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys

      巻: Vol.104, No.

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] First-principles study on origin of ferromagnetism of MnSi1. 7 nanoparticles in Si2008

    • 著者名/発表者名
      S. Yabuuchi, H. Kageshima, Y. Ono, M. Nagase, A. Fujiwara, E. Ohta
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B

      巻: Vol.78, No.4

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Charge transport in boron-doped nano MOSFETs : Towards single-dopant electronics2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, M. Khalafalla, K. Nishiguchi, K. Takashina, A. Fujiwara, S. Horiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Appl. Sur. Sci

      巻: Vol.254, No.19 ページ: 6252-6256

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ferromagnetism of manganese-silicide nanopariticles in Silicon2008

    • 著者名/発表者名
      S. Yabuuchi, Y. Ono, H. Kageshima, M. Nagase, A. Fujiwara, E. Ohta
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: Vol.47, No.6 ページ: 4487-4450

    • NAID

      40016110965

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] A gate-defined silicon quantum dot molecule2008

    • 著者名/発表者名
      H. W. Liu, T. Fujisawa, H. Inokawa, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Hirayama
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: Vol.92, No.22

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] First-principles study on origin of ferromagnetism of MnSi1.7 nanoparticles in Si2008

    • 著者名/発表者名
      S.Yabuuchi, H.Kageshima, Y.Ono, M.Nagase, A.Fujiwara, E.Ohta
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B Vol.78

    • 関連する報告書
      2010 自己評価報告書
  • [雑誌論文] Escape dynamics of a few electrons in a single-electron ratchet using silicon nanowire metaloxide-semiconductor field-effect transistor2008

    • 著者名/発表者名
      S. Miyamoto, K. Nishiguchi, Y. Ono, K. M. Itoh, A. Fujiwara
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. Vol.93

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Single-Electron-Resolution Electrometer Based on Field-Effect Transistor2008

    • 著者名/発表者名
      2. K. Nishiguchi, C. Koechlin, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. Vol.47

      ページ: 8305-8310

    • NAID

      40016346937

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] First-principles study on origin of ferromagnetism of MnSil. 7 nanoparticles in Si2008

    • 著者名/発表者名
      S. Yabuuchi, H. Kageshima, Y. Ono, M. Nagase, A. Fujiwara, E. Ohta
    • 雑誌名

      Phys. Rev. Vol.B78

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Charge transport in boron-doped nano MOSFETs : Towards single-dopant electronics2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, M. Khalafalla, K. Nishiguchi, K. Takashina, A. Fujiwara, S. Horiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Appl. Sur. Science Vol.254

      ページ: 6252-6256

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ferromagnetism of manganese-silicide nanopariticles in Silicon2008

    • 著者名/発表者名
      S. Yabuuchi, Y. Ono, H. Kageshima, M. Nagase, A. Fujiwara, E. Ohta
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. Vol.47

      ページ: 4487-4450

    • NAID

      40016110965

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] A gate-defined silicon quantum dot molecule2008

    • 著者名/発表者名
      H. W. Liu, T. Fujisawa, H. Inokawa, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Hirayama
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. Vol.92

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] Donor based SE pumps with tunable donor binding energy2012

    • 著者名/発表者名
      G.P.Lansbergen
    • 学会等名
      The 2012 International Conference on Nanoscience and Nanotechnology
    • 発表場所
      Perth, WA Australia
    • 年月日
      2012-02-06
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Subband energy manipulation by gate voltage in Si (100) hole system2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Niida
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems
    • 発表場所
      Tallahassee, Florida, USA
    • 年月日
      2011-07-26
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Control of Dopant Distribution by Single-Ion Implantation and its Impacton Transconductance of FETs2011

    • 著者名/発表者名
      T.Shinada
    • 学会等名
      2011 Asdia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
    • 発表場所
      Daejeon, Korea(Invited)
    • 年月日
      2011-06-29
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Dopants in silicon transistors ; Transport and Photoemission2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono
    • 学会等名
      CMOS Emerging Technologies Workshop
    • 発表場所
      Whistler, BC, Canada(Invited)
    • 年月日
      2011-06-16
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Impact of a few dopant positions controlled by single-ion implantation on transconductance of FETs2011

    • 著者名/発表者名
      M.Hori
    • 学会等名
      11th International Workshop on Junction Technology
    • 発表場所
      Kyoto
    • 年月日
      2011-06-09
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Quantum transport in deterministically implanted single-donors in Si FETs2011

    • 著者名/発表者名
      T. Shinada
    • 学会等名
      2011 International Electron Devices Meeting
    • 発表場所
      San Fransisco, USA
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Charge transfer by multiple donors in a Si nanowire2011

    • 著者名/発表者名
      G. P. Lansbergen
    • 学会等名
      2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Nagoya
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書 2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Subband energy manipulation by gate voltage in Si(100) hole system2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Niida
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems
    • 発表場所
      Tallahassee, Florida
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Observation of new current peaks of Si single-electron transistor with a single-hole trap2011

    • 著者名/発表者名
      M. Sinohara
    • 学会等名
      2011 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Kyoto
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書 2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Capture and emission kinetics of traps in MOSFETs2011

    • 著者名/発表者名
      G. P. Lansbergen
    • 学会等名
      2011 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Kyoto
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書 2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Quantum transport in deterministically implanted single-donors in Si FETs2011

    • 著者名/発表者名
      T.Shinada
    • 学会等名
      2011 International Electron Devices Meeting
    • 発表場所
      San Fransisoo, USA
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Performance evaluation of transistors with discrete dopants by single-ion doping method2010

    • 著者名/発表者名
      T.Shinada
    • 学会等名
      21th International conference on the application of accelerators in research and industry
    • 発表場所
      Fort Worth, TX, USA
    • 年月日
      2010-08-08
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Significance of the interface regarding magnetic properties of Mn-nanosilicide in silicon2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono
    • 学会等名
      Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related materials Science and Technology Towards Sustainable Ontoelectronies
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      2010-07-26
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Electroluminescence study of phosphorus ionization in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2010

    • 著者名/発表者名
      J.Noborisaka
    • 学会等名
      International Symposium on Nanoscale Transport and Technology
    • 発表場所
      Atsugi
    • 年月日
      2010-01-13
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Charge switching in wire MOSFETs studied by separation of capture and emission2010

    • 著者名/発表者名
      G.P.Lansbergen
    • 学会等名
      International Symposium on Nanoscale Transport and Technology
    • 発表場所
      Atsugi
    • 年月日
      2010-01-12
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Reliable Single Atom Doping and Discrete Dopant Effects on Transistor Performance2010

    • 著者名/発表者名
      T. Shinada
    • 学会等名
      2010 International Electron Devices Meeting
    • 発表場所
      San Fransisco, USA
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書 2010 実績報告書
  • [学会発表] KFM Observation of Single-Electron Filling in Dopant Arrays2010

    • 著者名/発表者名
      M. Anwar
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tokyo
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書 2010 実績報告書
  • [学会発表] Strong Stark effect of electroluminescence in thin SOI MOSFETs2010

    • 著者名/発表者名
      J. Noborisaka
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tokyo
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書 2010 実績報告書
  • [学会発表] Effect of Device Structure on Electrical Conduction of Terphenyl-based Molecule2010

    • 著者名/発表者名
      T. Goto
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tokyo
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Electron-mobility suppression under valley-polarized region in Si quantum well2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Niida
    • 学会等名
      30^<th> International Conference on the Pysics of Semiconductors
    • 発表場所
      Seoul, Korea
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Significance of the interface regarding magnetic properties of Mn nanosilicide in silicon2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono
    • 学会等名
      Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related materials Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Enhancement of electron transport property in FET with asymmetric ordered dopant distribution2010

    • 著者名/発表者名
      M. Hori
    • 学会等名
      18^<th> International Conference on Ion Implantation Technology
    • 発表場所
      Kyoto
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Performance evaluation of MOSFETs with discrete dopant distribution by one-by-one doping method. SPIE Advanced Lithography-Alternative Lithographic Technologies II2010

    • 著者名/発表者名
      T. Shinada
    • 発表場所
      San Jose, USA
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] In plane transport in a double layer crystalline silicon stracture with an SiO_2 barrier2010

    • 著者名/発表者名
      K. Takashina
    • 学会等名
      2010 International Symposium on Atom-scale Silicon Hybrid Nanotechnologies for'More. than-Moore' & 'Beyond CMOS' Era
    • 発表場所
      Southampton, UK
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Fluctuations in Electronic Properties of Individual Interface Traps in Nanoscale MOSFETs2010

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuchiya
    • 学会等名
      International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics
    • 発表場所
      Tokyo
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書 2010 実績報告書
  • [学会発表] Single dopant effects in silicon nano transistors2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono, M.Khalafalla, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
    • 学会等名
      Single Dopant Control
    • 発表場所
      Leiden, Netherlands(招待講演)
    • 関連する報告書
      2010 自己評価報告書
  • [学会発表] Single dopant effects in silicon nano transistors2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono, M.Khalafalla, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
    • 学会等名
      2010 International Symposium on Atom-scale Silicon HybridNanotechnologies for 'More-than-Moore'& 'Beyond CMOS' Era
    • 発表場所
      Southampton, UK(招待講演)
    • 関連する報告書
      2010 自己評価報告書
  • [学会発表] Single dopant effects in silicon nano transistors2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono, M.Khalafalla, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
    • 学会等名
      Single Dopant Control
    • 発表場所
      Leiden, Netherlands
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Single dopant effects in silicon nano transistors2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono, M.Khalafalla, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
    • 学会等名
      2010 International Symposium on Atom-scale Silicon Hybrid Nanotechnologies for 'More-than-Moore' & 'Beyond CMOS' Era
    • 発表場所
      southampton, UK
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Si single-dopant FETs and observation of single-dopant potential by LT-KFM2010

    • 著者名/発表者名
      M.Tabe, D.Moraru, M.Anwar, Y.Kawai, S.Miki, Y.Ono, T.Mizuno
    • 学会等名
      5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Single-electron counting statistics of shot noise in nanowire Si MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguchi
    • 学会等名
      2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Sendai
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Tunnel spectroscopy of electron subbands in thin SOI MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      J. Noborisaka
    • 学会等名
      2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Sendai
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Direct Observation of Fluctuations in Both the Number and Individual Carrier Capture Rate of Interface Traps in Small Gate-Area MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuchiya
    • 学会等名
      39th European Solid-State Device Research Conference
    • 発表場所
      Athens, Greece
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書 2009 実績報告書
  • [学会発表] Fluctuation in Electronic Properties of Interface Traps in Nano-MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuchiya
    • 学会等名
      4th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書 2009 実績報告書
  • [学会発表] Single-electron devices based on silicon nanowire MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      A. Fujiwara
    • 学会等名
      Trends in NanoTechnology International Conference
    • 発表場所
      Barcelona, Spain
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Detection and position analysis of sinle and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors2009

    • 著者名/発表者名
      M. A. H. Khalafalla
    • 学会等名
      2009 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Kyoto
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Effect ofδ-function-like boron charge sheet on p-channel ultra-thin SOI MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      M. Kawach
    • 学会等名
      2009 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Kyoto
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Asymmetric mobility of electrons and holes with respect to quantum-well potential in a double gate SIMOX MOSFET2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Niida
    • 学会等名
      International Symposium on Nanoscale Transport and Technology
    • 発表場所
      Atsugi
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] In-plane transport in a double layer crystalline silicon structure with an SiO2 barrier2009

    • 著者名/発表者名
      K. Takashina
    • 学会等名
      International Symposium on Nanoscale Transport and Technology
    • 発表場所
      Atsugi
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Detection and position analysis of sinle and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors2009

    • 著者名/発表者名
      M. A. H. Khalafalla
    • 学会等名
      International Symposium on Nanoscale Transport and Technology
    • 発表場所
      Atsugi
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Identification of single dopants in nanowire MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono, M.Khalafalla, S.Horiguchi, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
    • 学会等名
      2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Sendai(招待講演)
    • 関連する報告書
      2010 自己評価報告書
  • [学会発表] Identification of single dopants in nanowire MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono, M.Khalafalla, S.Horiguchi, K.Nishiguchi, A.Fujiwara :
    • 学会等名
      2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Detection and position analysis of sinle and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors2009

    • 著者名/発表者名
      M.A.H.Khalafalla, Y.Ono, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
    • 学会等名
      2009 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Effect of δ-function-like boron charge sheet on p-channel ultra-thin SOI MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      M.Kawachi, Y.Ono, A.Fujiwara, S.Horiguchi
    • 学会等名
      2009 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Asymmetric mobility of electrons and holes with respect to quantum-well potential in a double gate SIMOX MOSFET2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Niida, K. Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Hirayama, K. Muraki
    • 学会等名
      International Symposium on Nanoscale Transport and Technology, (ISNTT-2009)
    • 発表場所
      Atsugi, Japan
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] In-plane transport in a double layer crystalline silicon structure with an SiO2 barrier2009

    • 著者名/発表者名
      K. Takashina, M. Nagase, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisawa, K. Muraki
    • 学会等名
      International Symposium on Nanoscale Transport and Technology, (ISNTT-2009)
    • 発表場所
      Atsugi, Japan
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Detection and position analysis of sinle and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors2009

    • 著者名/発表者名
      M. A. H. Khalafalla, Y. Ono, K. Nishiguchi, A. Fujiwara
    • 学会等名
      International Symposium on Nanoscale Transport and Technology, (ISNTT-2009)
    • 発表場所
      Atsugi, Japan
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Capture/Emission Process of Carriers in Interface Traps Observed in the Transient Charge Pumping Characteristics of MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuchiya
    • 学会等名
      39th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference
    • 発表場所
      San Diego, USA
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Single-electron devices and their circuit applications2008

    • 著者名/発表者名
      A. Fujiwara
    • 学会等名
      2008 Tera-level nanodevices(TND) Technical Forum
    • 発表場所
      Korea
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Escape dynamics of electron in a single-electron ratchet using silicon nanowire MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      S. Miyamoto
    • 学会等名
      EEE Nanotechonology Materials and Devices Conference
    • 発表場所
      Kyoto
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] In-plane transport in a double layer crystalline silicon structure with an SiO2 barrier2008

    • 著者名/発表者名
      K. Takashina
    • 学会等名
      IEEE Nanotechonology Materials and Devices Conference
    • 発表場所
      Kyoto
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Single-dopant effect in Si MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono, M.Khalafalla, A.Fujiwara, K.Nishiguchi, K.Takashina, S.Horiguchi, Y.Takahashi, H.Inokawa
    • 学会等名
      IEEE Nanotechonology Materials and Devices Conference 2008
    • 発表場所
      Kyoto(招待講演)
    • 関連する報告書
      2010 自己評価報告書
  • [学会発表] Single boron detection in nano-scale SOI MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono
    • 学会等名
      The 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      Osaka, Japan(招待講演)
    • 関連する報告書
      2010 自己評価報告書
  • [学会発表] New functional single-electron devices using nanodot array and multiple input gates2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Takahashi, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Inokawa : (Invited)
    • 学会等名
      The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Single-electron devices and their circuit applications2008

    • 著者名/発表者名
      A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi : (invited)
    • 学会等名
      2008 Tera-level nanodevices (TND) Technical Forum
    • 発表場所
      Korea
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Escape dynamics of electron in a single-electron ratchet using silicon nanowire MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      S. Miyamoto, K. Nishiguchi, Y. Ono, K. M. Ito, A. Fujiwara
    • 学会等名
      IEEE Nanotechonology Materials and Devices Conference 2008 (NMDC-2008)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] In-plane transport in a double layer crystalline silicon structure with an SiO2 barrier2008

    • 著者名/発表者名
      K. Takashina, M. Nagase, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisawa
    • 学会等名
      IEEE Nanotechonology Materials and Devices Conference 2008 (NMDC-2008)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Single-dopant effect in Si MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, M. Khalafalla, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, K. Takashina, S. Horiguchi, Y. Takahashi, H. Inokawa
    • 学会等名
      IEEE Nanotechonology Materials and Devices Conference 2008 (NMDC-2008)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Single boron detection in nano-scale SOI MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono
    • 学会等名
      The 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IEEE IMFEDK-2008)
    • 発表場所
      Osaka, Japan
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Capture/Emission Process of Carriers in Interface Traps Observed in the Transient Charge-Pumping Characteristics of MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      39th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2008)
    • 発表場所
      San Diego, USA
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Impact of a few dopant positions controlled by single-ion implantation on transconductance of FETs

    • 著者名/発表者名
      M. Hori
    • 学会等名
      11th International Workshop on Junction Technology
    • 発表場所
      Kyoto
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Electroluminescence study of phosphorus ionization in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

    • 著者名/発表者名
      J. Noborisaka
    • 学会等名
      International Symposium on Nanoscale Transport and Technology
    • 発表場所
      Atsugi
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Charge switching in wire MOSFETs studied by separation of capture and emission

    • 著者名/発表者名
      G. P. Lansbergen
    • 学会等名
      International Symposium on Nanoscale Transport and Technology
    • 発表場所
      Atsugi
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Electron-hole transport in a 40 nm thick silicon slab

    • 著者名/発表者名
      K. Takashina
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems
    • 発表場所
      Kobe, Japan
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Single-electron activation over an oscillating barrier in silicon nanowire MOSFETs

    • 著者名/発表者名
      S. Miyamoto
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems
    • 発表場所
      Kobe, Japan
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [図書] Silicon Single-Electron Devices, in" Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures eds2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Takahashi, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and H. Inokaw, N. Koshida
    • 出版者
      Springer
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [図書] Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures(Silicon Single-Electron Devices)2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Takahashi, Y.Ono, A.Fujiwara, K.Nishiguchi, H.Inokawa
    • 出版者
      Springer
    • 関連する報告書
      2010 自己評価報告書
  • [図書] Single-electron transistor and its logic application, in "Information Technology II(volume 4) of Nanotechnology"2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi and A. Fujiwara
    • 出版者
      Wiley-VCH Verlag
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [図書] Information Technology II (volume 4) of Nanotechnology(Single-electron transistor and its logic application)2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono, K.Nishiguchi, H.Inokawa, Y.Takahashi, A.Fujiwara
    • 出版者
      Wiley-VCH Verlag
    • 関連する報告書
      2010 自己評価報告書
  • [図書] Information Technology II (volume 4) of Nanotechnology2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, A. Fujiwara
    • 総ページ数
      23
    • 出版者
      Wiley-VCH Verlag
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.brl.ntt.co.jp/people/ono/index.html

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.brl.ntt.co.jp/people/ono/index.html

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.brl.ntt.co.jp/people/ono/index.html

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.brl.ntt.co.jp/people/ono/index.html

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書

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公開日: 2008-04-01   更新日: 2016-04-21  

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