| 研究課題/領域番号 |
20340164
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
プラズマ科学
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| 研究機関 | 佐世保工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
川崎 仁晴 佐世保工業高等専門学校, 電気電子工学科, 教授 (10253494)
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| 連携研究者 |
大島 多美子 佐世保工業高等専門学校, 電気電子工学科, 准教授 (00370049)
柳生 義人 佐世保工業高等専門学校, 電気電子工学科, 准教授 (40435483)
須田 義昭 佐世保工業高等専門学校, 電気電子工学科, 教授 (20124141)
城野 祐生 佐世保工業高等専門学校, 物質工学科, 准教授 (80353233)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
10,920千円 (直接経費: 8,400千円、間接経費: 2,520千円)
2010年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2009年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2008年度: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)
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| キーワード | マグネトロンスパッタリング / ハードコーティング / 変調磁界 / 3相交流磁界 / スパッタリング / プラズマプロセス / 摩擦係数 / 耐摩耗 |
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| 研究概要 |
本研究では、プラズマプロセス(スパッタリング法)と変調磁界によるプラズマの制御を利用して、円筒形棒(管)外壁に均一・高速かつ密着性良くの機能性薄膜を形成することを目的とする。具体的には、スパッタリング用のターゲットを筒状に加工し、それをコーティング対象の周りを覆うように設置する。これを真空容器内に挿入し、コーティング対象外面に薄膜を作製した。その結果、TiやC, Wなどの薄膜の作製に成功した。成膜することで摩擦係数が減少することがわかった。また、外部磁界を加えることにより円筒形基板により均一かつ膜厚に成膜することができた。
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