研究課題/領域番号 |
20360051
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
機械材料・材料力学
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
泉 聡志 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (30322069)
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研究分担者 |
酒井 信介 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (80134469)
原祥 太郎 (原 祥太郎) 東京大学, 大学院・工学系研究科, 特任講師 (10401134)
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研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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配分額 *注記 |
8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)
2010年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2009年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2008年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
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キーワード | 機械材料・材料力学 / 分子動力学 / マルチスケール解析 / 転位 / 加速分子動力学 |
研究概要 |
分子動力学で取り扱えない長時間スケールの解析を可能とする位相空間サンプリング分子動力学法を開発した。開発した手法をベースとした転位の反応経路解析を、単結晶シリコンの転位生成メカニズムにおいて長年論争があったシリコンの転位のShuffle-Glide論争へ適用した。結果、高温・低応力でGlide-set転位が、低温・高応力でShuffle-set転位が発生することを示し、半導体、MEMS分野へ応用した。
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