研究課題
基盤研究(B)
強磁性半導体(Ga, Mn)As中の磁壁運動に関連する物理現象の観測を行い(1)(Ga, Mn)Asの表面粗さをバッファ層により制御することで、磁壁クリープ運動のユニバーサリティ・クラスは素子の表面粗さにより決まること、(2)磁壁を外部磁界で移動させた際に、電流誘起磁壁移動の逆効果として磁壁移動に伴う起電力発生が生じること、を明らかにした。
すべて 2011 2010 2009 2008
すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (11件)
Appl. Phys. Lett
巻: 97 号: 3 ページ: 32504-32504
10.1063/1.3467048
Applied Physics Letters
巻: 97
まぐね
巻: 4(8) ページ: 390-295
まぐね 4
ページ: 390-395