| 研究課題/領域番号 |
20350085
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
機能材料・デバイス
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| 研究機関 | 千葉大学 |
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研究代表者 |
小林 範久 千葉大学, 大学院・融合科学研究科, 教授 (50195799)
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| 研究分担者 |
植村 聖 産業技術総合研究所, フレキシブルエレクトロニクス研究センター, 研究員 (50392593)
鎌田 俊英 産業技術総合研究所, フレキシブルエレクトロニクス研究センター, センター長 (80356815)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2010年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2009年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2008年度: 11,440千円 (直接経費: 8,800千円、間接経費: 2,640千円)
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| キーワード | 有機電子材料・素子 / FETメモリ / らせん高分子 / ナノ材料 / 生体材料 / ポリペプチド |
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| 研究概要 |
らせん状構造生体高分子のメモリ性の誘電体材料としてポリペプチドやDNAを用い、塗布プロセスでトランジスタメモリ素子を作製した。ポリペプチドを用いた場合、分子間相互作用をコントロールすることで分子軸がらせん状の3次構造を示し、その構造を多く含む膜では、より低電場で素子が駆動することが明らかとなった。分子配向プロセスの検討により、そのような構造をより多く膜中に存在させることができ、それを用いて作製した素子は、4μmの厚膜であっても700nmのものとほぼ同じ電圧で駆動することが分かった。それにより、駆動電圧を増加させることなく50～75%の歩留まりを100%にまで向上させることができた。これは厚膜化によって一般的な膜厚では顕著に見られるピンホールの形成を抑えられたことによる。またDNAを用いたメモリ素子において、界面活性剤との複合化やPMMAとの積層化の検討により、不純物の影響を取り除くことに成功し、10Vの駆動電圧でオン・オフ比104以上、またオン・オフ比103以上で1000時間以上のメモリ保持を実現した。
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