| 研究課題/領域番号 |
20360134
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 茨城大学 |
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研究代表者 |
鵜殿 治彦 茨城大学, 工学部, 准教授 (10282279)
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| 研究分担者 |
木村 孝之 茨城大学, 工学部, 准教授 (50302328)
山田 洋一 筑波大学, 数理物質科学研究科, 助教 (20435598)
山口 憲司 (独)日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究主幹 (50210357)
山本 博之 (独)日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究主幹 (30354822)
江坂 文孝 (独)日本原子力研究開発機構, 原子力基礎工学研究部門, 研究副主幹 (40354865)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
19,240千円 (直接経費: 14,800千円、間接経費: 4,440千円)
2010年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2009年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2008年度: 12,480千円 (直接経費: 9,600千円、間接経費: 2,880千円)
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| キーワード | シリサイド半導体 / 不純物添加 / バルク結晶 / 受光素子 / 半導体シリサイド / 赤外受光素子 / Mg_2Si / pn.接合 / β-FeSi_2 / ショットキー接合 |
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| 研究概要 |
半導体鉄シリサイドのように資源量が豊富な元素で構成されるシリサイド半導体は資源・環境リスクに強い特徴がある。その多くは、禁制帯幅が1eV以下であり、従来利用されているPbS, PbSe, InGaAs, In As, In Sbフォトセンサ類に代わる近赤外から赤外域での受光素子材料としての利用が期待できる。本研究では特にβ-FeSi^2とマグネシウムシリサイド系(Mg^2M : M=Si, Ge, Sn)半導体に注目し、pn接合ダイオードの開発を行った。
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