| 研究課題/領域番号 |
20340094
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 首都大学東京 |
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研究代表者 |
佐藤 英行 首都大学東京, 大学院・理工学研究科, 教授 (80106608)
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| 研究分担者 |
青木 勇二 首都大学東京, 大学院・理工学研究科, 准教授 (20231772)
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| 連携研究者 |
東中 隆二 首都大学東京, 大学院・理工学研究科, 助教 (30435672)
桑原 慶太郎 茨城大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (90315747)
並木 孝洋 富山大学, 大学院・理工学研究部, 准教授 (40535340)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2010年度: 5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2009年度: 5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2008年度: 8,450千円 (直接経費: 6,500千円、間接経費: 1,950千円)
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| キーワード | 充填スクッテルダイト / 強相関電子系 / 高圧合成 / ラットリング / 重い電子 / 結晶場 / 希土類化合物 / ラトリング / 充填スクッテルダイ |
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| 研究概要 |
充填スクッテルダイト(RT_4X_<12>)では、精力的な研究により多くの構成元素(R、T、X)の組合せで興味深い現象が見出され、機構の解明も進んだ。しかし、純良単結晶の育成が実現しない等の理由で、物性の評価や興味深い現象の機構の解明が成されずに残されたものも多い。本研究では、高圧下でのフラックス法により、それらのうち重要と考えられた構成元素の組合せを持つ単結晶の育成と特性評価が行われ、新奇現象の機構の解明が成された。
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