| 研究課題/領域番号 |
20246007
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
大橋 直樹 独立行政法人物質・材料研究機構, 光材料センター, センター長 (60251617)
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| 研究分担者 |
坂口 勲 独立行政法人物質・材料研究機構, 光材料センター, 主幹研究員 (20343866)
和田 芳樹 独立行政法人物質・材料研究機構, 光材料センター, 主幹研究員 (90343847)
羽田 肇 独立行政法人物質・材料研究機構, センサ材料センター, センター長 (70354420)
安達 裕 独立行政法人物質・材料研究機構, 光材料センター, 主幹研究員 (30354418)
石垣 隆正 法政大学, 生命科学部, 教授 (40343842)
大垣 武 独立行政法人物質・材料研究機構, センサ材料センター, 研究員 (80408731)
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| 連携研究者 |
吉川 英樹 独立行政法人物質・材料研究機構, 共用ビームステーション, 主幹研究員 (20354409)
上田 茂典 独立行政法人物質・材料研究機構, 共用ビームステーション, 研究員 (20360505)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
49,400千円 (直接経費: 38,000千円、間接経費: 11,400千円)
2010年度: 9,750千円 (直接経費: 7,500千円、間接経費: 2,250千円)
2009年度: 9,750千円 (直接経費: 7,500千円、間接経費: 2,250千円)
2008年度: 29,900千円 (直接経費: 23,000千円、間接経費: 6,900千円)
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| キーワード | 酸化亜鉛 / ウエファー / 精密研磨 / 圧電特性 / エピタキシャル成長 / 単結晶ウエファー / 表面欠陥 / 研磨 / イオン注入 / 固相拡散 / 半導体ウエファー / 欠陥構造 / 表面構造 |
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| 研究概要 |
酸化亜鉛系混晶自立ウエファーの素子応用に向け、特に、その表面状態の制御や欠陥制御について検討した。まず、補助金によって導入した精密研磨装置を用い、ダメージの少ない表面平坦化を検討し、光学物性に優れた原子レベル平坦面の形成に成功した。これに加えて、素子設計に必要な物性値である圧電特性の評価を実施し、さらに、ヘテロ構造を形成するための、エピタキシャル技術について検討を加えた。
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