特異的準安定ナノ構造セラミックスの電子輸送特性に関する研究

• 研究課題/領域番号: 20360296
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 無機材料・物性
• 研究機関: 独立行政法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 藤本 正之 独立行政法人物質・材料研究機構, 光材料センター, NIMS特別研究員 (60372520)
• 研究分担者: 羽田 肇 独立行政法人物質・材料研究機構, センサー材料センター, センター長 (70354420) ; 大橋 直樹 独立行政法人物質・材料研究機構, 光材料センター, センター長 (60251617)
• 研究期間 (年度): 2008
• 研究課題ステータス: 完了 (2008年度)
• 配分額: 10,140千円 (直接経費: 7,800千円、間接経費: 2,340千円); 2008年度: 10,140千円 (直接経費: 7,800千円、間接経費: 2,340千円)
• キーワード: 抵抗変化型不揮発メモリー / フィラメントパス / ナノドメインスイッチ / 準安定ナノ結晶

研究概要

本研究では抵抗変化型不揮発性メモリーのビット材料として研究されている酸化物セラミックス電子材料の数桁にもおよぶ高速の抵抗変化現象を電子輸送特性と特異的な準安定ナノ結晶の構造変化に着目して、従来仮定の域を出ていない通称「フィラメントパス」と「ナノドメインスイッチ」が如何なるものなのかを明らかにすることを目的とした。特に、今まで研究代表者の研究では、所有設備との関係から各種電子物性の温度依存性を測定していなかった。しかし、所属機関が変わったことから、温度依存性測定を行うことが可能となるため、本年度は、活性化エネルギーなどを電子物性の温度依存性を調べることで動作原理のより本質的な部分へとアプローチすることを計画した。こうした研究目的に基づき、実験の準備を進めた。