| 研究課題/領域番号 |
20340080
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
物性Ⅰ
|
|---|
| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
|---|
研究代表者 |
迫田 和彰 独立行政法人物質・材料研究機構, 量子ドットセンター, センター長 (90250513)
|
|---|
| 研究協力者 |
黒田 隆 独立行政法人物質・材料研究機構, 量子ドットセンター, 主幹研究員 (00272659)
間野 高明 独立行政法人物質・材料研究機構, 量子ドットセンター, 主任研究員 (60391215)
杉本 喜正 独立行政法人物質・材料研究機構, 量子ドットセンター, 主席研究員 (60415784)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
|
| 配分額 *注記 |
19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2010年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2009年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2008年度: 11,960千円 (直接経費: 9,200千円、間接経費: 2,760千円)
|
|---|
| キーワード | GaAs / 量子リング / 量子ドット / フォトニック結晶 / QED |
|---|
| 研究概要 |
GaAsナノ粒子の共振器QED(量子電気力学)効果の実証を目的として,ナノ粒子の自己成長とフォトニック結晶共振器の作製,顕微分光法による特性評価,理論計算による解析,および,関連する応用研究を実施した。格子定数が約200nmのフォトニック結晶共振器に埋め込んだGaAsナノ粒子について発光促進(パーセル効果)を実証した。自己成長法の改良により結晶の高品質化を達成し,GaAsナノ粒子で初めての電流注入型レーザー発振に成功した。フォトニックバンド端の光の小さな群速度による自然放出の2重増強を明快に実証した。
|
