| 研究課題/領域番号 |
20360139
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
近藤 正彦 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (90403170)
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| 研究分担者 |
若原 昭浩 豊橋技術科学大学, 工学部, 教授 (00230912)
江村 修一 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (90127192)
石川 史太郎 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 (60456994)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円)
2011年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2009年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2008年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
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| キーワード | III-N-V 半導体 / III-N-V化合物半導体 / 熱処理 / X線吸収微細構造 / 原子配列 / GaInNAｓ / X線光電子分光 / 原子緩和 / 電気・電子材料 / III-N-V半導体 / X線吸収微細構 / GaInNAs / GaInNA s / エピタキシャルリフトオフ / InNP / ボンド結合長 |
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| 研究概要 |
GaInNAs に代表される III-N-V半導体は、半導体レーザ等の次世代半導体デバイスの基盤材料としての大きな可能性を内在している。熱処理(アニール)は III-N-V 化合物半導体の光学特性改善に欠かせない技術として定着しているが、未だにその結晶に与える影響については未解明な部分が多い。本研究では、放射光施設を利用して、X 線吸収微細構造(XAFS)測定及び硬 X 線光電子分光(HXPES)の測定を行い、アニールが引き起こす III-N-V 半導体中の原子緩和について研究をおこなった。
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