| 研究課題/領域番号 |
20360144
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 熊本大学 |
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研究代表者 |
中村 有水 熊本大学, 大学院・自然科学研究科, 教授 (00381004)
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| 研究分担者 |
土屋 昌弘 独立行政法人情報通信研究機構, 上席研究員 (50183869)
中 良弘 熊本大学, 大学院・自然科学研究科, 助教 (30305007)
山本 直克 独立行政法人情報通信研究機構, 第一研究部門新世代ネットワーク研究センター, 研究員 (60328523)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2010年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2009年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2008年度: 10,920千円 (直接経費: 8,400千円、間接経費: 2,520千円)
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| キーワード | 電気・電子材料 / シリコンフォトニクス / 赤外発光素子 / 発光素子 / 酸化物 / 希土類 / 赤外光 / 集積回路 / 酸化珪素 / エルビウム |
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| 研究概要 |
超高速集積回路の実現に向けてシリコン基板上における光伝送技術を開発するため、未開発である発光素子に関して新たな素子構造を提案・試作した。それは希土類添加のシリコン酸化膜発光層をP型・N型イドギャップ半導体の電流注入層で挟んだ構造である。希土類添加の酸化物に対する電流注入は、技術的にも学術的にも未開拓な分野であるが、本新規構造を用いた発光素子を試作し、室温で電流注入による1.5μm帯の赤外発光を観測することに成功し、さらに発光が10V程度の低電圧から得られることを実証した。
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