| 研究課題/領域番号 |
20310095
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
社会システム工学・安全システム
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| 研究機関 | 名古屋工業大学 |
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研究代表者 |
ニラウラ マダン (NIRAULA Madan) 名古屋工業大学, 工学研究科, 准教授 (20345945)
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| 研究分担者 |
安田 和人 名古屋工業大学, 工学研究科, 教授 (60182333)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
15,470千円 (直接経費: 11,900千円、間接経費: 3,570千円)
2010年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2009年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2008年度: 11,960千円 (直接経費: 9,200千円、間接経費: 2,760千円)
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| キーワード | 安全・セキュリティ / 放射線検出器 / テルル化カドミウム / ヘテロ接合ダイオード / エネルギー識別 / アニール効果 / エピタキシャル成長層 / 暗電流 / 画像検出器 / エピタキシャル成長 / ヘテロ接合ダイオー / 電極形成技術 |
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| 研究概要 |
有機金属気相成長法によりSi基板上の厚膜単結晶CdTe成長層を用いて作製した、エネルギー識別能力を持つ、放射線検出器の高性能化を目的とし、検出器動作時における暗電流の低減と成長層高品質化に関する検討を行った。成長条件の最適化と成長層アニールにより、成長層内に存在する結晶欠陥の不活性化による暗電流を低減できる成長条件及びアニール条件を確立した。これに伴い、作製した検出器の性能の向上を確認した。
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