研究課題/領域番号 |
20360157
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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研究機関 | 名古屋大学 |
研究代表者 |
岩田 聡 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (60151742)
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研究分担者 |
加藤 剛志 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (50303665)
綱島 滋 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (80023323)
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研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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配分額 *注記 |
18,980千円 (直接経費: 14,600千円、間接経費: 4,380千円)
2010年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2009年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2008年度: 11,180千円 (直接経費: 8,600千円、間接経費: 2,580千円)
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キーワード | 磁気センサ / 巨大磁気抵抗効果 / スピントンネル効果 / 磁壁移動 / スピントンネル素子 / スピントロニクス / 磁壁振動 / 磁区構造 |
研究概要 |
巨大磁気抵抗効果とスピントンネル効果を利用し,外部磁界により磁壁移動を検出する磁気センサの開発を行った。磁壁の移動を妨げる磁壁抗磁力の影響を低減するためにスピンバルブ型磁気センサ素子の自由層の磁壁位置を交流磁界で振動的に変化させる検出方式を考案し,磁気抵抗素子と交流磁界を加えるための導体線からなるセンサデバイスを開発した。その結果,従来の磁化回転方式に比べて磁界感度を大幅に改善することができた。
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