| 研究課題/領域番号 |
20360095
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
熱工学
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
野崎 智洋 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 特任准教授 (90283283)
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| 研究分担者 |
岡崎 健 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (20124729)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
19,630千円 (直接経費: 15,100千円、間接経費: 4,530千円)
2010年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2009年度: 5,850千円 (直接経費: 4,500千円、間接経費: 1,350千円)
2008年度: 11,050千円 (直接経費: 8,500千円、間接経費: 2,550千円)
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| キーワード | 量子ドット / 二酸化炭素排出削減 / 熱工学 / 反応工学 / 非平衡プラズマ / プラズマ加工 / ナノシリコン / ナノ材料 / シリコン / フォトルミネッセンス / 半導体量子ドット / マイクロプラズマ / カーボンナノチューブ / LED / 太陽電池 |
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| 研究概要 |
従来法にない量産性と材料設計の高い自由度を兼ね備えた方法としてインフライトプラズマCVDを開発し,SiC量子ドットを大量合成することに成功した。反応時間によってナノ結晶のサイズを3-12nmで制御できること,さらに結晶サイズによってフォトルミネッセンスを900nmから650nmへ制御できることを実証した。カーボンナノチューブをマトリックスとして用い,量子ドットを分散させた薄膜を作成したが,量子ドットの酸化に起因してエレクトロルミネッセンス及び薄膜の良好な電気伝導性を得ることができなかった。シリコン系の量子ドットを発光デバイス等へ発展させるためには,完全に空気(水蒸気)が遮断された環境で量子ドットを取り扱う必要性があること,そのために必要なデバイス設計指針を明示した。
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