| 研究課題/領域番号 |
20360011
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 同志社大学 |
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研究代表者 |
大鉢 忠 同志社大学, 理工学部, 教授 (40066270)
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| 研究分担者 |
寒川 義裕 九州大学, 応用力学研究所, 准教授 (90327320)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円)
2010年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2009年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2008年度: 12,350千円 (直接経費: 9,500千円、間接経費: 2,850千円)
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| キーワード | 結晶成長 / PA-MBE / エピタキシャル / 電子・電気材料 / 半導体物性 / 原子フラックス測定 / AlNダブルバッファー層 / AM-MEE成長法 / 窒化シリコン / III族窒化物 / ヘテロエピタキシャル成長 / AlN / 界面反応エピタキシャル法 |
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| 研究概要 |
Si基板上への3族窒化物半導体(AlN,GaN)作製にあたり、分子線エピタキシー(MBE)法に用いる誘導結合高周波放電窒素源の2つの放電モードを制御して、窒素原子と励起窒素分子の化学活性度の違いを利用する表面構造制御法を開発した。そのSi表面構造制御によるβ-Si_3N_4層製作と、Alとの界面反応によりAlNダブルバッファ層製作、その上への活性度変調マイグレーションエンハンスト(AM-MEE)法によるAlN、GaN用のテンプレート成長法のSiからデバイスまでの一貫成長方式を確立した。さらにAM-MEE法によりSi基板上への熱力学的準安定な立方晶AlN、GaNエピタキシャル膜成長の見通しを得ることができた。
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