| 研究課題/領域番号 |
20360023
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 早稲田大学 |
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研究代表者 |
大泊 巌 早稲田大学, 理工学術院, 名誉教授 (30063720)
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| 連携研究者 |
谷井 孝至 早稲田大学, 理工学術院, 准教授 (20339708)
渡邉 孝信 早稲田大学, 理工学術院, 准教授 (00367153)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
18,070千円 (直接経費: 13,900千円、間接経費: 4,170千円)
2010年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2009年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2008年度: 8,970千円 (直接経費: 6,900千円、間接経費: 2,070千円)
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| キーワード | ナノ構造物性 / ナノ表面・界面 / ナノ構造作製 / ナノ計測 / ナノ物性制御 |
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| 研究概要 |
ナノスケール半導体デバイス中のドーパントの原子論的挙動を解明するため、イオン照射によるシリコン(Si)表面の改質素過程をリアルタイムに観察するシステムを開発した。熱処理や不活性処理されたSi表面におけるイオン照射誘起構造の核形成・消長過程を捉えることに成功した。また、三次元的構造の極微細なトランジスタの電気伝導機構の解明に関する研究を、実験および計算の両面から実施した。
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