| 研究課題/領域番号 |
20360016
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
渡邉 聡 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00292772)
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| 研究分担者 |
多田 朋史 東京大学, 大学院・工学系研究科, 特任准教授 (40376512)
戸塚 英臣 日本大学, 理工学部, 助手 (10339260)
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| 連携研究者 |
戸塚 英臣 日本大学, 理工学部, 助手 (10339260)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
11,440千円 (直接経費: 8,800千円、間接経費: 2,640千円)
2010年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2009年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2008年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
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| キーワード | 走査プローブ顕微鏡 / 電気特性計算 / ナノスケール電気伝導 / ナノ構造 / 薄膜・表面界面物性 / 走査トンネル分光 / 局所トンネル障壁高さ / ケルビン力顕微鏡 / 多探針電気特性計測 / キャパシタンス |
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| 研究概要 |
走査プローブ顕微鏡を用いた各種ナノスケール局所電気特性計測の理論解析に必要な方法論・シミュレータを開発・改良し、局所トンネル障壁高さ計測と印加電圧による探針誘起バンド湾曲との相関の解明、4端子抵抗測定にゲート電圧による抵抗値振動や府抵抗値出現の原因の解明、4端子抵抗測定おけるゼロ電流条件を満たす電圧プローブの電圧値を推測する公式の導出、等の成果を得た
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