| 研究課題/領域番号 |
20246005
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
小林 光 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (90195800)
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| 研究分担者 |
松本 健俊 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (20390643)
山口 俊郎 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (40167698)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
50,050千円 (直接経費: 38,500千円、間接経費: 11,550千円)
2010年度: 14,430千円 (直接経費: 11,100千円、間接経費: 3,330千円)
2009年度: 17,810千円 (直接経費: 13,700千円、間接経費: 4,110千円)
2008年度: 17,810千円 (直接経費: 13,700千円、間接経費: 4,110千円)
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| キーワード | SiC / SiO2 / 低温酸化 / MOS / 硝酸酸化 / リーク電流 / 水素処理 / 界面準位 / MOS構造 / SiO_2 / 酸素原子 / 硝酸 / SiOC / 界面反応 / ナノ細孔 / 欠陥制御 / 界面制御 / 二酸化シリコン膜 / 電流-電圧特性 / 電気容量-電圧特性 / 電気特性 |
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| 研究概要 |
硝酸酸化法を用いて、電気特性の良好なSiO_2/SiC構造を低温創製した。3C-SiCでは、400℃の水素処理によって表面が原子レベルで平坦になった。その後、濃度が40%と68%の硝酸で酸化する二段階硝酸酸化法を用いて120℃で、SiC/SiO_2構造を形成した。水素処理をSiCに施さなかった場合はリーク電流は高かったが、水素処理を施すことによってリーク電流密度が約6桁減少した。気相硝酸酸化法を用いて、600℃でSiO_2/4H-SiC構造を形成した。酸化は、ステップエッジのみから起こり、C面の初期酸化速度はSi面の酸化速度の2.8倍あることがわかった。Si面では界面にSiOCが形成されるが、C面ではそれが存在しないことがわかった。
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