分子ビーム誘起表面反応の立体制御と超高速高分解能光電子分光分析

• 研究課題/領域番号: 20360024
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: 独立行政法人日本原子力研究開発機構
• 研究代表者: 寺岡 有殿 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究主幹 (10343922)
• 研究分担者: 吉越 章隆 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 究副主幹 (00283490)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2010
• 研究課題ステータス: 完了 (2010年度)
• 配分額: 18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円); 2010年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円); 2009年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円); 2008年度: 10,530千円 (直接経費: 8,100千円、間接経費: 2,430千円)
• キーワード: 放射光 / 表面反応 / 分子ビーム / 光電子分光 / 軟X線放射光 / 放射光光電子分光 / 超音速分子ビーム / 高速原子分子ビーム / アルミニウム / シリコン / 窒化 / 酸化

研究概要

連続噴射型の超音速分子ビーム源等を製作して、分子ビームの強度不足を克服した。また、高速原子・分子(イオン)ビーム装置では、プラズマイオン源を改造してイオン電流を増大させた。さらに、超高速光電子分光システムでは、5チャンネル検出器に対応した新型の測定システムを導入して高速測定を実施した。これらの装置を活用して、多数の外部機関と共同して分子ビーム誘起表面反応とその高速光電子分光観察を実施し、多数の表面反応機構を解明した。

研究成果

• [雑誌論文] Oxidation of TiNi surface with hyperthermal oxygen molecular beams (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Okada, M.Souwa, T.Kasai, Y.Teraoka
  • 雑誌名: Applied Surface Science 257 ページ: 4257-4263
  • 査読あり
• [雑誌論文] Oxidation of TiNi surface with hyperthermal oxygen molecular beams (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Okada
  • 雑誌名: Applied Surface Science 巻: 257 ページ: 4257-4263
  • 査読あり
• [雑誌論文] Immediate product after exposing Si(111)-7×7 surface to O_2 at 300 K (2010)
  • 著者名/発表者名: 吉越章隆, 寺岡有殿
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 49
  • 査読あり
• [雑誌論文] Adsorption dynamics on Si(111)-7×7 surface induced by supersonic O_2 beam studied using real-time photoelectron spectroscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: 吉越章隆, 寺岡有殿
  • 雑誌名: Journal of Physical Chemistry C 114 ページ: 22539-22545
  • 査読あり
• [雑誌論文] Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy and near-edge X-ray absorption fine structure study on oxidative etching of diamond-like carbon films by hyperthermal atomic oxygen (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Tagawa, K.Yokota, A.Kitamura, K.Matsumoto, A.Yoshigoe, Y.Teraoka, K.Kanda, M.Niibe
  • 雑誌名: Applied Surface Science 256 ページ: 7678-7683
  • 査読あり
• [雑誌論文] Active oxidation of Cu3Au(110) using hyperthermal O_2 molecular beam (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Okada, Y.Teraoka
  • 雑誌名: Applied Surface Science 256 ページ: 5676-5680
  • 査読あり
• [雑誌論文] 放射光光電子分光によるSiO_2薄膜の有効減衰長の実験的決定 (2010)
  • 著者名/発表者名: 井上敬介、寺岡有殿
  • 雑誌名: 電気学会論文誌C 130 ページ: 1817-1818
  • 査読あり
• [雑誌論文] TiA1表面酸化のシンクロトロン放射光を用いた光電子分光研究 (2010)
  • 著者名/発表者名: 橋之口道宏、角本雄一、戸出真由美、James Harries、岡田美智雄、寺岡有殿、笠井俊夫
  • 雑誌名: 電気学会論文誌C 130 ページ: 723-1729
  • 査読あり
• [雑誌論文] 放射光光電子分光による重水素イオン注入V_<25>Cr_<40>Ti_<35>表面の熱変性分析 (2010)
  • 著者名/発表者名: 戸出真由美、James Harries、寺岡有殿、角本雄一、井上敬介、吉越章隆
  • 雑誌名: 電気学会論文誌C 130 ページ: 1819-1820
  • NAID: 10026694247
  • 査読あり
• [雑誌論文] Immediate product after exposing Si(111)-7×7 surface to O_2 at 300 K (2010)
  • 著者名/発表者名: A.Yoshigoe
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 49
  • 査読あり
• [雑誌論文] Adsorption dynamics on Si(111)-7×7 surface induced by supersonic O_2 beam studied using real-time photoelectron spectroscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: A.Yoshigoe
  • 雑誌名: Journal of Physical Chemistry C 巻: 114 ページ: 22539-22545
  • 査読あり
• [雑誌論文] Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy and near-edge X-ray absorption fine structure study on oxidative etching of diamond-like carbon films by hyperthermal atomic oxygen (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Tagawa
  • 雑誌名: Applied Surface Science 巻: 256 ページ: 7678-7683
  • 査読あり
• [雑誌論文] 放射光光電子分光によるSiO_2薄膜の有効減衰長の実験的決定 (2010)
  • 著者名/発表者名: 井上敬介
  • 雑誌名: 電気学会論文誌C 巻: 130 ページ: 1817-1818
  • 査読あり
• [雑誌論文] TiAl表面酸化のシンクロトロン放射光を用いた光電子分光研究 (2010)
  • 著者名/発表者名: 橋之口道宏
  • 雑誌名: 電気学会論文誌C 巻: 130 ページ: 1723-1729
  • 査読あり
• [雑誌論文] 放射光光電子分光による重水素イオン注入V_<25>Cr_<40>Ti_<35>表面の熱変性分析 (2010)
  • 著者名/発表者名: 戸出真由美
  • 雑誌名: 電気学会論文誌C 巻: 130 ページ: 1819-1820
  • 査読あり
• [雑誌論文] Active oxidation of Cu_3Au(110) using hyperthermal O_2 molecular beam (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Okada
  • 雑誌名: Applied Surface Science 巻: 256 ページ: 5676-5680
  • 査読あり
• [雑誌論文] Kinetics of oxygen adsorption and initial oxidation on Cu(110) by hyperthermal oxygen molecular beams (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Moritani, M.Okada, Y.Teraoka, A.Yoshigoe, T.Kasai
  • 雑誌名: J.Phys.Chem.A 113 ページ: 15217-15222
  • 査読あり
• [雑誌論文] Atomic layer fluorination of highly oriented pyrolytic graphite using hyperthermal atomic fluorine beam (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Tagawa, K.Yokota, K.Maeda, A.Yoshigoe, Y.Teraoka
  • 雑誌名: Applied Physics Express 2
  • NAID: 10025086893
  • 査読あり
• [雑誌論文] Hydrogen desorption from a diamond-like carbon film by hyperthermal atomic oxygen exposures (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Yokota, M.Tagawa, A.Kitamura, K.Matsumoto, A.Yoshigoe, Y.Teraoka
  • 雑誌名: Applied Surface Science 255 ページ: 6710-6714
  • 査読あり
• [雑誌論文] Synchrotron Radiation Photoemission Spectroscopy for Native Oxide Layer on Vanadium and VCrTa (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Teraoka, A.Yoshigoe, J.Harries
  • 雑誌名: Journal of Surface Analysis 15 ページ: 303-306
  • NAID: 130007686544
  • 査読あり
• [雑誌論文] Si-doping for the protection of hydrogenated diamond-like carbon films in a simulated atomic oxygen environment in low earth orbit, Transactions of the Japan Society for Aeronautical and Space Sciences (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Yokota, M.Tagawa, A.Kitamura, K.Matsumoto, A.Yoshigoe, Y.Teraoka, J.Fontaine, M.Belin
  • 雑誌名: Space Technology Japan 7(ists26)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Initial oxidation of Si(110) as studied by real-time synchrotron-radiation x-ray photoemission spectroscopy (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Suemitsu, Y.Yamamoto, H.Togashi, Y.Enta, A.Yoshigoe, Y.Teraoka
  • 雑誌名: J.Vac. Sci.and Technol.B 27 ページ: 547-550
  • 査読あり
• [雑誌論文] 超熱酸素分子線による銅ならびに銅合金表面の酸化反応研究(解説) (2009)
  • 著者名/発表者名: 岡田美智雄,寺岡有殿
  • 雑誌名: Journal of the Vacuum Society of Japan 52 ページ: 80-84
  • 査読あり
• [雑誌論文] Cu_3Au表面自然酸化のシンクロトロン放射光を用いた光電子分光研究 (2009)
  • 著者名/発表者名: 宗和誠、山崎大地、岡田美智雄、吉越章隆、寺岡有殿、笠井俊夫
  • 雑誌名: 電気学会論文誌C 129 ページ: 229-232
  • NAID: 10023999625
  • 査読あり
• [雑誌論文] Kinetics of oxygen adsorption and initial oxidation on Cu(110)by hyperthermal oxygen molecular beams (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Moritani
  • 雑誌名: J.Phys.Chem.A 113 ページ: 15217-15222
  • 査読あり
• [雑誌論文] Si-doping for the protection of hydrogenated diamond-like carbon films in a simulated atomic oxygen environment in low earth orbit (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Yokota
  • 雑誌名: Transactions of the Japan Society for Aeronautical and Space Sciences, Space Technology Japan 7 (ists26)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Atomic layer fluorination of highly oriented pyrolytic graphite using hyperthermal atomic fluorine beam (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Tagawa
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express 2
  • 査読あり
• [雑誌論文] Hydrogen desorption from a diamond-like carbon film by hyperthermal atomic oxygen exposures (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Yokota
  • 雑誌名: Appl.Surf.Sci. 255 ページ: 6710-6714
  • 査読あり
• [雑誌論文] 放射光リアルタイム光電子分光で観たSi(111)表面の酸化過程 (2009)
  • 著者名/発表者名: 吉越章隆
  • 雑誌名: 電気学会光・量子デバイス研究会資料 OQD-09-56 ページ: 67-70
  • NAID: 10026077527
• [雑誌論文] Synchrotron Radiation Photoemission Spectroscopy for Native Oxide Layer on Vanadium and VCrTa (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Teraoka
  • 雑誌名: Journal of Surface Analysis 15 ページ: 303-306
  • NAID: 130007686544
  • 査読あり
• [雑誌論文] Initial oxidation of Si(110) as studied by real-time synchrotron-radiation x-ray photoemission spectroscopy (2009)
  • 著者名/発表者名: M. Suemitsu
  • 雑誌名: J. Vac. Sci. and Technol. B 27 ページ: 547-550
  • 査読あり
• [雑誌論文] Cu_3Au表面自然酸化のシンクロトロン放射光を用いた光電子分光研究 (2009)
  • 著者名/発表者名: 宗和誠
  • 雑誌名: 電気学会論文誌C 129 ページ: 229-232
  • 査読あり
• [雑誌論文] 超熱酸素分子線による銅ならびに銅合金表面の酸化反応研究(解説) (2009)
  • 著者名/発表者名: 岡田美智雄
  • 雑誌名: Journal of the Vacuum Society of Japan 52 ページ: 80-84
  • 査読あり
• [雑誌論文] Al(111)表面における超音速N_2ビームによる極薄AlN膜形成 (2008)
  • 著者名/発表者名: 寺岡有殿
  • 雑誌名: 電気学会論文誌C 129 ページ: 294-295
  • NAID: 10023999821
  • 査読あり
• [雑誌論文] Mechanisms of concurrent SiO desorption with oxide layer formation at Si(001) surface (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Teraoka
  • 雑誌名: Electrical Engineering in Japan 164 ページ: 60-68
  • NAID: 210000165562
  • 査読あり
• [雑誌論文] High resolution X-ray photoelectron spectroscopy study on initial oxidation of 4H-SiC(0001)-(√<3x>√<3>)R30゜surface (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Takahashi
  • 雑誌名: Surface Science 603 ページ: 221-225
  • 査読あり
• [雑誌論文] Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定 (2008)
  • 著者名/発表者名: 山本喜久
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 108 ページ: 65-70
  • 査読あり
• [雑誌論文] SR-PES and STM observation of metastable chemisorption state of oxygen on Si(110)-16x2 surface (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Yamamoto
  • 雑誌名: Appl. Surf. Sci. 254 ページ: 6232-6234
  • 査読あり
• [雑誌論文] Hydrogen adsorption on single-walled carbon nanotubes studied by photoelectron spectroscopy and Raman spectroscopy (2008)
  • 著者名/発表者名: A. Tokura
  • 雑誌名: Carbon 46 ページ: 1903-1908
  • 査読あり
• [雑誌論文] Stereodynamics in dissociative adsorption of NO on Si(111) (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Hashinokuchi
  • 雑誌名: Phys. Rev. Lett. 100
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reconstruction of Cu(111) induced by a hyperthermal oxygen molecular beam (2008)
  • 著者名/発表者名: K. Moritani
  • 雑誌名: J. Phys. Chem. C 112 ページ: 8662-8667
  • 査読あり
• [雑誌論文] New oriented-molecular-beam machine for surface stereochemistry with x-ray photo-emission spectroscopy (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Okada
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 47 ページ: 3686-3691
  • 査読あり
• [雑誌論文] Dissociative adsorption of Nitric Oxide on Si(111)-7x7 surface (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Hashinokuchi
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 47 ページ: 1672-1676
  • 査読あり
• [学会発表] Ni(111)表面への超音速O_2分子線照射による酸化膜の形成過程及び初期吸着レートの運動エネルギー依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 井上敬介
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(厚木市)
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 面方位回転エピタキシャル成長3C-SiC(111)/Si(110)薄膜上グラフェン成長過程のLEED、SR-XPS観察 (2011)
  • 著者名/発表者名: 高橋良太
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(厚木市)
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 重水素化V表面のSR-XPSの熱変性特性と昇温脱離ガス分析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 戸出真由美
  • 学会等名: 日本金属学会2011年春期(第148回)大会
  • 発表場所: 東京都市大学(東京都)
  • 年月日: 2011-03-25
• [学会発表] Si高指数面初期酸化過程のリアルタイム光電子分光計測 (2011)
  • 著者名/発表者名: 大野真也
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(厚木市)
  • 年月日: 2011-03-24
• [学会発表] 3C-SiC(100)/Si(100)薄膜上グラフェン形成過程のLEED、SR-XPS観察 (2011)
  • 著者名/発表者名: 猪俣州哉
  • 学会等名: 平成22年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会
  • 発表場所: 東北大学多元研(仙台市)
  • 年月日: 2011-03-10
• [学会発表] JEM-EUSO用MgF_2光学薄膜の原子状酸素耐性について (2011)
  • 著者名/発表者名: 田川雅人
  • 学会等名: 第27回宇宙利用シンポジウム
  • 発表場所: 宇宙科学研究所(相模原市)
  • 年月日: 2011-01-25
• [学会発表] Si_<1-x>Ge_x合金層における酸化誘起Ge濃縮過程:リアルタイム光電子分光による解明 (2011)
  • 著者名/発表者名: 小川修一
  • 学会等名: 第16回ゲートスタック研究会
  • 発表場所: 東京工業大学(東京都)
  • 年月日: 2011-01-23
• [学会発表] In situ synchrotron radiation photoemission study of Ge_3N_4/Ge structures formed by plasma nitridation (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Hosoi
  • 学会等名: 2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices : Science and Technology
  • 発表場所: Tokyo Institute of Technology (Tokyo)
  • 年月日: 2011-01-20
• [学会発表] 酸化グラフェン還元過程のリアルタイムXPS観察 (2011)
  • 著者名/発表者名: 小川修一
  • 学会等名: 第24回日本放射光学会・放射光科学合同シンポジウム
  • 発表場所: つくば国際会議場(つくば市)
  • 年月日: 2011-01-10
• [学会発表] 高分解能軟X線放射光光電子分光によるバナジウム表面酸化被膜の熱変性分析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 戸出真由美
  • 学会等名: 第24回日本放射光学会・放射光科学合同シンポジウム
  • 発表場所: つくば国際会議場(つくば市)
  • 年月日: 2011-01-10
• [学会発表] Ni(111)表面の超音速O_2分子線による初期吸着確率の運動エネルギー依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 井上敬介
  • 学会等名: 第24回日本放射光学会・放射光科学合同シンポジウム
  • 発表場所: つくば国際会議場(つくば市)
  • 年月日: 2011-01-10
• [学会発表] Energy band structure of thermally grown SiO_2/4H-SiC interfaces and its modulation induced by post-oxidation treatments (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Kirino, Y.Kagei, A.Yoshigoe, Y.Teraoka, S.Mitani, Y.Nakano, T.Nakamura, T.Hosoi, T.Shimura, H.Watanabe
  • 学会等名: 41^<st> IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
  • 発表場所: San Diego (USA)
  • 年月日: 2010-12-02
• [学会発表] Influence of oxide over-layers formed by supersonic O_2 beam on deuterium desorption from V(001) (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Teraoka, M.Tode, J.Harries, A.Yoshigoe
  • 学会等名: Nano and Surface Science Approaches to Production and Storage of Hydrogen
  • 発表場所: Noordwijkerhout(The Netherlands)
  • 年月日: 2010-11-14
• [学会発表] Influence of oxide over-layers formed by supersonic O_2 beam on deuterium desorption from V(001) (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Teraoka
  • 学会等名: Nano and Surface Science Approaches to Production and Storage of Hydrogen
  • 発表場所: Noordwijkerhout (The Netherlands)
  • 年月日: 2010-11-14
• [学会発表] Relationship between adsorption states and surface morphology in oxidation of Si(111)-7x7 surface at 300 K studied using real-time synchrotron radiation photoelectron spectroscopy, LEED and STM (2010)
  • 著者名/発表者名: A.Yoshigoe
  • 学会等名: 6^<th> International Forum on the Science and Technology of Silicon Materials
  • 発表場所: Okayama University (Okayama)
  • 年月日: 2010-11-14
• [学会発表] 酸化グラフェンの高温加熱処理過程のリアルタイム放射光光電子分光観察 (2010)
  • 著者名/発表者名: 穂積英彬
  • 学会等名: 第51回真空に関する連合講演会
  • 発表場所: 大阪大学(吹田市)
  • 年月日: 2010-11-05
• [学会発表] Si(111)-7×7表面の室温酸化における酸素分子の並進運動エネルギーに依存した表面形状 (2010)
  • 著者名/発表者名: 吉越章隆
  • 学会等名: 第30回表面科学学術講演会
  • 発表場所: 大阪大学(吹田市)
  • 年月日: 2010-11-04
• [学会発表] Si(111)-7×7表面の室温酸化に伴う酸化状態と表面形状の相関 (2010)
  • 著者名/発表者名: 吉越章隆
  • 学会等名: 第30回表面科学学術講演会
  • 発表場所: 大阪大学(吹田市)
  • 年月日: 2010-11-04
• [学会発表] 放射光光電子分光により実測したSiO_2の有効減衰長(EAL)と非弾性平均自由行程(IMFP)計算値の比較 (2010)
  • 著者名/発表者名: 井上敬介
  • 学会等名: 第30回表面科学学術講演会
  • 発表場所: 大阪大学(吹田市)
  • 年月日: 2010-11-04
• [学会発表] Si混晶表面の酸化過程のリアルタイムXPS観察:CとGe混入効果の比較 (2010)
  • 著者名/発表者名: 穂積英彬
  • 学会等名: 第30回表面科学学術講演会
  • 発表場所: 大阪大学(吹田市)
  • 年月日: 2010-11-04
• [学会発表] 水素貯蔵合金VCrTiおよびTiFeにおける表面熱変性と水素脱離温度特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 戸出真由美
  • 学会等名: 第51回真空に関する連合講演会
  • 発表場所: 大阪大学(吹田市)
  • 年月日: 2010-11-04
• [学会発表] 放射光X線光電子分光を用いたTiAl表面酸化反応の研究 (2010)
  • 著者名/発表者名: 橋之口道宏
  • 学会等名: 第51回真空に関する連合講演会
  • 発表場所: 大阪大学(吹田市)
  • 年月日: 2010-11-04
• [学会発表] 超音速O_2分子線によるNi(111)表面の酸素初期吸着確率の運動エネルギー依存性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 井上敬介
  • 学会等名: 第6回励起ナノプロセス研究会
  • 発表場所: 国際障害者交流センター(堺市)
  • 年月日: 2010-11-02
• [学会発表] 放射光光電子分光による光電子のSiO_2中の実測有効減衰長と非弾性平均自由行程計算値の比較 (2010)
  • 著者名/発表者名: 井上敬介
  • 学会等名: 第6回励起ナノプロセス研究会
  • 発表場所: 国際障害者交流センター(堺市)
  • 年月日: 2010-11-02
• [学会発表] 放射光リアルタイム光電子分光で観測した超音速酸素分子線によるSi(111)-7×7表面の室温酸化の促進効果 (2010)
  • 著者名/発表者名: 吉越章隆
  • 学会等名: 第6回励起ナノプロセス研究会
  • 発表場所: 国際障害者交流センター(堺市)
  • 年月日: 2010-11-02
• [学会発表] STMで観る酸素分子の並進運動エネルギーに由来したSi(111)室温酸化後の表面状態の違い (2010)
  • 著者名/発表者名: 吉越章隆
  • 学会等名: 第6回励起ナノプロセス研究会
  • 発表場所: 国際障害者交流センター(堺市)
  • 年月日: 2010-11-02
• [学会発表] Kinetic energy effects on initial sticking of O_2 molecular beams on Ni(111) surface (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Inoue
  • 学会等名: 6^<th> International Workshop on Nano-scale Spectroscopy and Nanotechnology
  • 発表場所: Kobe University (Japan)
  • 年月日: 2010-10-25
• [学会発表] SiO_2/4H-SiCエネルギーバンド構造に対する界面特性改善処理の影響 (2010)
  • 著者名/発表者名: 細井卓治
  • 学会等名: SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
  • 発表場所: つくば国際会議場(つくば市)
  • 年月日: 2010-10-21
• [学会発表] Oxidation kinetics of SiGe alloy layer studied by real-time XPS (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Hozumi, S.Ogawa, A.Yoshigoe, S.Ishidzuka, J.R.Harries, Y.Teraoka, Y.Takakuwa
  • 学会等名: 5^<th> International Symposium on Practical Surface Analysis (PSA-10)
  • 発表場所: Gyeongju (Korea)
  • 年月日: 2010-10-03
• [学会発表] 超音速酸素分子線照射によるV表面酸化膜の形成とD_2昇温脱離との関係 (2010)
  • 著者名/発表者名: 戸出真由美
  • 学会等名: 日本金属学会2010年秋期(第147回)大会
  • 発表場所: 北海道大学(札幌市)
  • 年月日: 2010-09-25
• [学会発表] Temperature dependence of exclusive SiO_2 formation during thermal oxidation of Si_<1-x>Ge_x alloy layer on Si(001) surfaces (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Hozumi
  • 学会等名: 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
  • 発表場所: Tokyo (Japan)
  • 年月日: 2010-09-22
• [学会発表] 【Invited】Orientation-mediated control of interfacial structure in epitaxial graphene on silicon substrates (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Suemitsu, H.Fukidome, R.Takahashi, K.Imaizumi, H.Handa, A.Yoshigoe, Y.Teraoka
  • 学会等名: 2^<nd>International Symposium on the Science and Technology of Epitaxial Graphene
  • 発表場所: Amelia Island (Florida, USA)
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] Orientation-mediated control of interfacial structure in epitaxial graphene on silicon substrates (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Suemitsu
  • 学会等名: 2^<nd> International Symposium on the Science and Technology of Epitaxial Graphene
  • 発表場所: Amelia Island (Florida, USA)(Invited)
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] SiGe/Si表面の酸化反応機構(1):GeO_2形成の温度依存 (2010)
  • 著者名/発表者名: 穂積英彬
  • 学会等名: 第71回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎市)
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] Si高指数面におけるリアルタイム光電子分光計測 (2010)
  • 著者名/発表者名: 大野真也
  • 学会等名: 第71回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎市)
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] 超低圧酸素雰囲気下でのSi基板上低温グラフェン形成過程のリアルタイム放射光光電子分光 (2010)
  • 著者名/発表者名: 今泉京
  • 学会等名: 第71回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎市)
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] 光電子分光で観た酸素分子線照射量に依存したSi(111)-7×7のレストアトム強度の変化とSTM像との対応 (2010)
  • 著者名/発表者名: 吉越章隆
  • 学会等名: 第71回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎市)
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] SiO_2/4H-SiC界面構造と伝導帯オフセットの相関 (2010)
  • 著者名/発表者名: 桐野嵩史
  • 学会等名: 第71回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎市)
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] 3C-SiC(111)極薄膜上エピタキシャルグラフェン形成過程のLEED観察 (2010)
  • 著者名/発表者名: 高橋良太
  • 学会等名: 第71回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎市)
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] In-situ STM observation after exposing Si(111)-7x7 surface to supersonic O_2 beam at 300 K (2010)
  • 著者名/発表者名: A.Yoshigoe, Y.Teraoka
  • 学会等名: 27^<th> European Conference on Surface Science
  • 発表場所: Groningen (The Netherlands)
  • 年月日: 2010-08-29
• [学会発表] Thermal degradation analysis of deuterium ion implanted hydrogen storage materials (TiFe and V_<25>Cr_<40>Ti_<35>)using synchrotron radiation photoelectron spectroscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Tode, J.R.Harries, Y.Teraoka, A.Yoshigoe
  • 学会等名: International Symposium on Metal-Hydrogen Systems MH2010
  • 発表場所: Moscow (Russia)
  • 年月日: 2010-07-19
• [学会発表] Thermal degradation analysis of deuterium ion implanted hydrogen storage materials (TiFe and V_<25>Cr_<40>Ti_<35>) using synchrotron radiation photoelectron spectroscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Tode
  • 学会等名: International Symposium on Metal-Hydrogen Systems MH2010
  • 発表場所: Moscow (Russia)
  • 年月日: 2010-07-19
• [学会発表] AlN thin film formed by exposing Al(111) to 2.0 eV N_2 molecules and studied in real time and in situ using synchrotron XPS (2010)
  • 著者名/発表者名: J.R.Harries, Y.Teraoka, A.Yoshigoe
  • 学会等名: 37^<th> International Conference on Vacuum Ultraviolet and X-ray Physics (VUVX2010)
  • 発表場所: Vancouver (Canada)
  • 年月日: 2010-07-11
• [学会発表] 【Invited】Viability of graphene-on-silicon technology toward fusion of graphene with advanced Si-CMOS technologies (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Fukidome, R.Takahashi, Y.Miyamoto,H.Handa, H.-C.Kang, H.Karasawa, T.Suemitsu, T.Otsuji, A.Yoshigoe, Y.Teraoka, M.Suemitsu
  • 学会等名: 8^<th>International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces
  • 発表場所: Como (Italy)
  • 年月日: 2010-06-14
• [学会発表] Viability of graphene-on-silicon technology toward fusion of graphene with advanced Si-CMOS technologies (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Fukidome
  • 学会等名: 8^<th> International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces
  • 発表場所: Como (Italy)(Invited)
  • 年月日: 2010-06-14
• [学会発表] 【Invited】Interface engineering of ZrO_2/Ge gate stacks by post-deposition annealing and Al_2O_3 capping layers (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Watanabe, G.Okamoto, K.Kutsuki, J.Harries, A.Yoshigoe, Y.Teraoka, T.Hosoi, T.Shimura
  • 学会等名: International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics
  • 発表場所: Tokyo Tech Front (Tokyo)
  • 年月日: 2010-06-03
• [学会発表] Interface engineering of ZrO_2/Ge gate stacks by post-deposition annealing and Al_2O_3 capping layers (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Watanabe
  • 学会等名: International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics
  • 発表場所: Tokyo Tech Front (Tokyo)(Invited)
  • 年月日: 2010-06-03
• [学会発表] Radiation effect of the soft X-ray on the highly-hydrogenated diamond-like carbon film (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Kanda
  • 学会等名: 4^<th> International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2010)
  • 発表場所: Suzhou (China)
  • 年月日: 2010-05-16
• [学会発表] グラフェン・オン・シリコン形成過程の放射光光電子分光評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 末光眞希
  • 学会等名: 平成21年度文部科学省ナノテクノロジー・ネットワーク/重点ナノテクノロジー支援放射光利用研究成果報告会ナノテクノロジー放射光利用研究の最前線2009
  • 発表場所: 立命館大学(草津市)
  • 年月日: 2010-05-07
• [学会発表] 熱酸化SiO_2/4H-SiC界面原子構造と伝導帯オフセット評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 渡部平司
  • 学会等名: 平成21年度文部科学省ナノテクノロジー・ネットワーク/重点ナノテクノロジー支援放射光利用研究成果報告会ナノテクノロジー放射光利用研究の最前線2009
  • 発表場所: 立命館大学(草津市)
  • 年月日: 2010-05-07
• [学会発表] Controlling the interface between graphene and SiC by use of graphene-on-silicon technology (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Fukidome, R.Takahashi, K.Imaizumi, H.Handa, M.Suemitsu, A.Yoshigoe, Y.Teraoka
  • 学会等名: 2010 Material Research Society Spring Meeting
  • 発表場所: San Francisco (USA)
  • 年月日: 2010-04-05
• [学会発表] 酸素分子線照射量に依存したSi(111)表面の形状変化のSTM観察 -並進運動エネルギーを2.2 eVとした場合- (2010)
  • 著者名/発表者名: 吉越章隆
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(平塚市)
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] 超音速酸素分子線によるSi(111)-7×7表面の室温酸化後のSTM観察 (2010)
  • 著者名/発表者名: 吉越章隆
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(平塚市)
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] 放射光XPSによるSiO_2/4H-SiC構造の伝導帯オフセット評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 桐野嵩史
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(平塚市)
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] 極薄EOT実現に向けたプラズマ窒化応用high-k/Geゲートスタックの提案 (2010)
  • 著者名/発表者名: 朽木克博
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(平塚市)
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] 高水素化DLC膜からの水素脱離に対する表面金属酸化膜の効果 (2010)
  • 著者名/発表者名: 田川雅人
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(平塚市)
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] 高水素化DLC膜への真空紫外線照射効果 (2010)
  • 著者名/発表者名: 横田久美子
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(平塚市)
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] リアルタイム放射光光電子分光によるSi(110)表面上数層の熱酸化膜形成過程の評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 鈴木康
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(平塚市)
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] グラフェン・オン・シリコン形成過程のLEED, XPS観察 (2010)
  • 著者名/発表者名: 高橋良太
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(平塚市)
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] 酸素添加によるSiC表面グラフェン化プロセスの低温化 (2010)
  • 著者名/発表者名: 今泉京
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(平塚市)
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] SiO_2/Si界面酸化における格子歪みの役割(3):酸化誘起炭素濃縮による3C-SiC成長 (2010)
  • 著者名/発表者名: 穂積英彬
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(平塚市)
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] 軟X線照射によるDLC膜からの水素脱離過程 (2010)
  • 著者名/発表者名: 神田一浩
  • 学会等名: 兵庫県立大学高度産業技術研究所先端技術セミナー2010
  • 発表場所: イーグレ姫路(姫路市)
  • 年月日: 2010-03-11
• [学会発表] 酸素によるSi(001)表面エッチングにおける炭素濃縮 (2010)
  • 著者名/発表者名: 穂積英彬
  • 学会等名: 平成21年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会
  • 発表場所: 東北大学(仙台市)
  • 年月日: 2010-03-10
• [学会発表] Effect of Vacuum Ultraviolet Exposure and Surface Oxide Layer on the Hydrogen Desorption from Hydrogenated Diamond-like Carbon Films (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Tagawa
  • 学会等名: JAEA-Symposium on Synchrotron Radiation Research 2010-Material Science on Metal Hydride-
  • 発表場所: SPring-8(Sayo-cho)
  • 年月日: 2010-02-25
• [学会発表] Departure process of hydrogen from highly-hydrogenated diamond-like carbon film by exposure to synchrotron radiation (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Kanda
  • 学会等名: JAEA-Symposium on Synchrotron Radiation Research 2010-Material Science on Metal Hydride-
  • 発表場所: SPring-8(Sayo-cho)
  • 年月日: 2010-02-25
• [学会発表] The study of oxidation on TiAl with photoemission spectroscopy in conjunction with synchrotron radiation (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Hashinokuchi
  • 学会等名: JAEA-Symposium on Synchrotron Radiation Research 2010-Material Science on Metal Hydride-
  • 発表場所: SPring-8(Sayo-cho)
  • 年月日: 2010-02-25
• [学会発表] Thermal degradation process of deuterium ion implanted V_<25>Cr_<40>Ti_<35> using high-resolution soft X-ray synchrotron radiation (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Tode
  • 学会等名: JAEA-Symposium on Synchrotron Radiation Research 2010-Material Science on Metal Hydride-
  • 発表場所: SPring-8(Sayo-cho)
  • 年月日: 2010-02-25
• [学会発表] Carbon condensation and 3C-SiC growth caused by oxidizing Si_<1-x>C_x alloy layers on Si(001)substrate (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Hozumi
  • 学会等名: The 5th international Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
  • 発表場所: Sendai (Japan)
  • 年月日: 2010-01-29
• [学会発表] Si_<1-x>C_x合金層/Si(001)表面における酸化誘起炭素拡散:酸化膜成長とエッチング条件での比較 (2010)
  • 著者名/発表者名: 穂積英彬
  • 学会等名: 第15回ゲートスタック研究会
  • 発表場所: 東レ総合研修センター(三島市)
  • 年月日: 2010-01-22
• [学会発表] ZrO_2ゲート絶縁膜を用いたGeMOSデバイスの界面設計 (2010)
  • 著者名/発表者名: 細井卓治
  • 学会等名: 第15回ゲートスタック研究会
  • 発表場所: 東レ総合研修センター(三島市)
  • 年月日: 2010-01-22
• [学会発表] 放射光光電子分光によるSiO_2の有効減衰長(EAL)の実験的決定 (2010)
  • 著者名/発表者名: 井上敬介
  • 学会等名: 第23回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
  • 発表場所: イーグレ姫路(姫路市)
  • 年月日: 2010-01-06
• [学会発表] 表面反応分析装置への走査型プローブ顕微鏡の導入-実空間"その場"観察の実現- (2010)
  • 著者名/発表者名: 吉越章隆
  • 学会等名: 第23回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
  • 発表場所: イーグレ姫路(姫路市)
  • 年月日: 2010-01-06
• [学会発表] 酸素分子の並進運動エネルギーによるSi(111)-7x7表面の酸化反応の促進機構 (2010)
  • 著者名/発表者名: 吉越章隆
  • 学会等名: 第23回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
  • 発表場所: イーグレ姫路(姫路市)
  • 年月日: 2010-01-06
• [学会発表] Si(111)-7x7表面の室温酸化の放射光XPS、LEEDおよびSTMによるリアルタイム観察 (2010)
  • 著者名/発表者名: 吉越章隆
  • 学会等名: 第23回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
  • 発表場所: イーグレ姫路(姫路市)
  • 年月日: 2010-01-06
• [学会発表] 高分解能軟X線放射光光電子分光にまる重水素化VCrTi表面の熱安定性の評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 戸出真由美
  • 学会等名: 第23回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
  • 発表場所: イーグレ姫路(姫路市)
  • 年月日: 2010-01-06
• [学会発表] Nitridation of Al(111)by supersonic N_2 molecules (2010)
  • 著者名/発表者名: James.R.Harries
  • 学会等名: 第23回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
  • 発表場所: イーグレ姫路(姫路市)
  • 年月日: 2010-01-06
• [学会発表] TiAl合金表面酸化過程の放射光X線光電子分光分析 (2010)
  • 著者名/発表者名: 橋之口道宏
  • 学会等名: 第23回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
  • 発表場所: イーグレ姫路(姫路市)
  • 年月日: 2010-01-06
• [学会発表] 表面変性層制御と水素脱離温度特性との相関研究 -TiFe合金の熱処理による表面皮膜の変性- (2009)
  • 著者名/発表者名: 戸出真由美
  • 学会等名: 第3回水素貯蔵材料先端基盤研究事業技術検討会議
  • 発表場所: 産総研臨海副都心センター(東京都江東区)
  • 年月日: 2009-12-18
• [学会発表] プラズマ窒化技術とAlON/SiO_2積層絶縁膜によるSiC-MOSデバイスの高機能化(招待講演) (2009)
  • 著者名/発表者名: 渡部平司
  • 学会等名: SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会
  • 発表場所: 神戸国際会議場(神戸)
  • 年月日: 2009-12-17
• [学会発表] 放射光XPSによる熱酸化SiO_2/4H中SiC界面のエネルギーバンド構造分析 (2009)
  • 著者名/発表者名: 桐野嵩史
  • 学会等名: SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会
  • 発表場所: 神戸国際会議場(神戸)
  • 年月日: 2009-12-17
• [学会発表] Real-time photoelectron spectroscopy study of 3C-SiC nucleation and growth on Si(001) surface by carbonization with ethylene (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Hozumi, S.Ogawa, A.Yoshigoe, S.Ishidzuka, J.Harries, Y.Teraoka, Y.Takakuwa
  • 学会等名: 7^<th> International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices'09
  • 発表場所: Hawaii (USA)
  • 年月日: 2009-12-06
• [学会発表] Photoemission spectroscopic analysis with synchrotron radiation of direct nitridation of Al(111) by supersonic N_2 molecular beam (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Teraoka, J.Harries, A.Yoshigoe
  • 学会等名: 22^<nd> International Microprocesses and Nanotechnology Conference
  • 発表場所: Sheraton Sapporo Hotel (Hokkaido)
  • 年月日: 2009-11-16
• [学会発表] Photoemission spectroscopic analysis with synchrotron radiation of direct nitridation of Al(111)by supersonic N_2 molecular beam (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Teraoka
  • 学会等名: 22^<nd> International Microprocesses and Nanotechnology Conference
  • 発表場所: Sheraton Sapporo Hotel (Hokkaido)
  • 年月日: 2009-11-16
• [学会発表] Chemical state resolved depth-profiling using synchrotron XPS and the maximum entropy method (2009)
  • 著者名/発表者名: J.R.Harries
  • 学会等名: 5^<th> International Workshop on High-Resolution Depth Profiling
  • 発表場所: Kyoto University (Kyoto)
  • 年月日: 2009-11-15
• [学会発表] In-situ XPS depth-profiling of hydrogen storage material VCrTi during thermal annealing (2009)
  • 著者名/発表者名: J.R.Harries, Y.Teraoka, A.Yoshigoe, M.Tode
  • 学会等名: AVS 56^<th> International Symposium and Exhibition
  • 発表場所: San Jose (USA)
  • 年月日: 2009-11-08
• [学会発表] 重水素イオン注入した水素貯蔵材(V_<25>Cr_<40>Ti_<35>)の高分解能軟X線放射光光電子分光による自然酸化膜の熱安定性の評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 戸出真由美
  • 学会等名: 第50回真空に関する連合講演会
  • 発表場所: 学習院大学(東京都豊島区)
  • 年月日: 2009-11-04
• [学会発表] SPring-8 BL23SUの表面化学反応分析装置における実空間"その場"観察の実現 (2009)
  • 著者名/発表者名: 吉越章隆
  • 学会等名: 第50回真空に関する連合講演会
  • 発表場所: 学習院大学(東京都豊島区)
  • 年月日: 2009-11-04
• [学会発表] グラフエン・オン・シリコン表面構造のLEED観察 (2009)
  • 著者名/発表者名: 高橋良太
  • 学会等名: 第29回表面科学学術講演会
  • 発表場所: タワーホール船堀(東京都江戸川区)
  • 年月日: 2009-10-26
• [学会発表] Si(111)-7x7表面酸化の促進と酸素分子の並進運動エネルギーの関係 (2009)
  • 著者名/発表者名: 吉越章隆
  • 学会等名: 第29回表面科学学術講演会
  • 発表場所: タワーホール船堀(東京都江戸川区)
  • 年月日: 2009-10-26
• [学会発表] 放射光表面化学反応分析装置に導入した走査型プローブ顕微鏡 (2009)
  • 著者名/発表者名: 吉越章隆
  • 学会等名: 第29回表面科学学術講演会
  • 発表場所: タワーホール船堀(東京都江戸川区)
  • 年月日: 2009-10-26
• [学会発表] Si(001)表面炭化反応における3C-SiC核発生の時間遅れ:表面近傍の臨海炭素濃度 (2009)
  • 著者名/発表者名: 穂積英彬
  • 学会等名: 第29回表面科学学術講演会
  • 発表場所: タワーホール船堀(東京都江戸川区)
  • 年月日: 2009-10-26
• [学会発表] Real-time observation of oxidation of Si(111)-7x7 surface at 300K by using synchrotron radiation XPS, LEED and STM (2009)
  • 著者名/発表者名: A.Yoshigoe, Y.Teraoka
  • 学会等名: International Workshop on Electronic Spectroscopy for Gas-phase Molecules and Solid Surfaces
  • 発表場所: Hotel Matsushima Taikanso (Miyagi)
  • 年月日: 2009-10-12
• [学会発表] Chemical-state resolved depth-profiling using angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy and the maximum entropy method (2009)
  • 著者名/発表者名: J.Harries
  • 学会等名: International Workshop on Electronic Spectroscopy for Gas-phase Molecules and Solid Surfaces
  • 発表場所: Hotel Matsushima Taikanso (Miyagi)
  • 年月日: 2009-10-12
• [学会発表] Strained Si atoms at SiO_2/Si interface during oxidation of Si_<1-x>C_x alloy layer on Si(001) surfaces (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Hozumi
  • 学会等名: International Workshop on Electronic Spectroscopy for Gas-phase Molecules and Solid Surfaces
  • 発表場所: Hotel Matsushima Taikanso (Miyagi)
  • 年月日: 2009-10-12
• [学会発表] Epitaxy of graphene on Si substrates toward three-dimensional graphene devices (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Fukidome
  • 学会等名: The 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Sendai Kokusai Hotel (Miyagi)
  • 年月日: 2009-10-07
• [学会発表] Enhancement of carbon diffusion caused by thermal oxidation on Si_<1-x>C_x alloy layer/Si(001) surfaces (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Hozumi
  • 学会等名: The 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Sendai Kokusai Hotel (Miyagi)
  • 年月日: 2009-10-07
• [学会発表] Induced oxidation on Ni(111) by kinetic energy of O_2 molecular beams (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Teraoka, Y.Kawakami, A.Yoshigoe, J.Harries, A.Hiraya
  • 学会等名: 11^<th> International Conference on Electronic Spectroscopy and Structure
  • 発表場所: Nara Prefectural New Public Hall (Nara)
  • 年月日: 2009-10-06
• [学会発表] Induced oxidation on Ni(111)by kinetyic energy of O_2 molecular beams (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Teraoka
  • 学会等名: 11^<th> International Conference on Electronic Spectroscopy and Structure
  • 発表場所: Nara Prefectural New Public Hall (Nara)
  • 年月日: 2009-10-06
• [学会発表] X-ray photoemission study of oxidation process on Cu(110) surface using a hyperthermal O_2 molecular beam (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Hashinokuchi
  • 学会等名: 11^<th> International Conference on Electronic Spectroscopy and Structure
  • 発表場所: Nara Prefectural New Public Hall (Nara)
  • 年月日: 2009-10-06
• [学会発表] Synchrotron radiation photoemission study on native oxides of VCrTi alloy and its modification by deuterium ion implantation (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Teraoka, J.Harries, M.Tode, A.Yoshigoe
  • 学会等名: 10^<th> Atomically Controlled Surface, Interface and Nanostructures
  • 発表場所: Granada (Spain)
  • 年月日: 2009-09-21
• [学会発表] 高分解能軟X線放射光光電子分光による重水素化VCrTiの表面分析 (2009)
  • 著者名/発表者名: 戸出真由美
  • 学会等名: 日本金属学会2009年秋季講演大会
  • 発表場所: 京都大学(京都市)
  • 年月日: 2009-09-15
• [学会発表] SiO2/Si界面酸化における格子歪みの役割(2):2次元島成長における炭素拡散 (2009)
  • 著者名/発表者名: 穂積英彬
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学(富山市)
  • 年月日: 2009-09-08
• [学会発表] 4H-SiC(0001)面の熱酸化により形成したSiO_2/SiC界面の放射光XPS評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 桐野嵩史
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学(富山市)
  • 年月日: 2009-09-08
• [学会発表] 界面特性に優れたAl_2O_3/ZrO_2/GeO_2積層構造ゲート絶縁膜の作製と評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 岡本学
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学(富山市)
  • 年月日: 2009-09-08
• [学会発表] Si(111)-7×7表面の室温酸化のLEED、STMおよび放射光XPSによるリアルタイム観察 (2009)
  • 著者名/発表者名: 吉越章隆
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学(富山市)
  • 年月日: 2009-09-08
• [学会発表] 放射光X線光電子分光によるTiAl酸化過程の研究 (2009)
  • 著者名/発表者名: 橋之口道宏
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学(富山市)
  • 年月日: 2009-09-08
• [学会発表] Role of translational kinetic energy of O_2 in adsorption process on Si(111)-7x7 surface at room temperature (2009)
  • 著者名/発表者名: A.Yoshigoe, Y.Teraoka
  • 学会等名: 26^<th> European Conference on Surface Science
  • 発表場所: Parma (Italy)
  • 年月日: 2009-08-30
• [学会発表] Oxidation of Si(111)-7x7 enhanced by translational kinetic energy of O_2 (2009)
  • 著者名/発表者名: A.Yoshigoe
  • 学会等名: 5^<th> International Workshop on Reactions Involving Oxygen & Hydrogen
  • 発表場所: Osaka University (Suita)
  • 年月日: 2009-06-17
• [学会発表] Depth-profiling using angular-resolved X-ray photoelectron spectroscopy and the maximum entropy method (2009)
  • 著者名/発表者名: J.R.Harries
  • 学会等名: 5^<th> International Workshop on Reactions Involving Oxygen & Hydrogen
  • 発表場所: Osaka University (Suita)
  • 年月日: 2009-06-17
• [学会発表] SR-XPS study on the native oxide of VCrTi and its modification by deuterium ion implantation (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Tode
  • 学会等名: 5^<th> International Workshop on Reactions Involving Oxygen & Hydrogen
  • 発表場所: Osaka University (Suita)
  • 年月日: 2009-06-17
• [学会発表] High-temperature oxidation of titanium-nickel alloy and its effect on the formation of protective layer (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Kasai
  • 学会等名: 5^<th> International Workshop on Reactions Involving Oxygen & Hydrogen
  • 発表場所: Osaka University (Suita)
  • 年月日: 2009-06-17
• [学会発表] Nitridation on Al(111)by an energetic N_2 beam (2009)
  • 著者名/発表者名: J.Harries
  • 学会等名: 第25回化学反応討論会
  • 発表場所: 大宮ソニックシティ(さいたま市)
  • 年月日: 2009-06-01
• [学会発表] 放射光リアルタイム光電子分光で観たSi(111)表面の酸化過程 (2009)
  • 著者名/発表者名: 吉越章隆
  • 学会等名: 電気学会光・量子デバイス研究会
  • 発表場所: 神戸大学(神戸市)
  • 年月日: 2009-05-07
• [学会発表] 超熱酸素分子線によるTiNi表面の酸化物生成過程のX線光電子分光研究 (2009)
  • 著者名/発表者名: 宗和誠
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学(つくば市)
  • 年月日: 2009-03-30
• [学会発表] Si(111)-7×7への室温での酸素吸着過程に及ぼす酸素分子の並進運動エネルギーの役割 (2009)
  • 著者名/発表者名: 吉越章隆
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学(つくば市)
  • 年月日: 2009-03-30
• [学会発表] SPring-8 BL23SU表面化学反応分析実験ステーションにおける走査型プローブ顕微鏡 (2009)
  • 著者名/発表者名: 吉越章隆
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学(つくば市)
  • 年月日: 2009-03-30
• [学会発表] プラズマ窒化SiC表面の熱酸化により形成したSiO_2/SiC界面の放射光XPS評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 景井悠介
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学(つくば市)
  • 年月日: 2009-03-30
• [学会発表] SiO_2/Si界面酸化における格子歪みの役割(1):炭素原子の挙動 (2009)
  • 著者名/発表者名: 穂積英彬
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学(つくば市)
  • 年月日: 2009-03-30
• [学会発表] Si(111)表面上でのNO解離吸着過程における立体効果の解明 (2009)
  • 著者名/発表者名: 橋之口道宏
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学(つくば市)
  • 年月日: 2009-03-30
• [学会発表] Synchrotron Radiation Photoemission Spectroscopy for Native Oxide Layer on Vanadium and VCrTa (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Teraoka
  • 学会等名: The International Workshop for Surface analysis and Standardization 2009
  • 発表場所: Ginowan (Japan)
  • 年月日: 2009-03-15
• [学会発表] SiO_2/Si(001)界面の炭素原子によるSi酸化反応機構への影響 (2009)
  • 著者名/発表者名: 穂積英彬
  • 学会等名: 第14回ゲートスタック研究会
  • 発表場所: 東レ総合研修センター(三島市)
  • 年月日: 2009-01-23
• [学会発表] 光電子分光と基板曲率測定によるSi(110)初期酸化過程の評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 山本喜久
  • 学会等名: 第14回ゲートスタック研究会
  • 発表場所: 東レ総合研修センター(三島市)
  • 年月日: 2009-01-23
• [学会発表] 酸素分子の並進運動エネルギーによるSi(111)-7x7表面への吸着促進機構の放射光リアルタイム光電子分光観察 (2009)
  • 著者名/発表者名: 吉越章隆
  • 学会等名: 第22回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
  • 発表場所: 東京大学(東京都文京区)
  • 年月日: 2009-01-09
• [学会発表] 放射光Ols光電子分光法によるNi(111)表面酸化反応ダイナミクスのその場観察 (2009)
  • 著者名/発表者名: 川上泰典
  • 学会等名: 第22回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
  • 発表場所: 東京大学(東京都文京区)
  • 年月日: 2009-01-09
• [学会発表] 高輝度放射光XPSによるSi(001)表面炭化・酸化反応過程のリアルタイム観察 (2008)
  • 著者名/発表者名: 穂積英彬
  • 学会等名: 第8回東北大学多元物質科学研究所研究発表会
  • 発表場所: 東北大学(仙台市)
  • 年月日: 2008-12-11
• [学会発表] Si(110)初期酸化時の化学結合状態および基板曲率のリアルタイム計測 (2008)
  • 著者名/発表者名: 山本喜久
  • 学会等名: 第63回応用物理学会東北支部学術講演会
  • 発表場所: 東北大学(仙台市)
  • 年月日: 2008-12-04
• [学会発表] Si_<1-x>C_x合金層/Si(001)酸化反応過程のリアルタイムXPS観察 (2008)
  • 著者名/発表者名: 穂積英彬
  • 学会等名: 第28回表面科学学術講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都新宿区)
  • 年月日: 2008-11-13
• [学会発表] 【Invited】 Chemical reactions dynamics : From atomic level to global view (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Kasai
  • 学会等名: The International Workshop on Molecular Information and Dynamics 2008
  • 発表場所: Taipei (Taiwan)
  • 年月日: 2008-11-10
• [学会発表] Photoemission analyses on oxides at single crystal Vanadium surfaces (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Teraoka
  • 学会等名: The 5^<th> International Symposium on Surface Science and Nanotechnology
  • 発表場所: Tokyo (Japan)
  • 年月日: 2008-11-09
• [学会発表] Time evolution of oxygen adsorption states and its translational kinetic energy dependence on Si(111)-7x7 (2008)
  • 著者名/発表者名: A. Yoshigoe
  • 学会等名: The 5^<th> International Symposium on Surface Science and Nanotechnology
  • 発表場所: Tokyo (Japan)
  • 年月日: 2008-11-09
• [学会発表] Time-resolved observation of trapping-mediated O_2 Adsorption on Si(111)-7x7 by synchrotron radiation photoelectron spectroscopy (2008)
  • 著者名/発表者名: A. Yoshigoe
  • 学会等名: 2008 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices
  • 発表場所: Tokyo (Japan)
  • 年月日: 2008-11-05
• [学会発表] Photoemission study on oxide at poly-vanadium surface (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Teraoka
  • 学会等名: 4^<th> Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia
  • 発表場所: Matsue (Japan)
  • 年月日: 2008-10-28
• [学会発表] Selective etching of sp^2 carbon in a diamond-like carbon film by hyperthermal atomic oxygen exposures (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Tagawa
  • 学会等名: 4^<th> Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia
  • 発表場所: Matsue (Japan)
  • 年月日: 2008-10-28
• [学会発表] Change in hydrogen amount in a diamond-like carbon film under hyperthermal atomic oxygen exposure (2008)
  • 著者名/発表者名: K. Yokota
  • 学会等名: 4^<th> Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia
  • 発表場所: Matsue (Japan)
  • 年月日: 2008-10-28
• [学会発表] Si(001)表面炭化/酸化過程のリアルタイムXPS測定 (2008)
  • 著者名/発表者名: 穂積英彬
  • 学会等名: 2008年度実用表面分析講演会
  • 発表場所: 東北大学(仙台市)
  • 年月日: 2008-10-14
• [学会発表] 【Invited】Stereodynamics of chemical reactions in heterogeneous systems : Dissociative adsorption of NO on Si(111) (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Hashinokuchi
  • 学会等名: The 12^<th> International Symposium of Stereodynamics of Chemical Reactions
  • 発表場所: Dalian (China)
  • 年月日: 2008-10-13
• [学会発表] シンクロトロン放射光と表面電子状態 (2008)
  • 著者名/発表者名: 寺岡有殿
  • 学会等名: 日本表面科学会主催第46回表面科学基礎講座
  • 発表場所: 神戸大学(神戸市)
  • 年月日: 2008-10-01
• [学会発表] New oxide layer formed by oxygen molecular beam on vanadium and its alloys as observed by photoemission spectroscopy with synchrotron radiation (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Teraoka
  • 学会等名: European Materials Research Society Fall Meeting
  • 発表場所: Warsaw (Poland)
  • 年月日: 2008-09-15
• [学会発表] 原子状酸素を照射した水素化ダイヤモンドライクカーボン薄膜の水素分布 (2008)
  • 著者名/発表者名: 田川雅人
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 中部大学(春日井市)
  • 年月日: 2008-09-02
• [学会発表] 放射光Ols光電子分光で観た超音速O_2分子線照射によるNi(111)の室温酸化反応 (2008)
  • 著者名/発表者名: 川上泰典
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 中部大学(春日井市)
  • 年月日: 2008-09-02
• [学会発表] 統合Si酸化反応モデルの実験的検証(4):表面酸化反応様式への依存 (2008)
  • 著者名/発表者名: 小川修一
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 中部大学(春日井市)
  • 年月日: 2008-09-02
• [学会発表] エチレンによるSi(001)表面炭化反応過程のリアルタイムXPS観察 (2008)
  • 著者名/発表者名: 高桑雄二
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 中部大学(春日井市)
  • 年月日: 2008-09-02
• [学会発表] Si(110)面上1原子層酸化膜の結合構造のSR-PESによる評価 (2008)
  • 著者名/発表者名: 山本喜久
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 中部大学(春日井市)
  • 年月日: 2008-09-02
• [学会発表] Temperature dependence of Cu-oxide formation with hyperthermal oxygen molecular beam (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Okada
  • 学会等名: 4^<th> International Workshop on Reactions involving Oxidation and Hydrogen
  • 発表場所: Suita (Japan)
  • 年月日: 2008-08-22
• [学会発表] ERDA/RBS/SR-PES study on the effect of reactive atomic beam exposures to hydrogenated diamond-like carbon films relevance to hydrogen storage applications (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Tagawa
  • 学会等名: 4^<th> International Workshop on Reactions involving Oxidation and Hydrogen
  • 発表場所: Suita (Japan)
  • 年月日: 2008-08-22
• [学会発表] Effect of preadsorbed O atom on the reaction of hydrogen on Ti(0001) (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Sowa
  • 学会等名: 4^<th> International Workshop on Reactions involving Oxidation and Hydrogen
  • 発表場所: Suita (Japan)
  • 年月日: 2008-08-22
• [学会発表] Real time observation of O_2 adsorption on Si(111)-7x7 by using synchrotron radiation photoelectron spectroscopy (2008)
  • 著者名/発表者名: A. Yoshigoe
  • 学会等名: 4^<th> International Workshop on Reactions involving Oxidation and Hydrogen
  • 発表場所: Suita (Japan)
  • 年月日: 2008-08-22
• [学会発表] Synchrotron radiation photoemission spectroscopy for native oxide, its thermal instability and re-oxidation of hydrogen storage metals (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Teraoka
  • 学会等名: 4^<th> International Workshop on Reactions involving Oxidation and Hydrogen
  • 発表場所: Suita (Japan)
  • 年月日: 2008-08-22
• [学会発表] Real-time monitoring of rest atoms during oxidation at 300K of Si(111)-7x7 using synchrotron radiation photoelectron spectroscopy (2008)
  • 著者名/発表者名: A. Yoshigoe
  • 学会等名: The 25^<th> European Conference on Surface Science
  • 発表場所: Liverpool (England)
  • 年月日: 2008-07-27
• [学会発表] Initial oxidation of Si(110) as studied by real-time SR-XPS (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Suemitsu
  • 学会等名: 15^<th> Workshop on Dielectrics in Microelectronics
  • 発表場所: Berlin (Germany)
  • 年月日: 2008-06-23
• [学会発表] Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定 (2008)
  • 著者名/発表者名: 山本喜久
  • 学会等名: 電子情報通信学会SDM研究会
  • 発表場所: 東京大学駒場(東京都)
  • 年月日: 2008-06-09
• [学会発表] Si-doping for the protection of hydrogenated diamond-like carbon films in a simulated atomic oxygen environment in LEO (2008)
  • 著者名/発表者名: K. Yokota
  • 学会等名: The 26^<th> International Symposium on Space Technology and Science
  • 発表場所: Hamamatsu (Japan)
  • 年月日: 2008-06-01
• [学会発表] Protection of diamond-like carbon films from an energetic atomic oxygen bombardment with Si-doping technology (2008)
  • 著者名/発表者名: M. Tagawa
  • 学会等名: The 9^<th> International Conference on Protection of Materials and Structures from Space Environment
  • 発表場所: Toronto (Canada)
  • 年月日: 2008-05-20
• [図書] American Scientific Publishers, Fabrication of Cu oxides on single crystal Cu surfaces using hyperthermal O_2 molecular beams, eds.(Vol.1, Chapter 6, Metal Oxide Nanostructures and Their Applications) (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Okada, K.Moritani, L.Vattuone, L.Savio, Y.Teraoka, T.Kasai, M.Rocca
  • 総ページ数: 33
  • 出版者: Ahmad Umar and Yoon-Bong Hahn
• [図書] Fabrication of Cu oxides on single crystal Cu surfaces using hyperthermal O_2 molecular beams, eds.Ahmad Umar and Yoon-Bong Hahn, Vol.1, Chapter 6, Metal Oxide Nanostructures and Their Applications (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Okada
  • 総ページ数: 33
  • 出版者: American Scientific Publishers
• [産業財産権] グラフェンの形成方法およびグラフェンの形成装置 (2010)
  • 発明者名: 寺岡有殿、吉越章隆、吹留博一、末光眞希、今泉京
  • 権利者名: 独立行政法人日本原子力研究開発機構、国立大学法人東北大学
  • 産業財産権番号: 2010-045842
  • 出願年月日: 2010-03-02