| 研究課題/領域番号 |
20360159
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
村上 博成 大阪大学, レーザーエネルギー学研究センター, 准教授 (30219901)
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| 研究分担者 |
川山 巌 大阪大学, レーザーエネルギー学研究センター, 助教 (10332264)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円)
2010年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2009年度: 7,280千円 (直接経費: 5,600千円、間接経費: 1,680千円)
2008年度: 8,970千円 (直接経費: 6,900千円、間接経費: 2,070千円)
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| キーワード | 磁気光学効果 / 磁束量子 / 磁気デバイス / 超伝導磁束量子デバイス / レーザー / 交流変調法 / 高温超伝導体 / 高温超伝導テープ線材 / 電流変調 / ガーネット / ガルバノメータ |
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| 研究概要 |
超伝導磁束量子デバイスをはじめとする磁気デバイスの評価装置および光出力インターフェイスとして、高感度・高速レーザー走査型磁気光学顕微鏡システムの間発を行った。このシステムを用いて、デバイス中の磁束分布の高速観察(感度～100μT)、および超伝導ループ中に発生した単一磁束量子の信号検出に成功した。また交流変調法を利用することにより、僅か1mAの電流によって発生する磁場分布の観察にも成功した。
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