研究課題
基盤研究(B)
我々が開発した単一分子レベルで導電性高分子の長さ・密度・方向・形を任意に制御しながら電極上に構築する新しい分子細線形成技術、電気化学エピタキシャル重合を用いて、金属基板上に高度に合成、配列させた分子細線を絶縁性基板上に金属基板上の構造を乱すこと無く分子レベルで転写する従来に無い新しい方法論"分子スケール転写"を開発した。また、その機構を表面科学的に明らかにすると共に、そのデバイス応用を行った。
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ACS Appl.Mater.Interfaces. 2(11)
ページ: 2995-2997
ACS Appl. Mater. Interfaces
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超分子サイエンス&テクノロジー(エヌ・ティー・エス出版)
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Microelectronics Engineering (印刷中)