| 研究課題/領域番号 |
20360068
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
生産工学・加工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
山村 和也 大阪大学, 工学研究科, 准教授 (60240074)
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| 研究分担者 |
是津 信行 大阪大学, 工学研究科, 助教 (10432519)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円)
2010年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2009年度: 6,630千円 (直接経費: 5,100千円、間接経費: 1,530千円)
2008年度: 7,800千円 (直接経費: 6,000千円、間接経費: 1,800千円)
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| キーワード | 特殊加工 / 超精密加工 / 大気圧プラズマ / 無歪加工 / SiC / スクラッチフリー / ダメージフリー / 水蒸気プラズマ / OHラジカル / 研磨 / ATカット水晶ウエハ / 数値制御加工 / プラズマCVM / パルス変調プラズマ |
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| 研究概要 |
特殊構造の電極を開発し、真空チャンバーを用いることなく完全な大気開放下でプラズマを発生できる数値制御(NC)加工装置を開発した。本装置を用い、厚さが100μm以下である水晶ウエハの厚さムラを2分以内に10nmレベルまで均一化することに成功した。また、大気圧水蒸気プラズマの照射による表面改質と砥粒研磨加工とを組み合わせたプラズマ援用研磨法を提案し、単結晶SiCのシリコン面に対してステップ/テラス構造が観察されるほどの原子レベルで平滑な表面を得た。
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