| 研究課題/領域番号 |
20246098
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
伊藤 満 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授 (30151541)
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| 連携研究者 |
谷山 智康 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 准教授 (10302960)
谷口 博基 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 助教 (80422525)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
48,880千円 (直接経費: 37,600千円、間接経費: 11,280千円)
2010年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2009年度: 11,960千円 (直接経費: 9,200千円、間接経費: 2,760千円)
2008年度: 33,930千円 (直接経費: 26,100千円、間接経費: 7,830千円)
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| キーワード | 誘電体 / 磁性誘電体 / 強誘電体 / 圧電体 / 非鉛系強誘電体 / ペロブスカイト / 非鉛系 |
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| 研究概要 |
トレランスファクターに基づく従来の新物質探索でなく、トレランスファクターが1よりも小さな物質群も対象にした新しい指針に基づいて新物質を探索した。その結果、強誘電性の発現でペロブスカイトのAサイトイオンが重要な役割を果たす物質群を複数個見出すとともにいくつかの既知の化合物について全く新しい強誘電性発現に関する描像を提案した。また薄膜作製により、従来の枠組みを超えた全く新しい物質合成の手法を提案した。
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