| 研究課題/領域番号 |
20246054
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
山本 眞史 北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 教授 (10322835)
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| 研究分担者 |
植村 哲也 北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 准教授 (20344476)
松田 健一 北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 助教 (80360931)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
47,450千円 (直接経費: 36,500千円、間接経費: 10,950千円)
2010年度: 8,060千円 (直接経費: 6,200千円、間接経費: 1,860千円)
2009年度: 8,060千円 (直接経費: 6,200千円、間接経費: 1,860千円)
2008年度: 31,330千円 (直接経費: 24,100千円、間接経費: 7,230千円)
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| キーワード | ハーフメタル / ホイスラー合金 / ヘテロ構造 / スピントロニクス / エピタキシャル成長 / MgOバリア / スピン依存トンネリング / 半導体Ge / トンネル現象 / スピン注入 / スピン輸送特性 |
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| 研究概要 |
ハーフメタル特性に由来する潜在的に高いスピン偏極率を有するホイスラー合金薄膜は,スピントロニクスデバイスの強磁性電極材料として有望である.本研究では,ホイスラー合金薄膜のハーフメタル特性を十分に活用するための高品質ヘテロ構造を開発すると共に,優れたデバイス特性を実証した.さらに,ホイスラー合金薄膜を上部・下部両電極に用い,MgOバリアを用いるエピタキシャル強磁性トンネル接合デバイスのスピン依存トンネル抵抗が室温においてMgOバリア厚に対し顕著な振動的依存性を示すことを見出した.
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