| 研究課題/領域番号 |
20340077
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
水野 清義 九州大学, 総合理工学研究院, 教授 (60229705)
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| 研究分担者 |
田中 悟 九州大学, 大学院・工学研究院, 教授 (80281640)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
19,370千円 (直接経費: 14,900千円、間接経費: 4,470千円)
2010年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2009年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2008年度: 11,440千円 (直接経費: 8,800千円、間接経費: 2,640千円)
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| キーワード | 表面構造解析 / 低速電子回折 / 酸窒化シリコン膜 / グラフェン / 電界イオン顕微鏡 / 電界誘起ガスエッチング / 電界放出 / 固体表面 / 構造解析 / シリコンカーバイド / 薄膜 |
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| 研究概要 |
シリコンカーバイド上の酸窒化シリコン膜やグラフェン膜、およびモリブデン上の酸化シリコン膜などの構造を低速電子回折法を用いて明らかにした。また、その表面上でのアルカリ金属吸着構造の解明や表面構造の再生法に取り組んだ。さらに、微小領域プローブ低速電子回折装置の開発を進め、グラフェン膜からの回折パターンの観察に成功した。その過程においては、電子線源となるタングステン針を、電界誘起ガスエッチング法により原子レベルで先鋭化するとともに、再現性良く広がり角の小さな電界放出電子線をとり出すことができるようになった。
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