| 研究課題/領域番号 |
20360141
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 山口大学 |
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研究代表者 |
只友 一行 山口大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (10379927)
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| 研究分担者 |
桑野 範之 九州大学, 産学連携センター, 教授 (50038022)
岡田 成仁 山口大学, 大学院・理工学研究科, 助教 (70510684)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円)
2010年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2009年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2008年度: 9,230千円 (直接経費: 7,100千円、間接経費: 2,130千円)
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| キーワード | LED / 発光ダイオード / GaN / 無極性面 / 半極性面 / 結晶成長 / MOVPE / サファイア基板 |
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| 研究概要 |
r面サファイア加工基板(r-plane patterned sapphire substrate : r-PSS)上に高品質の半極性{11-22}面GaNを有機金属気相成長法(MOVPE)により成長する新しい技術を開発した。即ち、c面近傍側壁を有するストライプ状のr-PSSを作製し、露出したc面近傍側壁からc面GaNを成長することにより、r-PSS全面に低転位密度の{11-22}面GaNを成長した。転位密度は約1×10^8cm^(-2)程度まで低減した。このテンプレート上に試作した緑色LEDの電流注入の増加に伴うブルーシフトは(20mAから100mAまで)、c面GaN上のLEDのブルーシフトに比べて小さいことを実証した。
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