| 研究課題/領域番号 |
20340101
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
数理物理・物性基礎
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| 研究機関 | 核融合科学研究所 |
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研究代表者 |
中村 浩章 核融合科学研究所, ヘリカル研究部, 准教授 (30311210)
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| 研究分担者 |
羽田野 直道 東京大学, 生産技術研究所, 准教授 (70251402)
米満 賢治 分子科学研究所, 理論・計算分子科学研究領域, 准教授 (60270823)
遠藤 彰 東京大学, 物性研究所, 助教 (20260515)
長谷川 靖洋 埼玉大学, 理工学研究科, 准教授 (60334158)
白崎 良演 横浜国立大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (90251751)
藤井 達也 東京大学, 物性研究所, 助教 (30334345)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
18,980千円 (直接経費: 14,600千円、間接経費: 4,380千円)
2011年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2010年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2009年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2008年度: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
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| キーワード | 熱電効果 / ネルンスト効果 / フォノンドラッグ / 温度勾配 / 二次元電子系 / ナノワイヤ / 量子輸送現象 / ビスマス / 金属半導体接合界面 |
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| 研究概要 |
磁場中での量子熱電現象を解明すべく、理論および実験を行った。(1) Biに関して、フォノンドラックを考慮したネルンスト係数の導出、(2)金属-半導体接合面での整流効果の予言、(3) GaAs/AlGaAsの磁場中電子温度勾配下のネルンスト電圧の測定、(4)試料中での温度分布・電位分布を正確に求める輸送方程式の計算機シミュレーション法確立、(5) Biナノワイヤのホール電圧・ネルンスト電圧の測定の研究成果があった。
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