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量子ドットと量子細線を結合させた素子構造の形成法開拓と光伝導機能探索

研究課題

研究課題/領域番号 20360163
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関豊田工業大学

研究代表者

榊 裕之  豊田工業大学, 工学部, 教授 (90013226)

研究分担者 大森 雅登  豊田工業大学, 工学部, 助教 (70454444)
PAVEL Vitushinskiy  豊田工業大学, 工学部, PD研究員 (30545330)
秋山 芳広  豊田工業大学, 工学部, PD研究員 (60469773)
連携研究者 野田 武司  独立行政法人物質・材料研究機構, 量子ドットセンター, 主幹研究員 (90251462)
川津 琢也  独立行政法人物質・材料研究機構, 量子ドットセンター, 主任研究員 (00444076)
研究期間 (年度) 2008 – 2010
研究課題ステータス 完了 (2010年度)
配分額 *注記
16,900千円 (直接経費: 13,000千円、間接経費: 3,900千円)
2010年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円)
2009年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2008年度: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
キーワード量子デバイス / スピンデバイス / 量子ナノ構造 / 量子ドット / 量子細線 / 1次元電子 / 光伝導 / 光検出器
研究概要

量子細線型の伝導路の近くに量子ドットや局在準位を配した構造を作る手法を開発し、この構造に光を照射すると、ドット等が正孔や電子を捕縛するため、細線の電気伝導度が顕著に増減し、光検出機能を示すことを実証した。なお、ドットの形成には、格子不整合基板上の自己形成手法と液滴エピタキシを用い、細線形成には、(1)微傾斜GaAs基板上の多段の原子ステップを用いる手法、(2)自己形成InAsドットの多重積層法、(3)リソグラフィ法の三手法を用いた。

報告書

(4件)
  • 2010 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2009 実績報告書
  • 2008 実績報告書
  • 研究成果

    (75件)

すべて 2011 2010 2009 2008

すべて 雑誌論文 (30件) (うち査読あり 30件) 学会発表 (43件) 図書 (2件)

  • [雑誌論文] Diffusion process of excitons in the wetting layer and their trapping by quantum dots in sparsely spaced InAs quantum dot systems2011

    • 著者名/発表者名
      M.Ohmori, P.Vitushinskiy, H.Sakaki
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. Vol.98

      ページ: 133109-133109

    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Anisotropic diffusion of In atoms from an In droplet and formation of elliptically shaped InAs quantum dot clusters on (100) GaAs2011

    • 著者名/発表者名
      T.Noda, T.Mano, H.Sakaki
    • 雑誌名

      Crystal Growth & Design Vol.11, 3

      ページ: 726-728

    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Anisotropic transport of two-dimensional electron gas modulated by embedded elongated GaSb/GaAs quantum dots2011

    • 著者名/発表者名
      Li GD, Jiang C, Zhu QS, H.Sakaki
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. Vol.98, 3

      ページ: 32103-32103

    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Anisotropic transport of two-dimensional electron gas modulated by embedded elongated GaSb/GaAs quantum dots2011

    • 著者名/発表者名
      Li GD.
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 98

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Photoluminescence spectra and carrier capture processes in sparsely-spaced InAs quantum dot systems2011

    • 著者名/発表者名
      M.Ohmori
    • 雑誌名

      Phys.Status Solidi (c)

      巻: 8 ページ: 251-253

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Anisotropic diffusion of In atoms from an In droplet and formation of elliptically shaped InAs quantum dot clusters on (100) GaAs2011

    • 著者名/発表者名
      T.Noda
    • 雑誌名

      Crystal Growth & Design

      巻: 11 ページ: 726-728

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Diffusion process of excitons in the wetting layer and their trapping by quantum dots in sparsely spaced InAs quantum dot systems2011

    • 著者名/発表者名
      M.Ohmori
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 98

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Temperature dependence of magneto-capacitance in n-AlGaAs/GaAs selectively doped heterojunction with InGaAs quantum dots2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kawazu, H.Sakaki
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.49, 9

      ページ: 90205-90205

    • NAID

      40017294699

    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Short range scattering mechanism of type-II GaSb/GaAs quantum dots on the transport properties of two-dimensional electron gas2010

    • 著者名/発表者名
      Li GD, Yin H, Zhu QS, H.Sakaki, Jiang C.
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. Vol.108, 4

      ページ: 43702-43702

    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Anisotropic transport of electrons in a novel FET channel with chains of InGaAs nano-islands embedded along quasi-periodic multi-atomic steps on vicinal (111)B GaAs2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Akiyama, T.Kawazu, T.Noda, H.Sakaki
    • 雑誌名

      AIP Conf.Proc Vol.1199

      ページ: 265-266

    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Short range scattering mechanism of type-II GaSb/GaAs quantum dots on the transport properties of two-dimensional electron gas2010

    • 著者名/発表者名
      Li GD
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys.

      巻: 108

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Temperature dependence of magnetocapacitance in n-AlGaAs/GaAs selectively doped heterojunction with InGaAs quantum dots2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kawazu
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: 49

    • NAID

      40017294699

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Thermal annealing of GaSb quantum dots in GaAs formed by droplet epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kawazu
    • 雑誌名

      Physica E-Low-Dimensional Systems & Nano-structures

      巻: 42 ページ: 2742-2744

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Resonant tunneling of electrons through single self-assembled InAs quantum dot studied by conductive atomic force microscopy2010

    • 著者名/発表者名
      I.Tanaka
    • 雑誌名

      Physica E-Low-Dimensional Systems & Nano-structures

      巻: 42 ページ: 2606-2609

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effects of Sb/As intermixing on optical properties of GaSb type-II quantum dots in GaAs grown by droplet epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kawazu
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 97

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effects of antimony flux on morphology and photo-luminescence spectra of GaSb quantum dots formed on GaAs by droplet epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kawazu
    • 雑誌名

      J.Nonlinear Optical Physics & Material

      巻: 19 ページ: 819-826

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Anisotropic transport of electrons in a novel FET channel with chains of InGaAs nano-islands embedded along quasi-periodic multi-atomic steps on vicinal(111)B GaAs2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Akiyama
    • 雑誌名

      AIP Conf.Proc. Vol.1199

      ページ: 265-266

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Two different growth modes of GaSb dots on GaAs(100)by droplet epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      T.Kawazu
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 311

      ページ: 2255-2257

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Growth of GaSb dots on GaAs (100) by droplet epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      Takuya Kawazu
    • 雑誌名

      Physica status Solidi (b)246, No. 4

      ページ: 733-735

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Optical properties of GaSb/GaAs type-II quantum dots grown by droplet epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      Takuya Kawazu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 94

      ページ: 81911-81911

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Spontaneous formation of a cluster of InAs dots along a ring-like zone on GaAs (100)by droplet epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      Takeshi Noda
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 311

      ページ: 1836-1838

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electron scatterings in selectively doped n-AlGaAs/GaAs heterojunctions with high density self-assembled InAlAs antidots2008

    • 著者名/発表者名
      T.Kawazu, H.Sakaki
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. Vol.93

    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Formation of ultra-low density (≦104 cm-2) self-organized InAs quantum dots on GaAs by a modified molecular beam epitaxy method2008

    • 著者名/発表者名
      M.Ohmori, T.Kawazu, K.Torii, T.Takahashi, H.Sakaki
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Exp. Vol.1

    • NAID

      10025080675

    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Magneto-capacitance study of an n-AlGaAs/GaAs heterojunction supporting a sizable dc current2008

    • 著者名/発表者名
      T.Kawazu, H.Sakaki
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi, (c) 5 No.9

      ページ: 2879-2881

    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Magnetocapacitance measurement of selectively doped n-AlGaAs/GaAs heterojunction with InGaAs quantum dots2008

    • 著者名/発表者名
      T.Kawazu, H.Sakaki
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.47, (5), pt.1

      ページ: 3763-3765

    • NAID

      10022549917

    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Anisotropic transport of electrons and holes in thin GaAs/AlAsquantum wells grown on(311)A GaAs substrates2008

    • 著者名/発表者名
      Takeshi Noda
    • 雑誌名

      Physica E Vol. 40

      ページ: 2116-2118

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Magnetocapacitance measurement of selectively doped n-AlGaAs/GaAs heterojunction with InGaAs quantum dots2008

    • 著者名/発表者名
      Takuya Kawazu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Part 1, Vol. 47, (5), pt. 1

      ページ: 3763-3765

    • NAID

      10022549917

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Magneto-capacitance study of an n-AlGaAs/GaAs heterojunction supporting a sizable dc current2008

    • 著者名/発表者名
      Takuya Kawazu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 5, No. 9

      ページ: 2879-2881

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Formation of Ultra-low Density (〓 10^4 cm^<-2>) Self-Organized InAsQuantum Dots on GaAs by a Modified Molecular Beam Epitaxy Method2008

    • 著者名/発表者名
      Masato Ohmori
    • 雑誌名

      Applied Physics Express Vol. 1

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electron scatterings, in selectively doped n-AlGaAs/GaAsheterojunctions with high density self-assembled InAlAs antidots2008

    • 著者名/発表者名
      Takuya Kawazu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol. 93

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] From superlattices to quantum dots : Roles of nanostructures in advanced electronics and photonics2011

    • 著者名/発表者名
      榊裕之
    • 学会等名
      第3回先進プラズマ科学と窒化物およびナノ材料への応用に関する国際シンポジウム(ISPlasma 2011)
    • 発表場所
      名古屋工業大学(招待講演)
    • 年月日
      2011-03-07
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 量子ナノ構造デバイスの新展開~センサ素子応用を中心にして~2010

    • 著者名/発表者名
      榊裕之
    • 学会等名
      公開シンポジウム「ナノ量子情報エレクトロニクスの進展」
    • 発表場所
      東京大学(招待講演)
    • 年月日
      2010-12-22
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 半導体ナノ構造による電子の量子的制御と先端エレクトロニクス応用2010

    • 著者名/発表者名
      榊裕之
    • 学会等名
      エレクトロニクス先端融合研究所開所記念国際シンポジウム
    • 発表場所
      豊橋技術科学大学(招待講演)
    • 年月日
      2010-11-15
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Effects of interface grading on electronic states and optical transitions in GaSb type-II quantum dots in GaAs2010

    • 著者名/発表者名
      川津琢也, 榊裕之
    • 学会等名
      2010 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS (SSDM2010)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2010-09-23
    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
  • [学会発表] Effects of interface grading on electronic states and optical transitions in GaSb type-II quantum dots in GaAs2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kawazu
    • 学会等名
      2010 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS (SSDM 2010)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2010-09-23
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 自己形成InGaAsドット列における異方的な持続性光電流2010

    • 著者名/発表者名
      秋山芳広、川津琢也, 野田武司, 榊裕之
    • 学会等名
      2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
  • [学会発表] GaSb量子ドット入りGaAsFET素子の光照射効果:過渡応答2010

    • 著者名/発表者名
      伊賀健一郎, 山附太香史, 大森雅登, 秋山芳広, 榊裕之
    • 学会等名
      2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
  • [学会発表] 自己形成InGaAsドット列における異方的な持続性光電流2010

    • 著者名/発表者名
      秋山芳広
    • 学会等名
      2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] GaSb量子ドット入りGaAs FET素子の光照射効果:過渡応答2010

    • 著者名/発表者名
      伊賀健一郎
    • 学会等名
      2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 多重量子井戸構造を有するpinダイオードにおける光電流の温度・構造依存性2010

    • 著者名/発表者名
      Yi Ding
    • 学会等名
      2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] GaSb/GaAsタイプII量子ドットにおけるSb/As相互拡散の効果2010

    • 著者名/発表者名
      川津琢也
    • 学会等名
      2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 液滴エピタキシーによるInGaAs/InP上InAsリング構造の作製2010

    • 著者名/発表者名
      野田武司
    • 学会等名
      2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 単一半導体量子リングにおけるサブバンド間多極放射確率2010

    • 著者名/発表者名
      近藤直樹
    • 学会等名
      2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] ヘテロ構造障壁を持つpIn形ダイオードのC-V及びI-V特性2010

    • 著者名/発表者名
      坂下大樹
    • 学会等名
      2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Fabrication of InAs ring structure on InGaAs/InP by droplet epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      T.Noda
    • 学会等名
      16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010)
    • 発表場所
      Berlin, Germany
    • 年月日
      2010-08-23
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Charge-sensitive tunneling diode towards single-photon detection2010

    • 著者名/発表者名
      P.Vitushinskiy, M.Ohmori, H.Sakaki
    • 学会等名
      The International Conference on Nanophotonics 2010
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2010-06-01
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書 2010 研究成果報告書
  • [学会発表] Photoluminescence spectra and carrier capture processes in sparsely-spaced InAs quantum dot systems2010

    • 著者名/発表者名
      M.Ohmori, P.Vitushinskiy, H.Sakaki
    • 学会等名
      The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Takamatsu, Japan
    • 年月日
      2010-05-31
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書 2010 研究成果報告書
  • [学会発表] Photocurrent characteristics in p-i-n diodes embedded with coupled or uncoupled multi-quantum wells2010

    • 著者名/発表者名
      T.Noda
    • 学会等名
      The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Takamatsu, Japan
    • 年月日
      2010-05-31
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Growth of GaSb and InSb Quantum dots on GaAs(311)A by droplet epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kawazu
    • 学会等名
      The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Takamatsu, Japan
    • 年月日
      2010-05-31
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Effects of antimony flux on morphology and photoluminescence spectra of GaSb quantum dots formed on GaAs by droplet epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kawazu
    • 学会等名
      The International Conference on Nanophotonics 2010
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2010-05-30
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] GaAs(111)面上のヘテロ構造内の電子伝導とピエゾ抵抗効果2010

    • 著者名/発表者名
      米倉健二
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学
    • 年月日
      2010-03-20
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 多重量子井戸構造を有するpinダイオードにおける光電流のバイアス電圧依存性2010

    • 著者名/発表者名
      野田武司
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学
    • 年月日
      2010-03-18
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 半導体ナノ構造デバイスの進展と進展と結晶成長学2009

    • 著者名/発表者名
      榊裕之
    • 学会等名
      第39回結晶成長学会国内会議
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2009-11-13
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] ナノ構造のデバイス応用と表面・界面の科学2009

    • 著者名/発表者名
      榊裕之
    • 学会等名
      第29回表面科学学術会議講演会
    • 発表場所
      タワーホール船堀(東京)
    • 年月日
      2009-10-28
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 液滴エピタキシーで形成したGaAs・InAs複合構造と表面拡散2009

    • 著者名/発表者名
      野田武司
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-11
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAs量子ドットの熱アニーリング効果2009

    • 著者名/発表者名
      川津琢也
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] TyPe-II GaSb/GaAs量子ドットのGaAs/AlGaAs量子井戸中における光学特性2009

    • 著者名/発表者名
      大森雅登
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-09
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 微傾斜(111)B面上のInGaAs結合ドット列を介する異方的電子伝導の温度依存性2009

    • 著者名/発表者名
      秋山芳広, 川津琢也, 野田武司, 榊裕之
    • 学会等名
      2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-08
    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
  • [学会発表] InAs量子ドット系における光励起キャリアの発光再結合と濡れ層での拡散過程2009

    • 著者名/発表者名
      高橋一真, 黒田知宏, 大森雅登, 榊裕之
    • 学会等名
      2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-08
    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
  • [学会発表] 微傾斜(111)B面上のInGaAs結合ドット列を介する異方的電子伝導の温度依存性2009

    • 著者名/発表者名
      秋山芳広
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-08
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 光励起キャリアの移動とInAs量子ドットによる捕捉過程の促進2009

    • 著者名/発表者名
      黒田知宏
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-08
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] InAs量子ドット系における光励起キャリアの発光再結合と濡れ層での拡散課程2009

    • 著者名/発表者名
      高橋一真
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-08
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 半導体ナノ構造による電子の量子制御と先端素子応用の探索2009

    • 著者名/発表者名
      榊 裕之
    • 学会等名
      第9回応用物理学会業績賞記念講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Thermal annealing of GaSb quantum dots in GaAs formed by droplet epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      T.Kawazu
    • 学会等名
      The 14<th> International Conf. on Modulated Semiconductor Structures(MSS14)
    • 発表場所
      Kobe, Japan
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Anisotropic effective mass and hole transport in p-type(311)A thin GaAs quantum wells2009

    • 著者名/発表者名
      T.Noda
    • 学会等名
      The 14<th> International Conf. on Modulated Semiconductor Structures(MSS14)
    • 発表場所
      Kobe, Japan
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Resonant tunneling of electrons through single self-assembled InAs quantum dot studied by conductive atomic force microscopy2009

    • 著者名/発表者名
      I.Tanaka
    • 学会等名
      The 14<th> International Conf. on Modulated Semiconductor Structures(MSS14)
    • 発表場所
      Kobe, Japan
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] From Quantum Wells to Quantum Dots : Roles of Nanostructures in Advanced Electronics and Photonics2009

    • 著者名/発表者名
      H.Sakaki
    • 学会等名
      International Conference on Nanoscience and Technology, China 2009
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Optical properties of GaSb/GaAs type-II dots by droplet epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      Takuya Kawazu
    • 学会等名
      2008 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS (SSDM2008)
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2008-09-25
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] 量子ドットをコア部に入れたフォトニック・バンドギャップ・ファイバでのレーザ発振2008

    • 著者名/発表者名
      大森雅登
    • 学会等名
      2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-04
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] 液滴エピタキシー法によるInAsドット群の自己形成と光学特性2008

    • 著者名/発表者名
      野田武司
    • 学会等名
      2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-02
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] 液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAs タイプII量子ドットの光学特性2008

    • 著者名/発表者名
      川津琢也
    • 学会等名
      2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-02
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Anisotropic transport of electrons in a novel FET channel with chains of InGaAs nano-islands embedded along quasi-periodic multi-atomic steps on vicinal (111)B GaAs2008

    • 著者名/発表者名
      秋山芳広, 川津琢也, 野田武司, 榊裕之
    • 学会等名
      29th International Conference on the Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Rio de Janeiro, Brazil
    • 年月日
      2008-07-29
    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
  • [学会発表] Anisotropic transport of electrons in a novel FET channel with chains of InGaAs nano-islands embedded along quasi-periodic multi-atomic steps on vicinal (lll)B GaAs2008

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Akiyama
    • 学会等名
      29th International Conference on the Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Rio de Janeiro, Brazil
    • 年月日
      2008-07-29
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [図書] 奈米技的全貌與未来発展2009

    • 著者名/発表者名
      榊裕之
    • 総ページ数
      213
    • 出版者
      青文出版社股〓有限公司
    • 関連する報告書
      2010 研究成果報告書
  • [図書] 奈米科技的全貌與未来発展2009

    • 著者名/発表者名
      榊裕之
    • 総ページ数
      213
    • 出版者
      青文出版社股〓有限公司
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書

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公開日: 2008-04-01   更新日: 2016-04-21  

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