少数ドーパントのポテンシャル揺らぎを利用したシリコン単電子転送デバイス

• 研究課題/領域番号: 20246060
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 静岡大学
• 研究代表者: 田部 道晴 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (80262799)
• 研究分担者: 猪川 洋 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (50393757) ; 佐藤 弘明 静岡大学, 電子工学研究所, 助教 (00380113) ; 池田 浩也 静岡大学, 電子工学研究所, 准教授 (00262882)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2010
• 研究課題ステータス: 完了 (2011年度)
• 配分額: 45,110千円 (直接経費: 34,700千円、間接経費: 10,410千円); 2011年度: 7,670千円 (直接経費: 5,900千円、間接経費: 1,770千円); 2010年度: 10,140千円 (直接経費: 7,800千円、間接経費: 2,340千円); 2009年度: 11,050千円 (直接経費: 8,500千円、間接経費: 2,550千円); 2008年度: 16,250千円 (直接経費: 12,500千円、間接経費: 3,750千円)
• キーワード: 少数電子素子 / 電子デバイス・機器 / 半導体超微細化 / シリコン

研究概要

本研究において、これまでに得た主な研究成果は以下のとおりである。(1) Siチャネル中にPドナーが多数存在する状態でも、単一ドナー原子が電流の立ち上がり特性を決めることを発見した。(2) Pドナー原子3個が立ち上がり特性を決めているデバイスを選別し、単電子転送機能を実証した。(3)極低温KFMにより、正帯電Pドナーおよび負帯電Bアクセプターの原子レベルの検出に引き続き、Pドナーへの電子注入も観測した。

研究成果

• [雑誌論文] Kelvin Probe Force Microsco pe me as urement uncertainty (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Ligowski, M. Tabe and R. Jablonski
  • 雑誌名: Advanced Materials Research 巻: 222 ページ: 114-117
  • 査読あり
• [雑誌論文] Memory effects based on dopant atoms innano-FETs (2011)
  • 著者名/発表者名: D. Moraru, E. Hamid, J. C. Tarido, S. Miki, T. Mizuno and M. Tabe
  • 雑誌名: Advanced Materials Research 巻: 222 ページ: 122-125
  • 査読あり
• [雑誌論文] Si-based single-dopant atom devices (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe, D. Moraru, A. Udhiarto, S. Miki, M. Anwar, Y. Kawai and T. Mizuno
  • 雑誌名: Advanced Materials Research 巻: 222 ページ: 205-208
  • 査読あり
• [雑誌論文] Single-photon detection by Si single-electron FETs (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe, A. Udhiarto, D. Moraru and T. Mizuno
  • 雑誌名: Phys. Status Solidi A 巻: 208 ページ: 646-651
  • 査読あり
• [雑誌論文] KFM Observation of Electron Charging and Discharging in Phosphorus-Doped SOI Channel (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Anwar, D. Moraru, Y. Kawai, M. Ligowski, T. Mizuno, R. Jablonski, M. Tabe
  • 雑誌名: Key Engineering Materials 巻: 470 ページ: 33-38
  • 査読あり
• [雑誌論文] Tunable Single-Electron Turnstile using Discrete Dopants in Nanoscale SOI-FETs (2011)
  • 著者名/発表者名: D. Moraru, K. Yokoi, R. Nakamura, S. Miki, T. Mizuno and M. Tabe
  • 雑誌名: Key Engineering Materials 巻: 470 ページ: 27-32
  • 査読あり
• [雑誌論文] Memory effects based on dopant atoms in nano-FETs (2011)
  • 著者名/発表者名: D.Moraru
  • 雑誌名: Advanced Materials Research 巻: 222 ページ: 122-125
  • 査読あり
• [雑誌論文] Kelvin Probe Force Microscope measurement uncertainty (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Ligowski
  • 雑誌名: Advanced Materials Research 巻: 222 ページ: 114-117
  • 査読あり
• [雑誌論文] Single-electron transfer between two donors in nanoscale thin silicon-on-insulator field-effect transistors (2010)
  • 著者名/発表者名: E. Hamid, D. Moraru, J. C. Tarido, S. Miki, T. Mizuno and M. Tabe
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 97
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electrical control of capacitance dispersion for single-electron turnstile operation in common-gated junction arrays (2010)
  • 著者名/発表者名: K. Yokoi, D. Moraru, T. Mizuno and M. Tabe
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 巻: 108
  • NAID: 120006682977
  • 査読あり
• [雑誌論文] Single-Electron Transpo rtthrough Single Dopants in a Dopant-Rich Environment (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe, D. Moraru, M. Ligowski, M. Anwar, R. Jablonski, Y. Ono and T. Mizuno
  • 雑誌名: Phys. Rev. Lett. 巻: 105
  • 査読あり
• [雑誌論文] Observation of Discrete Do pant Potential and Its Application to Si Single-Electron Devices (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe, D. Moraru, M. Ligowski, M. Anwar, K. Yokoi, R. Jablonski and T. Mizuno
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: 518
  • NAID: 120001968755
  • 査読あり
• [雑誌論文] Single-electron transfer between two donors in nanoscale thin silicon-on-insulator field-effect transistors (2010)
  • 著者名/発表者名: E. Hamid, D. Moraru, J.C. Tarido, S. Miki, T. Mizuno, M. Tabe
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett. 97
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electrical control of capacitance dispersion for single-electron turnstile operation in commongated junction arrays (2010)
  • 著者名/発表者名: K. Yokoi, D. Moraru, T. Mizuno, M. Tabe
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 108
  • 査読あり
• [雑誌論文] Single-Electron Transport through Single Dopants in a Dopant-Rich Environment (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe, D. Moraru, M. Ligowski, M. Anwar, R. Jablonski, Y. Ono, T. Mizuno
  • 雑誌名: Phys.Rev.Lett. Vol.105
  • 査読あり
• [雑誌論文] Single-Electron Transport through Single Dopants in a Dopant-Rich Environment (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Tabe
  • 雑誌名: Phys. Rev. Lett. 巻: 105
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electrical control of capacitance dispersion for single-electron turnstile operation in common-gated junction arrays (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Yokoi
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 巻: 108
  • 査読あり
• [雑誌論文] Single-electron transfer between two donors in nanoscale thin silicon-on-insulator field-effect transistors (2010)
  • 著者名/発表者名: E.Hamid
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 97
  • 査読あり
• [雑誌論文] Observation of Discrete Dopant Potential and Its Application to Si Single-Electron Devices (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Tabe
  • 雑誌名: Thin Solid Films 518
  • NAID: 120001968755
  • 査読あり
• [雑誌論文] Detection of in dividual dopants in single-electron devices-A study by KFM observation and simulation (2009)
  • 著者名/発表者名: M. Ligowski, D. Moraru, M. Anwar, J. C. Tarido, T. Mizuno, M. Tabe, R. Jablonski
  • 雑誌名: Journal of Automation, Mobile Robotics & Intelligent Systems 巻: 3 ページ: 130-133
  • 査読あり
• [雑誌論文] Single-electron transport characte ristics in quantum dot arrays due to ionized dopants (2009)
  • 著者名/発表者名: D. Moraru, M. Ligowski, J. C. Tarido, S. Miki, R. Nakamura, K. Yokoi, T. Mizuno, M. Tabe
  • 雑誌名: Journal of Automation, Mobile Robotics & Intelligent Systems 巻: 3 ページ: 52-54
  • 査読あり
• [雑誌論文] A photon position sensor consisting of single-electron circuits (2009)
  • 著者名/発表者名: A. K. Kikombo, M. Tabe and Y. Amemiya
  • 雑誌名: Nanotechinology 巻: 20
  • NAID: 120001633733
  • 査読あり
• [雑誌論文] Single-Electron Transfer by Inter-Dopant Coupling Tuning in Doped Nanowire Silicon-On-Insulator Field-Effect Transistors (2009)
  • 著者名/発表者名: D. Moraru, M. Ligowski, K. Yokoi, T. Mizuno and M. Tabe
  • 雑誌名: Appl. Phys. Express 巻: 2
  • NAID: 10025087024
  • 査読あり
• [雑誌論文] Single-Gated Single-Electron Transfer in Nonuniform Arrays of Quantum Dots (2009)
  • 著者名/発表者名: K. Yokoi, D. Moraru, M. Ligowski and M. Tabe
  • 雑誌名: Japan Journal Applied Physics 巻: 48
  • NAID: 120001820459
  • 査読あり
• [雑誌論文] Si Single-Electron SOI-MOSFETs : Interplay with Individual Dopants and Photons (2009)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe, Z. A. Burhanudin, R. Nuryadi, D. Moraru, M. Ligowski, R. Jablonskiand T. Mizuno
  • 雑誌名: MRSfall meeting 2008 proceedings, 2009Materials Research Society ページ: 1-7
  • 査読あり
• [雑誌論文] Single-electron transfer by inter-dopant coupling tuning in doped nanowire silicon-on-insulator field-effect transistors (2009)
  • 著者名/発表者名: D. Moraru, M. Ligowski, K. Yokoi, T. Mizuno, M. Tabe
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express. Vol.2, no.7 ページ: 71201-71201
  • NAID: 10025087024
  • 査読あり
• [雑誌論文] Single-Electron Transfer by Inter-Dopant Coupling Tuning in Doped Nano wire Silicon-On-Insulator Field-Effect Transistors (2009)
  • 著者名/発表者名: D.Moraru
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express 2
  • 査読あり
• [雑誌論文] A photon position sensor consisting of single-electron circuits (2009)
  • 著者名/発表者名: A.K.Kikombo
  • 雑誌名: Nanotechinology 20
  • 査読あり
• [雑誌論文] Single-electron transport characteristics in quantum dot arrays due to ionized dopants (2009)
  • 著者名/発表者名: D.Moraru
  • 雑誌名: Journal of Automation, Mobile Robotics & Intelligent Systems 3 ページ: 52-54
  • 査読あり
• [雑誌論文] Detection of individual dopants in single-electron devices-A study by KFM observation and simulation (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Ligowski
  • 雑誌名: Journal of Automation, Mobile Robotics & Intelligent Systems 3 ページ: 130-133
  • 査読あり
• [雑誌論文] Si Single-Electron SOI-MOSFETs : Interplay with Individual Dopants and Photons (2009)
  • 著者名/発表者名: Michiharu Tabe
  • 雑誌名: MRS fall meet ing 2008 proceedings, 2009 Materials Research Society 1145-MM10-01 ページ: 1-7
  • 査読あり
• [雑誌論文] Single-Gated Single-Electron Transfer in Nonuni form Arrays of Quantum Dots (2009)
  • 著者名/発表者名: Kiyohito Yokoi
  • 雑誌名: Japan Journal Applied Physics 48
  • 査読あり
• [雑誌論文] Observation of individual dopantsin a thin silicon layer by low tem perture Kelvin Prove Force Microscope (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Ligowski, D. Moraru, M. Anwar, T. Mizuno, R. Jablonski and M. Tabe
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 93
  • 査読あり
• [雑誌論文] Observation of individual dopants in a thin silicon layer by low temperature Kelvin Probe Force Microscope (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Ligowski, D. Moraru, M. Anwar, T. Mizuno, R. Jablonski, M. Tabe
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett. Vol.93 ページ: 142101-142101
  • 査読あり
• [雑誌論文] Observation of individual dopants in a thin silicon layer by low temperture Kelvin Prove Force Microscope (2008)
  • 著者名/発表者名: Maciej Ligowski
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 93
  • 査読あり
• [学会発表] Siナノワイヤp-nダイオードにおけるランダムテレグラフシグナルの観察 (2011)
  • 著者名/発表者名: D.Moraru
  • 学会等名: 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東日本大震災の為、講演予稿集の発行のみ
  • 年月日: 2011-03-09
• [学会発表] Single-Electron Memory Effects in Double-Donor and Triple-Donor Systems (2011)
  • 著者名/発表者名: E.Hamid
  • 学会等名: 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東日本大震災の為、講演予稿集の発行のみ
  • 年月日: 2011-03-09
• [学会発表] Photon-Induced RTS due to Single Donor Charging and Discharging in Phosphorus-Doped SOI-FETs (2011)
  • 著者名/発表者名: A.Udhiarto
  • 学会等名: 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東日本大震災の為、講演予稿集の発行のみ
  • 年月日: 2011-03-09
• [学会発表] Topography and Electronic Potential Correlation in Phosphorus-Doped FET Channel Measured by LT-KFM (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Nowak
  • 学会等名: 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東日本大震災の為、講演予稿集の発行のみ
  • 年月日: 2011-03-09
• [学会発表] Possibility of Electron Transfer between Two Donors via Interface in Doped Nanoscale Si FETs (2011)
  • 著者名/発表者名: J.C.Tarido
  • 学会等名: 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東日本大震災の為、講演予稿集の発行のみ
  • 年月日: 2011-03-09
• [学会発表] 単一不純物を有するシリコンナノロッドトランジスタの第一原理解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 葛屋陽平
  • 学会等名: 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東日本大震災の為、講演予稿集の発行のみ
  • 年月日: 2011-03-09
• [学会発表] Current Intermittency in SOI-FETs under Continuous Light Illumination (2011)
  • 著者名/発表者名: A. Udhiarto
  • 学会等名: 電子情報通信学会SDM/ED合同研究会
  • 発表場所: 北海道大学(札幌市)
  • 年月日: 2011-02-24
• [学会発表] Single-electron transfer between two donors in thin nanoscalesilicon transistors (2011)
  • 著者名/発表者名: D. Moraru
  • 学会等名: 電子情報通信学会SDM/ED合同研究会
  • 発表場所: 北海道大学(札幌市)
  • 年月日: 2011-02-24
• [学会発表] Single-electron transfer between two donors in thin nanoscale silicon transistors (2011)
  • 著者名/発表者名: D.Moraru
  • 学会等名: 電子情報通信学会SDM/ED合同研究会
  • 発表場所: 北海道大学(札幌市)
  • 年月日: 2011-02-24
• [学会発表] Si Single Dopant Devices (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe
  • 学会等名: The Int. Symp. on Nanoscale Transport and Technology(ISNTT2011)
  • 発表場所: NTT厚木R & Dセンター(厚木市)
  • 年月日: 2011-01-12
• [学会発表] Si Single Dopant Devices (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe
  • 学会等名: The Int.Symp. on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2011)
  • 発表場所: Atsugi
  • 年月日: 2011-01-12
• [学会発表] Si Single Dopant Devices (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Tabe
  • 学会等名: The Int. Symp. on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2011)
  • 発表場所: NTT厚木R&Dセンター(厚木市)
  • 年月日: 2011-01-12
• [学会発表] Observation of individual dopants in Si channel by Low-Temeperature KFM (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe
  • 学会等名: 18th Int. Colloquium on Scanning Probe Microscopy(ICSPM18)
  • 発表場所: 熱川ハイツ(東伊豆町)
  • 年月日: 2010-12-11
• [学会発表] Observation of individual dopants in Si channel by Low-Temeperature KFM (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe
  • 学会等名: 18th Int. Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM18)
  • 発表場所: Atagawa
  • 年月日: 2010-12-11
• [学会発表] Observation of individual dopants in Si channel by Low-Temeperature KFM (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Tabe
  • 学会等名: 18th Int. Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM18)
  • 発表場所: 熱川ハイツ(東伊豆町)
  • 年月日: 2010-12-11
• [学会発表] SOIを利用した新たな輸送制御による新機能デバイスの研究について (2010)
  • 著者名/発表者名: 田部道晴
  • 学会等名: 島根大学
  • 発表場所: 島根大学(松江市) 招待講演
  • 年月日: 2010-11-22
• [学会発表] Single-electron transport via single and multiple donors in Si-FETs (2010)
  • 著者名/発表者名: D.Moraru
  • 学会等名: The 12th Takayanagi Kenjiro Memorial Symp.
  • 発表場所: 静岡大学(浜松市)
  • 年月日: 2010-11-19
• [学会発表] Single dopant devices : Single-electron transport through single-dopants (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe
  • 学会等名: ITRS Deterministic Doping Workshop 2
  • 発表場所: UC Berkeley(USA)
  • 年月日: 2010-11-12
• [学会発表] Single dopant devices : Single-electron transport through single-dopants (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe
  • 学会等名: ITRS Deterministic Doping Workshop 2
  • 発表場所: USA
  • 年月日: 2010-11-12
• [学会発表] Single dopant devices : Single-electron transport through single-dopants (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Tabe
  • 学会等名: ITRS Deterministic Doping Workshop 2
  • 発表場所: UC Berkeley (USA)
  • 年月日: 2010-11-12
• [学会発表] Fabrication and Characterization of Si Nanowire p-n Diodes (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Miki
  • 学会等名: 2010 Korean-Japanese-Student Workshop (KJS Workshop)
  • 発表場所: Pusan National University (Korea)
  • 年月日: 2010-11-03
• [学会発表] 低温KFMによるリンをドープしたSOI表面の電位観察 (2010)
  • 著者名/発表者名: 川合雄也
  • 学会等名: 応用物理学会東海支部第17回基礎セミナー
  • 発表場所: 静岡大学(浜松市)
  • 年月日: 2010-10-20
• [学会発表] Single-Photon Detection by Individual Dopants and the Effect of Channel Shape in SOI-FET (2010)
  • 著者名/発表者名: A. Udhiarto
  • 学会等名: 2010 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials(SSDM 2010)
  • 発表場所: 東京大学(東京都)
  • 年月日: 2010-09-23
• [学会発表] Single-Photon Detection by Individual Dopants and the Effect of Channel Shape in SOI-FET (2010)
  • 著者名/発表者名: A.Udhiarto
  • 学会等名: 2010 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
  • 発表場所: 東京大学(東京都)
  • 年月日: 2010-09-23
• [学会発表] KFM Observation of Single-Electron Filling in Isolated and Clustered Dopants (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Anwar
  • 学会等名: 2010 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials(SSDM 2010)
  • 発表場所: 東京大学(東京都)
  • 年月日: 2010-09-22
• [学会発表] KFM Observation of Single-Electron Filling in Isolated and Clustered Dopants (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Anwar
  • 学会等名: 2010 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
  • 発表場所: 東京大学(東京都)
  • 年月日: 2010-09-22
• [学会発表] Single-, Double-, and Triple-Dot Arrays in Patterned Phosphorus-Doped Nano-FETs (2010)
  • 著者名/発表者名: D.Moraru
  • 学会等名: 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎市)
  • 年月日: 2010-09-17
• [学会発表] Single-Electron Charging by Extension of Dopant-Induced Quantum Dot at Interfaces under Electric Field (2010)
  • 著者名/発表者名: E.Hamid
  • 学会等名: 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎市)
  • 年月日: 2010-09-17
• [学会発表] KFM Observation of Single-Electron Filling in Individual Dopants (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Anwar
  • 学会等名: 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎市)
  • 年月日: 2010-09-17
• [学会発表] Sensitivity Enhancement of Single-Photon Detection by Channel Patterning in Phosphorus-Doped SOI-FETs (2010)
  • 著者名/発表者名: A.Udhiarto
  • 学会等名: 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎市)
  • 年月日: 2010-09-17
• [学会発表] Single-Electron Trapping in Phosphorous Doped Nanoscale FETs (2010)
  • 著者名/発表者名: J.C.Tarido
  • 学会等名: 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎市)
  • 年月日: 2010-09-17
• [学会発表] Siナノワイヤp-nダイオードの作製と評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 三木早樹人
  • 学会等名: 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎市)
  • 年月日: 2010-09-17
• [学会発表] Kelvin Probe Force Microscope measurement uncertainty (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Ligowski
  • 学会等名: Inter-Academia 2010
  • 発表場所: Riga Technical University (Latvia)
  • 年月日: 2010-08-12
• [学会発表] Memory effects based on dopant atoms in nano-FETs (2010)
  • 著者名/発表者名: D. Moraru
  • 学会等名: Inter-Academia 2010
  • 発表場所: Riga Technical University(Latvia)
  • 年月日: 2010-08-11
• [学会発表] Memory effects based on dopant atoms in nano-FETs (2010)
  • 著者名/発表者名: D.Moraru
  • 学会等名: Inter-Academia 2010
  • 発表場所: Riga Technical University (Latvia)
  • 年月日: 2010-08-11
• [学会発表] Si-based single-dopant atom devices (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe
  • 学会等名: Inter-Academia 2010
  • 発表場所: Riga Technical University(Latvia)
  • 年月日: 2010-08-10
• [学会発表] Si-based single-dopant atom devices (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Tabe
  • 学会等名: Inter-Academia 2010
  • 発表場所: Riga Technical University (Latvia)
  • 年月日: 2010-08-10
• [学会発表] Si single-dopant devices and their characterization (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe
  • 学会等名: 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2010)
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2010-07-01
• [学会発表] Si single-dopant devices and their characterization (2010)
  • 著者名/発表者名: D.Moraru
  • 学会等名: 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2010)
  • 発表場所: 東京工業大学(東京都)
  • 年月日: 2010-07-01
• [学会発表] Single-dopant memory effect in P-doped Si SOI-MOSFETs (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Tabe
  • 学会等名: 2010 Silicon Nanoelectronics Workshop
  • 発表場所: Hilton Hawaiian Village (USA)
  • 年月日: 2010-06-14
• [学会発表] Control of dopant-induced quantum dots by channel geometry (2010)
  • 著者名/発表者名: D. Moraru
  • 学会等名: 2010 Silicon Nanoelectronics Workshop
  • 発表場所: Hilton Hawaiian Village(USA)
  • 年月日: 2010-06-13
• [学会発表] Control of dopant-induced quantum dots by channel geometry (2010)
  • 著者名/発表者名: D.Moraru
  • 学会等名: 2010 Silicon Nanoelectronics Workshop
  • 発表場所: Hilton Hawaiian Village (USA)
  • 年月日: 2010-06-13
• [学会発表] Single-photon detection by Si single-electron FETs (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe
  • 学会等名: European MRS(E-MRS) Symp. J : Silicon-based nanophotonics
  • 発表場所: Congress Center(France)
  • 年月日: 2010-06-08
• [学会発表] Single-photon detection by Si single-electron FETs (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe
  • 学会等名: European MRS (E-MRS) Symp. J : Silicon-based nanophotonics
  • 発表場所: France
  • 年月日: 2010-06-08
• [学会発表] Single-photon detection by Si single-electron FETs (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Tabe
  • 学会等名: European MRS (E-MRS) Symp. J : Silicon-based nanophotonics
  • 発表場所: Congress Center (France)
  • 年月日: 2010-06-08
• [学会発表] Tunable single-electron turnstile using discrete dopants in nanoscale SOI-FETs (2010)
  • 著者名/発表者名: D.Moraru
  • 学会等名: Int. Symp. on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE)
  • 発表場所: 東京工業大学(東京都)
  • 年月日: 2010-06-05
• [学会発表] KFM observation of electron charging and discharging in phosphorus-doped SOI channel (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Anwar
  • 学会等名: Int. Symp. on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE)
  • 発表場所: 東京工業大学(東京都)
  • 年月日: 2010-06-04
• [学会発表] Charging phenomena of a single electron in P-doped Si SOI-MOSFETs (2010)
  • 著者名/発表者名: E.Hamid
  • 学会等名: 電子情報通信学会ED, CPM, SDM合同研究会
  • 発表場所: 静岡大学(浜松市)
  • 年月日: 2010-05-13
• [学会発表] Single Photon Detection in Single Dot and Multi Dot Channel Phosphorus-Doped SOI-FET (2010)
  • 著者名/発表者名: A.Udhiarto
  • 学会等名: 電子情報通信学会ED, CPM, SDM合同研究会
  • 発表場所: 静岡大学(浜松市)
  • 年月日: 2010-05-13
• [学会発表] Si中に低加速イオン注入したAsの低温KFM観察 (2010)
  • 著者名/発表者名: 川合雄也
  • 学会等名: 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学 (平塚市)
  • 年月日: 2010-03-20
• [学会発表] Single-Dopant Control in Single-Electron Transport through Arrays of Donants (2010)
  • 著者名/発表者名: D.Moraru
  • 学会等名: 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学 (平塚市)
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] Observation of Si Channel Potential by LT-KFM (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Anwar
  • 学会等名: 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学 (平塚)
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] Interaction of Single Photon and Single Electron Transport in Phosphorus-Doped SOI-FET (2010)
  • 著者名/発表者名: A.Udhiarto
  • 学会等名: 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学 (平塚市)
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] ディスク状チャネルをもつ単電子トランジスタの特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 中村竜輔
  • 学会等名: 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学 (平塚市)
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] Simulation and experimental study of single electron trapping in dopednanoscale FETs (2010)
  • 著者名/発表者名: E.Hamid
  • 学会等名: 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学 (平塚市)
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] Towards Silicon-based Single Dopant Technology (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe
  • 学会等名: Atom-scale Silicon Hybrid Nanotechnolgies for' More-than-Moore' and' Beyond CMOS' Era
  • 発表場所: University of Southampton(UK)
  • 年月日: 2010-03-01
• [学会発表] Towards Silicon-based Single Dopant Technology (2010)
  • 著者名/発表者名: 田部道晴
  • 学会等名: JST Int. Sympo. on Atom-scale Silicon Hybrid Nanotechnolgies for 'More-than-Moore' and 'Beyond CMOS' Era
  • 発表場所: University of Southampton (UK)
  • 年月日: 2010-03-01
• [学会発表] Si Single-Dopant FETs and Observation of Single-Dopant Potential by LT-KFM (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe
  • 学会等名: 5th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
  • 発表場所: 東北大学(仙台市)
  • 年月日: 2010-01-29
• [学会発表] Si Single-Dopant FETs and Observation of Single-Dopant Potential by LT-KFM (2010)
  • 著者名/発表者名: 田部道晴
  • 学会等名: 5th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
  • 発表場所: 東北大学 (仙台市)
  • 年月日: 2010-01-29
• [学会発表] シングルドーパントデバイスの現状と課題 (2010)
  • 著者名/発表者名: 田部道晴
  • 学会等名: 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第117回研究集会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2010-01-22
• [学会発表] シングルドーパントデバイスの現状と課題 (2010)
  • 著者名/発表者名: 田部道晴
  • 学会等名: 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第117回研究集会
  • 発表場所: 早稲田大学 (東京都)
  • 年月日: 2010-01-22
• [学会発表] シリコン ドーパント原子デバイス (2009)
  • 著者名/発表者名: 田部道晴
  • 学会等名: 日本表面科学会中部支部研究会
  • 発表場所: 名古屋工業大学 (名古屋市)
  • 年月日: 2009-12-19
• [学会発表] 低温 Kelvin Probe Force 顕微鏡によるイオン注入効果の観察 (2009)
  • 著者名/発表者名: 川合雄也
  • 学会等名: 第9回 日本表面科学会中部支部 学術講演会
  • 発表場所: 名古屋工業大学 (名古屋市)
  • 年月日: 2009-12-19
• [学会発表] Single Dopant Memory Effect in Ultra-Thin Silicon Field Effect Transistors (2009)
  • 著者名/発表者名: J.C.Tarido
  • 学会等名: 第9回 日本表面科学会中部支部 学術講演会
  • 発表場所: 名古屋工業大学 (名古屋市)
  • 年月日: 2009-12-19
• [学会発表] シリコンドーパント原子デバイス (2009)
  • 著者名/発表者名: 田部道晴
  • 学会等名: 電子情報通信学会北海道支部・IEEE札幌支部共催講演会
  • 発表場所: 北海道大学(札幌市)
  • 年月日: 2009-12-11
• [学会発表] シリコンドーパント原子デバイス (2009)
  • 著者名/発表者名: 田部道晴
  • 学会等名: 電子情報通信学会北海道支部・IEEE札幌支部共催講演会
  • 発表場所: 北海道大学 (札幌市)
  • 年月日: 2009-12-11
• [学会発表] Calibration and inaccuracy estimation of Kelvin Probe Force Microscopy technique (2009)
  • 著者名/発表者名: M. Ligowski
  • 学会等名: Mechatronics 2009
  • 発表場所: Brno University of Technology(Czech Republic)
  • 年月日: 2009-11-18
• [学会発表] Calibration and inaccuracy estimation of Kelvin Probe Force Microscopy technique (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Ligowski
  • 学会等名: Mechatronics 2009
  • 発表場所: Brno University of Technology (Czech Republic)
  • 年月日: 2009-11-18
• [学会発表] Breakthrough of Advanced Nano-Silicon Devices (2009)
  • 著者名/発表者名: 田部道晴
  • 学会等名: 2nd Int. Conf. Advanced Material and Practice of Nanotechnology
  • 発表場所: BPPT Building 2 (Indonesia)
  • 年月日: 2009-11-11
• [学会発表] Single Dopant Electronics (2009)
  • 著者名/発表者名: 田部道晴
  • 学会等名: The 6th Korean-Japanese Student Workshop
  • 発表場所: 静岡大学 (浜松市)
  • 年月日: 2009-10-29
• [学会発表] Si Single Electron Devices Using Individual Dopants (2009)
  • 著者名/発表者名: S.Miki
  • 学会等名: The 6th Korean-Japanese Student Workshop
  • 発表場所: 静岡大学 (浜松市)
  • 年月日: 2009-10-29
• [学会発表] Single-Electron Transport through Discrete Dopants (2009)
  • 著者名/発表者名: D.Moraru
  • 学会等名: 2009 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: 仙台国際ホテル (仙台市)
  • 年月日: 2009-10-07
• [学会発表] Detection of individual dopants in single-electron devices-A study by KFM observation and simulation (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Ligowski
  • 学会等名: Inter-Academia 2009
  • 発表場所: SARP Dom Architekta (Poland)
  • 年月日: 2009-09-16
• [学会発表] Single-electron transport characteristics in quantum dot arrays due to ionized dopants (2009)
  • 著者名/発表者名: D.Moraru
  • 学会等名: Inter-Academia 2009
  • 発表場所: SARP Dom Architekta (Poland)
  • 年月日: 2009-09-15
• [学会発表] ゲート容量と接合容量の不均一性が単電子転送動作に与える効果 (2009)
  • 著者名/発表者名: 田部道晴
  • 学会等名: 2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学 (富山市)
  • 年月日: 2009-09-11
• [学会発表] Single-electron transport through individual dopants in heavily-dopednanoscale FETs (2009)
  • 著者名/発表者名: D.Moraru
  • 学会等名: 2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学 (富山市)
  • 年月日: 2009-09-11
• [学会発表] Possibility of single-electron trapping by a single dopant in doped nanoscale FETs (2009)
  • 著者名/発表者名: E.Hamid
  • 学会等名: 2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学 (富山市)
  • 年月日: 2009-09-11
• [学会発表] Observation of Single-Electron Charging in Dopant Potential by Kelvin Probe Force Microscope (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Anwar
  • 学会等名: 2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学 (富山市)
  • 年月日: 2009-09-11
• [学会発表] Si Multi-dot FET Using Discrete Dopants (2009)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe
  • 学会等名: 5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposiu
  • 発表場所: 大阪大学(吹田市)
  • 年月日: 2009-09-03
• [学会発表] Si Multi-dot FET Using Discrete Dopants (2009)
  • 著者名/発表者名: 田部道晴
  • 学会等名: 5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
  • 発表場所: 大阪大学 (吹田市)
  • 年月日: 2009-09-03
• [学会発表] Inter-Dopant Coupling Tuning for Single-Electron Transfer (2009)
  • 著者名/発表者名: D.Moraru
  • 学会等名: 2009 Silicon Nanoelectronics Workshop
  • 発表場所: Ringa Royal Hotel (京都市)
  • 年月日: 2009-06-14
• [学会発表] Single-Dopant Resolved Characteristics in Doped Nanowire Field-Effect Transistors (2009)
  • 著者名/発表者名: D.Moraru
  • 学会等名: 2009 Silicon Nanoelectronics Workshop
  • 発表場所: Ringa Royal Hotel (京都市)
  • 年月日: 2009-06-13
• [学会発表] Observation of discrete dopant potential and its application to Si single-electron devices (2009)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe
  • 学会等名: 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
  • 発表場所: Ayres Hotel(USA)
  • 年月日: 2009-05-18
• [学会発表] Observation of discrete dopant potential and its application to Si single-electron devices (2009)
  • 著者名/発表者名: 田部道晴
  • 学会等名: 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
  • 発表場所: Ayres Hotel (USA)
  • 年月日: 2009-05-18
• [学会発表] 多重トンネル接合によるランダムな接合容量下での単電子転送シミュレーション (2009)
  • 著者名/発表者名: 田部道晴
  • 学会等名: 2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: つくば
  • 年月日: 2009-03-30
• [学会発表] Inter-dopant coupling modulation in double-gated doped-nanowire FETs (2009)
  • 著者名/発表者名: モラル・ダニエル
  • 学会等名: 2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: つくば
  • 年月日: 2009-03-30
• [学会発表] Surface Potential of Thin Si Channel Measured by Low Temperature Kelvin Probe Force Microscope (LT-KFM) (2009)
  • 著者名/発表者名: Miftahul Anwar
  • 学会等名: 2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: つくば
  • 年月日: 2009-03-30
• [学会発表] PとBを同時ドープしたSOI-MOSFETの単電子輸送特性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 三木早樹人
  • 学会等名: 2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: つくば
  • 年月日: 2009-03-30
• [学会発表] Surface potential profile of doped Si channel measured bu low temperature Kelvin probe microscope (LT-KFM) (2008)
  • 著者名/発表者名: ミフタフル・アンワル
  • 学会等名: 第8回日本表面科学会中部支部学術講演会
  • 発表場所: 名古屋
  • 年月日: 2008-12-13
• [学会発表] Application and Observation of Discrete Dopant Potential for Si Single-Electron Devices (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe
  • 学会等名: IUMRS International Conference in Asia 2008
  • 発表場所: Nagoya Congress Center(名古屋市)
  • 年月日: 2008-12-10
• [学会発表] Application and Observation of Discrete Dopant Potential for Si Single-Electron Devices (2008)
  • 著者名/発表者名: Michiharu Tabe
  • 学会等名: IUMRS International Conference in Asia 2008
  • 発表場所: Nagoya
  • 年月日: 2008-12-10
• [学会発表] Si Single-Electron SOI-MOSFETs : Interplay with Individual Dopants and Photons (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Tabe
  • 学会等名: MRS fall meeting 2008
  • 発表場所: Hynes Convention Center, Boston・MA
  • 年月日: 2008-12-01
• [学会発表] Si Single-Electron SOI-MOSFETs : Interplay with Individual Dopants and Photons (2008)
  • 著者名/発表者名: Michiharu Tabe
  • 学会等名: MRS fall meeting 2008
  • 発表場所: Boston・MA
  • 年月日: 2008-12-01
• [学会発表] Atomic-level tuning of few-dopants arrays for single-electrontransfer (2008)
  • 著者名/発表者名: Daniel Moraru
  • 学会等名: The 10^<th> Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium & The 5^<th> International Symposium on Nanovision Science
  • 発表場所: Hamamatsu
  • 年月日: 2008-11-17
• [学会発表] Detect ion of Individual Dopants by Low Temperature Kelvin Probe Force Microscope (2008)
  • 著者名/発表者名: Maciei Ligowski
  • 学会等名: The 10^<th> Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium & The 5^<th> International Symposium on Nanovision Science
  • 発表場所: Hamamatsu
  • 年月日: 2008-11-17
• [学会発表] Single-Electron Transfer Operation in Inhomogeneous Arrays of Quantum Dots Introduced by Dopants (2008)
  • 著者名/発表者名: Kiyohito Yokoi
  • 学会等名: The 10^<th> Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium & The 5^<th> International Symposium on Nanovision Science
  • 発表場所: Hamamatsu
  • 年月日: 2008-11-17
• [学会発表] Measurement of Dopant-Induced Surface Potential in a Thin Silicon Layer by Low Temperature Kelvin Probe Force Microscope (2008)
  • 著者名/発表者名: Miftahul Anwar
  • 学会等名: The First Circular of The 4th Korean-Japanese-Chinese students Workshop
  • 発表場所: Miryang, Korea
  • 年月日: 2008-10-29
• [学会発表] Single-Electron Transfer by Controlling the Dopant-Induced Quantum Dot Landscape (2008)
  • 著者名/発表者名: Daniel Moraru
  • 学会等名: 2008 International Conference on Solid state Devices and Materials (SSDM 2008)
  • 発表場所: Tsukuba
  • 年月日: 2008-09-26
• [学会発表] Dopant Freeze-out and Potential Fluctuations Observed by Low Temperature Kelvin Probe Force Microscope (2008)
  • 著者名/発表者名: Maciej Ligowski
  • 学会等名: 2008 International Conference on Solid state Devices and Materials (SSDM 2008)
  • 発表場所: Tsukuba
  • 年月日: 2008-09-26
• [学会発表] Silicon Single-Electron Devices : Device Physics, Fabrication and Measurements (2008)
  • 著者名/発表者名: Michiharu Tabe
  • 学会等名: Inter-Academia 2008
  • 発表場所: Pecs, Hungary
  • 年月日: 2008-09-15
• [学会発表] Electrical manipulation of individual dopants and electrons in silicon nanowire field-effect transistors (2008)
  • 著者名/発表者名: Daniel Moraru
  • 学会等名: Inter-Academia 2008
  • 発表場所: Pecs, Hungary
  • 年月日: 2008-09-15
• [学会発表] Detection of dopant induced potential fluctuations in silicon nanodevice channel by Low Temperature Kelvin Probe Force Microscope (2008)
  • 著者名/発表者名: Maciej Ligowski
  • 学会等名: Inter-Academia 2008
  • 発表場所: Pecs, Hungary
  • 年月日: 2008-09-15
• [学会発表] ランダム系多重ドットトランジスタによる単電子転送のシミュレーション解析 (2008)
  • 著者名/発表者名: 田部道晴
  • 学会等名: 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 春日井
  • 年月日: 2008-09-05
• [学会発表] Gate tuning of doped-nanowire FETs for single-electron transfer (2008)
  • 著者名/発表者名: ダニエルモラル
  • 学会等名: 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 春日井
  • 年月日: 2008-09-05
• [学会発表] 低温KFMによるSOI-FETチャネル中のドーパントポテンシャル揺らぎの観察 (2008)
  • 著者名/発表者名: マチェイ リゴフスキ
  • 学会等名: 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 春日井
  • 年月日: 2008-09-05
• [学会発表] 単電子特性におけるドーパントイオン化ノイズ (2008)
  • 著者名/発表者名: 海老澤一仁
  • 学会等名: 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 春日井
  • 年月日: 2008-09-05
• [学会発表] Control of single dopants in the electron conduct ion path in SOI doped nanowire FETs (2008)
  • 著者名/発表者名: Daniel Moraru
  • 学会等名: 2008 Silicon Nanoelectronics Workshop
  • 発表場所: Honolulu, Hawaii
  • 年月日: 2008-06-16
• [学会発表] Si Bicrystal Single-Electron FETs (2008)
  • 著者名/発表者名: Daniel Moraru
  • 学会等名: 2008 Silicon Nanoelectronics Workshop
  • 発表場所: Honolulu, Hawaii
  • 年月日: 2008-06-15
• [学会発表] Si single-electron devices : manipulat ion of individual dopants (2008)
  • 著者名/発表者名: Michiharu Tabe
  • 学会等名: Nanoscale Semiconductor Devices (IWNSD)
  • 発表場所: Seoul, Korea
  • 年月日: 2008-05-16
• [図書] ナノシリコンの最新技術と応用展開第1章8「シリコン多重ドットFETの新機能:フォトン検出と単電子転送」 (2010)
  • 著者名/発表者名: 田部道晴
  • 出版者: シーエムシー出版
• [図書] 電子情報通信学会「知識ベース」S2群-2編-第1章「シリコンナノエレクトロニクス」 (2010)
  • 著者名/発表者名: 田部道晴
  • 出版者: オーム社
• [図書] ナノシリコンの最新技術と応用展開第1章(8「シリコン多重ドットFETの新機能:フォトン検出と単電子転送」)分担執筆 (2010)
  • 著者名/発表者名: 田部道晴, D. Moraru
  • 出版者: シーエムシー出版
• [図書] 電子情報通信学会「知識ベース」(S2群ナノ・量子・バイオ-2編ナノエレクトロニクス-第1章「シリコンナノエレクトロニクス」)分担執筆 (2010)
  • 著者名/発表者名: 田部道晴
  • 出版者: オーム社
• [図書] ナノシリコンの最新技術と応用展開第1章8、「シリコン多重ドットFETの新機能 : フォトン検出と単電子転送」 (2010)
  • 著者名/発表者名: 田部道晴
  • 総ページ数: 2010
  • 出版者: シーエムシー出版(発行予定)
• [備考] 静岡大学学術リポジトリ
  • URL: http://ir.lib.shizuoka.ac.jp/
• [備考] 電子工学研究所
  • URL: http://www.rie.shizuoka.ac.jp/index.html
• [備考] 田部研究室
  • URL: http://www.rie.shizuoka.ac.jp/~nanohome/
• [備考] 新聞掲載
• [備考] 田部道晴:集積回路原子の「ムラ」検査-静岡大、微細化促す新技術日経産業新聞(2008.10.2)
• [備考] ホームページ等
• [備考] 静岡大学学術リポジトリ
  • URL: http://ir.lib.shizuoka.ac.jp/
• [備考] 電子工学研究所
  • URL: http://www.rie.shizuoka.ac.jp/index.html
• [備考] 田部研究室
  • URL: http://www.rie.shizuoka.ac.jp/~nanohome/
• [備考]
  • URL: http://www.rie.shizuoka.ac.jp/index.html
• [備考]
  • URL: http://www.rie.shizuoka.ac.jp/~nanohome/
• [備考]
  • URL: http://www.rie.shizuoka.ac.jp/index.html
• [備考]
  • URL: http://www.rie.shizuoka.ac.jp/~nanohome/
• [備考]
  • URL: http://www.rie.shizuoka.ac.jp/index.html
• [備考]
  • URL: http://www.rie.shizuoka.ac.jp/~nanohome