| 研究課題/領域番号 |
20245046
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
高分子・繊維材料
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
安達 千波矢 九州大学, 工学研究院, 教授 (30283245)
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| 研究分担者 |
八尋 正幸 九州大学, 未来化学創造センター, 助教 (40432877)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
40,430千円 (直接経費: 31,100千円、間接経費: 9,330千円)
2010年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2009年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2008年度: 32,370千円 (直接経費: 24,900千円、間接経費: 7,470千円)
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| キーワード | 有機FET / ポリジアセチレン / 移動度 / 固相重合 / LB膜 / 高速電子移動度 / 電子線照射 / ドーピング / 発光デバイス / Ambipolar / 高速移動度 / 真空蒸着 / レーザアニール |
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| 研究概要 |
ポリジアセチレンは、固相重合によって高度に発達した主鎖共役系を形成できることから、高速移動度が期待される。本研究では、紫外線、熱、電子線等の様々な重合条件について検討を行い、モノマー薄膜のSEM観察時にジアセチレンモノマーが均一に重合する様子から、電子線照射による重合法の有用性を見出した。
電子線照射では、均一にモノマーの重合が起き、FET特性も優れた性能を示し、最大ホール移動度が4cm^2/Vsに達する高い値が得られた。光重合法では重合度が不均一であるのに対して、電子線照射では均一に重合反応が進行することがわかり、今後の実用化展開が期待される。
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